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산화물 반도체층과;상기 산화물 반도체층과 스택 구조를 이루는 반도체성 이차원 물질층과;상기 산화물 반도체층이나 상기 반도체성 이차원 물질층과 전기적으로 연결되는 전극;을 포함하는 광전자소자
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제1항에 있어서, 상기 산화물 반도체층과 반도체성 이차원 물질층이 헤테로 구조를 이루는 광전자소자
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제1항에 있어서, 상기 반도체성 이차원 물질층은, 전이금속 다이칼코게나이드 물질을 포함하는 광전자소자
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제3항에 있어서, 상기 반도체성 이차원 물질층은, MoS2, MoSe2, WS2, WSe2 중 어느 하나를 포함하는 광전자소자
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제1항에 있어서, 상기 반도체성 이차원 물질층은 1
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제3항에 있어서, 상기 산화물 반도체층은, a-IGZO 및 ZnO 중 어느 하나를 포함하는 광전자소자
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제6항에 있어서, 상기 산화물 반도체층은 3
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제7항에 있어서, 상기 반도체성 이차원 물질층은 1
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제1항에 있어서, 상기 산화물 반도체층은, a-IGZO 및 ZnO 중 어느 하나를 포함하는 광전자소자
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제9항에 있어서, 상기 산화물 반도체층은 3
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제10항에 있어서, 상기 반도체성 이차원 물질층은 1
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제1항에 있어서, 상기 반도체성 이차원 물질층은 1
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제1항에 있어서, 상기 반도체성 이차원 물질층은 가시광 영역의 광을 흡수하며,상기 산화물 반도체층은, 자외선 영역의 광을 흡수하도록 된 광전자소자
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제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체성 이차원 물질층은 상기 산화물 반도체층 상에 형성되며,상기 전극은, 상기 반도체성 이차원 물질층 상의 복수 영역에 서로 이격되게 형성되는 복수의 상부 전극을 포함하는 광전자소자
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제14항에 있어서, 상기 산화물 반도체층 하부에 하부 전극 및 상기 하부 전극을 덮는 절연층을 더 구비하여, 광 트랜지스터를 형성하는 광전자소자
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16
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체성 이차원 물질층은 상기 산화물 반도체층 상에 형성되며,상기 전극은, 상기 반도체성 이차원 물질층을 관통하도록 형성되어, 복수의 영역에서 서로 이격되게 상기 산화물 반도체층에 직접적으로 컨택되는 복수의 상부 전극을 포함하는 광전자소자
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제16항에 있어서, 상기 산화물 반도체층 하부에 하부 전극 및 상기 하부 전극을 덮는 절연층을 더 구비하여, 광 트랜지스터를 형성하는 광전자소자
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제1항에 있어서, 상기 전극은, 상기 산화물 반도체층과 반도체성 이차원 물질층의 스택 구조의 상부와 하부에 각각 마련되어, 광 트랜지스터, 포토 디텍터, 광전자소자의 2차원 어레이를 포함하는 이미지 센서 중 어느 하나를 형성하는 광전자소자
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제1항에 있어서, 상기 산화물 반도체층은, 상기 반도체성 이차원 물질층에서 광흡수시 발생된 캐리어 이동이 이루어지는 채널층으로 사용되는 광전자소자
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제19항에 있어서, 상기 반도체성 이차원 물질층은 가시광 영역의 광을 흡수하며,상기 산화물 반도체층은, 자외선 영역의 광을 흡수하도록 된 광전자소자
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