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유연 전자 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 유연 메모리 소자(Method for manufacturing flexible electronic device and flexible memory device manufactured by the same)

  • 기술번호 : KST2016013558
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유연(flexible) 메모리 소자 제조방법에 있어서, 경질(rigid) 기판상에 박리층, 버퍼 산화층 및 메모리 소자를 차례로 적층하는 단계; 상기 경질 기판의 뒷면에 레이저 조사하여 상기 경질 기판과 상기 박리층의 접착력을 약화시켜 상기 버퍼 산화층과 상기 메모리 소자를 포함하는 소자층을 리프트 오프(lift off)하는 단계; 및 상기 리프트 오프에 의하여 박리된 소자층을 유연 기판상에 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유연 메모리 소자 제조방법이 제공된다.
Int. CL H01L 21/314 (2006.01) H01L 21/268 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02123(2013.01)H01L 21/02123(2013.01)H01L 21/02123(2013.01)H01L 21/02123(2013.01)
출원번호/일자 1020140161559 (2014.11.19)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0084511 (2016.07.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.19)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이건재 대한민국 대전광역시 유성구
2 김승준 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-1114861-89
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.06.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0062588-91
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0545285-34
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0987740-16
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1020954-34
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-1020953-99
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0194078-91
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-0360394-62
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.04.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0360400-59
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0345307-50
15 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.06.10 수리 (Accepted) 7-1-2016-0035996-98
16 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2016.09.27 수리 (Accepted) 7-8-2016-0034532-67
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유연(flexible) 전자 소자 제조방법에 있어서,경질(rigid) 기판상에 박리층, 버퍼 산화층 및 전자 소자를 차례로 적층하는 단계;상기 경질 기판의 뒷면에 레이저 조사하여 상기 경질 기판과 상기 박리층의 접착력을 약화시켜 상기 버퍼 산화층과 상기 전자 소자를 포함하는 소자층을 리프트 오프(lift off)하는 단계; 및상기 리프트 오프에 의하여 박리된 소자층을 유연 기판상에 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유연 소자 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 전자 소자는 메모리 소자 인 것을 특징으로 하는 유연 전자 소자 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 박리층 및 버퍼 산화층은 무기계 재료를 포함하며, 섭씨 200도 이상의 고온 공정에서도 상기 상기 박리층 및 버퍼 산화층은 용융되지 않는 것을 특징으로 하는 유연 전자 소자 제조방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 박리층은 수소화 비정질 실리콘(hydrogenated amorphous silicon, a-Si:H)인 것을 특징으로 하는 유연 전자 소자 제조방법
5 5
제 2항에 있어서,상기 버퍼 산화층은 0
6 6
제 5항에 있어서, 상기 버퍼 산화층은 실리콘 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유연 전자 소자 제조방법
7 7
제 2항에 있어서, 상기 전자 소자는 상기 버퍼 산화층 상에 구비되며 소정 간격으로 이격된 복수개의 하부 전극라인(110);상기 하부 전극 라인 상에 적층되며, 서로 이격된 복수 개의 선택 소자(120);상기 선택 소자(120) 상에 적층된 저항 소자(130); 및상기 저항소자(130) 상에 형성된 상부 전극라인(140)을 포함하는 것을 특징으로 하는유연 전자 소자 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 하부 전극라인(110)과 상부 전극라인(140)은 평면상에서 수직 교차하는 것을 특징으로 하는 유연 메모리 소자 제조방법
9 9
제 1항 내지 제 8항으로 중 어느 하나의 항에 의하여 제조된 유연 메모리 소자
10 10
제 9항에 있어서, 상기 유연 메모리 소자는 저항 메모리 소자(RRAM)인 것을 특징으로 하는 유연 메모리 소자
11 11
제 10항에 있어서, 상기 저항 메모리 소자(RRAM)는
12 12
제 11항에 있어서, 상기 버퍼 산화층의 두께는 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.