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반도체 메모리용 구동장치 및 그를 포함하는 시스템(DRIVER FOR SEMICONDUCTOR MEMORY AND SYSTEM INCLUDING IT)

  • 기술번호 : KST2016010896
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 개별 메모리 셀에 동일 레벨의 데이터를 쓰는 경우, 스파이크 전류의 높이와 폭을 다르게 조절함으로써 쓰기 데이터의 오차를 저감하고, 스파이크 전류의 높이와 폭을 다르게 조절하면서도 개별 메모리 셀에 공급되는 전하량을 소정 범위 내로 제어함으로써 쓰기 데이터의 오차를 저감할 수 있는 반도체 메모리용 구동장치를 제공한다.본 발명에 따른 반도체 메모리용 구동 장치는, 소정 영역의 메모리 셀 어레이 내 개별 셀에 라이트할 오버드라이브 전류의 높이 조절용 데이터와 오버드라이브 전류의 폭 조절용 데이터를 이용하여 순간 하강 전압을 발생시키는 순간 하강 전압 생성부; 상기 순간 하강 전압을 이용하여 상기 오버드라이브 전류를 포함하는 스파이크 전류를 출력하는 전류 D/A 변환부; 테스트 셀 어레이 내 개별 셀에 인가되는 스파이크 전류에 따른 충전 전압을 소정의 기준치와 비교하여 출력하는 셀 전압 검출부; 상기 셀 전압 검출부로부터 출력되는 신호를 이용하여 오버드라이브 전류의 높이와 폭을 보정하는 보정 제어부; 및 상기 보정 제어부로부터 출력되는 개별 셀에 대한 오버드라이브 전류의 높이 조절용 데이터와 폭 조절용 데이터를 저장하는 보정 테이블 저장부를 포함하고, 상기 테스트 셀 어레이는 상기 메모리 셀 어레이에 대응하도록 배치될 수 있다.
Int. CL G11C 13/00 (2006.01.01) G11C 13/00 (2006.01.01) G11C 13/00 (2006.01.01) G11C 13/00 (2006.01.01) G11C 13/00 (2006.01.01)
CPC G11C 13/0038(2013.01) G11C 13/0038(2013.01) G11C 13/0038(2013.01) G11C 13/0038(2013.01) G11C 13/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020140163614 (2014.11.21)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0061112 (2016.05.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조규형 대한민국 대전광역시 유성구
2 최석환 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 이노 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 ***, *층 (서초동, 신한국빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-1126945-41
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소정 영역의 메모리 셀 어레이 내 개별 셀에 라이트할 오버드라이브 전류의 높이 조절용 데이터와 오버드라이브 전류의 폭 조절용 데이터를 이용하여 순간 하강 전압을 발생시키는 순간 하강 전압 생성부;상기 순간 하강 전압을 이용하여 상기 오버드라이브 전류를 포함하는 스파이크 전류를 출력하는 전류 D/A 변환부;테스트 셀 어레이 내 개별 셀에 인가되는 스파이크 전류에 따른 충전 전압을 소정의 기준치와 비교하여 출력하는 셀 전압 검출부;상기 셀 전압 검출부로부터 출력되는 신호를 이용하여 오버드라이브 전류의 높이와 폭을 보정하는 보정 제어부; 및상기 보정 제어부로부터 출력되는 개별 셀에 대한 오버드라이브 전류의 높이 조절용 데이터와 폭 조절용 데이터를 저장하는 보정 테이블 저장부를 포함하고,상기 테스트 셀 어레이는 상기 메모리 셀 어레이에 대응하도록 배치되는 반도체 메모리용 