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밴드갭을 갖는 2차원 물질층; 및상기 2차원 물질층에 각각 전기적으로 접촉하는 제 1 전극과 제 2 전극;을 포함하며,상기 2차원 물질층은 다수의 층으로 적층된 구조를 갖는 제 1 다층 2차원 물질 영역과 제 2 다층 2차원 물질 영역, 및 상기 제 1 및 제 2 다층 2차원 물질 영역보다 적은 층 수를 갖는 채널 영역을 포함하고,상기 채널 영역의 에너지 밴드갭이 상기 제 1 및 제 2 다층 2차원 물질 영역의 에너지 밴드갭보다 더 크며,상기 제 1 전극은 상기 제 1 다층 2차원 물질 영역에 전기적으로 접촉하며, 상기 제 2 전극은 상기 제 2 다층 2차원 물질 영역에 전기적으로 접촉하는 전자소자
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제 1 항에 있어서,상기 채널 영역은 상기 제 1 다층 2차원 물질 영역과 제 2 다층 2차원 물질 영역 사이에 배치되어 있는 전자소자
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 다층 2차원 물질 영역과 상기 채널 영역의 사이 및 상기 제 2 다층 2차원 물질 영역과 상기 채널 영역의 사이 중에서 적어도 하나는 계단형으로 연결되어 있는 전자소자
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제 2 항에 있어서,상기 2차원 물질층은, 상기 채널 영역과 대향하는 제 1 다층 2차원 물질 영역의 측벽에 형성된 제 1 경사면, 및 상기 채널 영역과 대향하는 제 2 다층 2차원 물질 영역의 측벽에 형성된 제 2 경사면을 더 포함하는 전자소자
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제 1 항에 있어서,기판을 더 포함하며,상기 제 1 다층 2차원 물질 영역, 제 2 다층 2차원 물질 영역, 및 채널 영역은 상기 기판 위에 함께 배치되어 있는 전자소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상기 제 1 다층 2차원 물질 영역의 상부 표면에 배치되어 있고, 상기 제 2 전극은 상기 제 2 다층 2차원 물질 영역의 상부 표면에 배치되어 있는 전자소자
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제 1 항에 있어서,상기 밴드갭을 갖는 2차원 물질층은 전이금속과 칼코겐 원소의 화합물인 전이금속 디칼코게나이드를 포함하는 전자소자
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제 7 항에 있어서,상기 전이금속은 주석(Sn), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W) 중에서 적어도 하나를 포함하고, 상기 칼코겐 원소는 황(S), 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te) 중에서 적어도 하나를 포함하는 전자소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 다층 2차원 물질 영역과 제 2 다층 2차원 물질 영역은 적어도 4개 이상의 층으로 적층되어 있는 전자소자
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제 1 항에 있어서,게이트 절연막; 및상기 게이트 절연막의 하부 표면에 배치된 게이트 전극;을 더 포함하고,상기 제 1 다층 2차원 물질 영역, 제 2 다층 2차원 물질 영역, 및 채널 영역은 상기 게이트 절연막의 상부 표면에 배치되며,상기 제 1 전극은 상기 제 1 다층 2차원 물질 영역의 상부 표면에 배치되고, 상기 제 2 전극은 상기 제 2 다층 2차원 물질 영역의 상부 표면에 배치되어 있는 전자소자
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제 1 항에 있어서,상기 채널 영역의 상부 표면에 배치된 게이트 절연막; 및상기 게이트 절연막의 상부 표면에 배치된 게이트 전극;을 더 포함하고,상기 제 1 전극은 상기 제 1 다층 2차원 물질 영역의 상부 표면에 배치되고, 상기 제 2 전극은 상기 제 2 다층 2차원 물질 영역의 상부 표면에 배치되어 있는 전자소자
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제 1 항에 있어서,상기 채널 영역은 직접 밴드갭을 가지며 상기 제 1 및 제 2 다층 2차원 물질 영역은 간접 밴드갭을 갖는 전자소자
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기판 상에 밴드갭을 갖는 2차원 물질층을 다수의 층으로 적층하여 형성하는 단계;상기 2차원 물질층의 중심 영역을 식각하여, 상기 2차원 물질층의 중심 영역에 채널 영역을 형성하고, 상기 채널 영역의 양측에는 다수의 층으로 적층된 구조를 갖는 제 1 다층 2차원 물질 영역과 제 2 다층 2차원 물질 영역을 형성하는 단계; 및상기 제 1 다층 2차원 물질 영역에 전기적으로 접촉하는 제 1 전극 및 상기 제 2 다층 2차원 물질 영역에 전기적으로 접촉하는 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 채널 영역은 상기 제 1 및 제 2 다층 2차원 물질 영역보다 적은 층 수를 가지며,상기 채널 영역의 에너지 밴드갭이 상기 제 1 및 제 2 다층 2차원 물질 영역의 에너지 밴드갭보다 더 큰 전자소자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 2차원 물질층의 중심 영역을 식각하는 단계는 건식 식각 방식을 사용하는 전자소자의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 제 1 다층 2차원 물질 영역과 상기 채널 영역의 사이 및 상기 제 2 다층 2차원 물질 영역과 상기 채널 영역의 사이가 계단형으로 연결되는 전자소자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 2차원 물질층의 중심 영역을 식각하는 단계는 플라즈마 식각 방식을 사용하는 전자소자의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 제 1 다층 2차원 물질 영역과 채널 영역의 사이에 제 1 경사면을 형성하고, 상기 제 2 다층 2차원 물질 영역과 채널 영역의 사이에 제 2 경사면을 형성하는 전자소자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 2차원 물질층의 중심 영역을 식각하는 단계를 수행하기 전에, 상기 2차원 물질층의 양측 가장자리에 상기 제 1 전극과 제 2 전극을 형성하는 단계를 먼저 수행하고, 상기 제 1 전극과 제 2 전극을 식각 마스크로서 사용하는 전자소자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 밴드갭을 갖는 2차원 물질층은 전이금속과 칼코겐 원소의 화합물인 전이금속 디칼코게나이드를 포함하는 전자소자의 제조 방법
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제 19 항에 있어서,상기 전이금속은 주석(Sn), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W) 중에서 적어도 하나를 포함하고, 상기 칼코겐 원소는 황(S), 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te) 중에서 적어도 하나를 포함하는 전자소자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 제 1 다층 2차원 물질 영역과 제 2 다층 2차원 물질 영역은 적어도 4개 이상의 층으로 적층되어 있는 전자소자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 채널 영역은 직접 밴드갭을 가지며 상기 제 1 및 제 2 다층 2차원 물질 영역은 간접 밴드갭을 갖는 전자소자의 제조 방법
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