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기판 상에 c-축 방향으로 증착된 n형 켜쌓기 주석산바륨 투명 산화물 반도체 박막;상기 박막 상의 소스/드레인 전극들;상기 전극들 상의 게이트 절연막; 및상기 게이트 절연막 상의 게이트 전극을 포함하며,상기 기판은 격자상수가 큐빅 구조로 보았을 때 3
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제1항에 있어서,상기 기판은 BaSnO3, LaInO3, SrTiO3, PrInO3, KTaO3, Pb(Zr,Ti)O3 및 MgO로 이루어진 군에서 선택되는 물질로 이루어진 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 기판은 BaSnO3로 이루어지고, 상기 주석산바륨 투명 산화물 반도체 박막은 동종 켜쌓기 박막인 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 주석산바륨 박막은 다결정 또는 비정질 박막인 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 n형은 산소 결핍, 또는 주개 불순물인 란탄(La) 또는 안티몬(Sb)이 주입된 것인 트랜지스터
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제5항에 있어서,상기 산소 결핍 또는 주개 불순물의 농도가 상기 주석산바륨 전체 중량에 대해 0중량% 초과 10중량% 이하인 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 소스/드레인 전극들 및 상기 게이트 전극은 Au, Ti+Au, Ni, ITO, 또는 (Ba,La)SnO3-δ로 이루어진 트랜지스터
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8
제1항에 있어서,상기 게이트 절연막은 Al2O3, HfO2, ZrO2, 또는 LaInO3로 이루어진 트랜지스터
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기판 상에 BaSnO3 박막 채널을 c-축 방향 증착을 이용하여 형성하는 단계;상기 BaSnO3 박막 채널 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계;상기 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 트랜지스터의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 기판은 큐빅 구조로 보았을 때 격자상수가 3
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제9항에 있어서,상기 기판은 BaSnO3, LaInO3, SrTiO3, PrInO3, KTaO3, Pb(Zr,Ti)O3 및 MgO로 이루어진 군에서 선택되는 물질로 이루어진 트랜지스터의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 BaSnO3 박막 채널은 BaSnO3-δ, (Ba,La)SnO3-δ 또는 Ba(Sn,Sb)SnO3-δ를 타겟으로 하여 증착되어 형성된 n형 BaSnO3 박막인 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 증착은 펄스 레이저 증착법, 스퍼터링법, 또는 화학 기상 증착법으로 실시하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 BaSnO3 박막 채널은 켜쌓기 또는 동종 켜쌓기 박막으로 증착될 수 있으며, 증착 조건은 기판 온도 700~1000 ℃, 산소분압 1~200 mTorr로 실시하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 BaSnO3 박막 채널은 다결정 또는 비정질 박막으로 증착될 수 있으며, 증착 조건은 기판 온도 20~800 ℃, 산소분압 1~200 mTorr으로 실시하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 BaSnO3 박막 채널은, 상기 BaSnO3 박막 증착 시에 새도우 마스크를 이용하여 형성하거나, 또는 상기 BaSnO3 박막 증착 후에 포토 리소그래피 공정 및 식각 공정을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 식각 공정은 질산 또는 염산을 이용한 습식 식각 공정인 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 소스/드레인 전극은 Au, Ti+Au, Ni, ITO, 또는 (Ba,La)SnO3-δ를 증착시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 게이트 절연막은 Al2O3, HfO2, ZrO2, 또는 LaInO3를 원자층 증착법, 스퍼터링법, 화학 기상 증착법, 또는 펄스 레이저 증착법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 게이트 전극은 Au, Ti+Au, Ni, ITO, 또는 (Ba,La)SnO3-δ를 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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