구동 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 순간 하강 전압 생성부는,상기 보정 테이블 저장부로부터 출력되는 상기 높이 조절용 데이터를 아날로그 값의 높이 조절용 신호로 변환하는 D/A 컨버터;상기 보정 테이블 저장부로부터 출력되는 상기 폭 조절용 데이터를 이용하여 숏 펄스 신호를 발생시키는 숏 펄스 제너레이터;상기 높이 조절용 신호를 이용하여 오버드라이브 전류의 높이 조절용 전압으로 충전하는 높이 조절용 캐패시터; 및상기 숏 펄스 신호에 스위칭하여 상기 높이 조절용 전압을 전달하는 하강 전압 전달 스위치를 포함하는 반도체 메모리용 구동 장치
3 3
제1항에 있어서, 상기 메모리 셀 어레이 내 제1 위치에 배치된 개별 셀에 흘러드는 오버드라이브 전류의 높이가 상기 메모리 셀 어레이 내 제2 위치에 배치된 개별 셀에 흘러드는 오버드라이브 전류의 높이보다 낮고, 상기 메모리 셀 어레이 내 제1 위치에 배치된 개별 셀에 흘러드는 오버드라이브 전류의 폭이 상기 메모리 셀 어레이 내 제2 위치에 배치된 개별 셀에 흘러드는 오버드라이브 전류의 폭보다 길고, 상기 제1 위치에 배치된 개별 셀과 상기 전류 D/A 변환부의 거리는 상기 제2 위치에 배치된 개별 셀과 상기 전류 D/A 변환부의 거리보다 상대적으로 가까운 것을 특징으로 하는 반도체 메모리용 구동 장치
4 4
제3항에 있어서,상기 제1 위치에 배치된 개별 셀에 흘러드는 오버드라이브 전류에 의한 전하량과 상기 제2 위치에 배치된 개별 셀에 흘러드는 오버드라이브 전류에 의한 전하량은 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 메모리용 구동 장치
5 5
제2항에 있어서,상기 높이 조절용 캐패시터에 충전되는 높이 조절용 전압을 제어하여 오버드라이브 전류의 높이를 조절하는 반도체 메모리용 구동 장치
6 6
제2항에 있어서,상기 숏 펄스 제너레이터로부터 출력되는 숏 펄스 신호의 턴온 시간을 제어하여 오버드라이브 전류의 폭을 조절하는 반도체 메모리용 구동 장치
7 7
제1항에 있어서,상기 보정 제어부는 오버 드라이브 전류의 폭을 증가시키지 않는 방향으로 천이하고, 천이과정에서 오버드라이브 전류 곡선과 교차하지 않으면, 직전의 천이방향을 유지하도록 제어하는 반도체 메모리용 구동 장치
8 8
제1항에 있어서,상기 보정 제어부는 오버 드라이브 전류의 폭을 증가시키지 않는 방향으로 천이하고, 천이과정에서 오버드라이브 전류 곡선과 교차하지 않으면, 오버드라이브 전류의 폭을 감소시키는 방향으로 천이하도록 제어하는 반도체 메모리용 구동 장치
9 9
제1항에 있어서, 상기 셀 전압 검출부는,상기 테스트 셀 어레이 내 개별 셀에 흐르는 셀 전류를 검출하여 상기 셀 전류에 상응하는 셀 전압을 출력하는 셀 전류 검출부;안정화된 상기 셀 전압을 샘플링하여 각각 제1 및 제2 캐패시터에 저장하는 제1 및 제2 전압 샘플링부;상기 제1 및 제2 전압 샘플링부로부터 출력되는 셀 전압을 각각 제1 및 제2 기준전압으로 증폭하는 제1 및 제2 증폭부; 및안정화되기 전의 초기 셀 전압과 상기 제1 및 제2 기준전압을 각각 비교하여 출력하는 제1 및 제2 비교부를 출력하는 반도체 메모리용 구동 장치
10 10
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 반도체 메모리용 구동 장치를 포함하는 메모리;사용자에 의해 정보를 생성하도록 사용되는 입출력 인터페이스;무선 통신 네트워크와 정보를 상호 교환하도록 사용되는 무선 인터페이스; 및상기 메모리, 입출력 인터페이스, 및 무선 인터페이스를 제어하는 중앙처리부를 포함하는 시스템
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09312004 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US9312004 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.