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자기 저항 메모리에서 스위칭 감지 방법에 있어서,비교기로 입력되는 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 셀의 데이터 전압에 기초하여 레퍼런스 전압을 생성하는 단계;상기 비교기에서 상기 생성된 레퍼런스 전압과 상기 데이터 전압을 비교하여 비교 결과 값을 출력하는 단계; 및상기 출력된 비교 결과 값을 버퍼를 이용하여 논리 데이터로 변환하고 상기 변환된 논리 데이터에 기초하여 상기 MTJ 셀의 스위칭을 감지하는 단계를 포함하는 스위칭 감지 방법
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제1항에 있어서,상기 자기 저항 메모리를 프리 차징(pre-charging)하는 단계를 더 포함하고,상기 레퍼런스 전압을 생성하는 단계는상기 프리 차징하는 단계가 종료된 후 상기 버퍼에 의해 변환된 논리 데이터가 바뀌는 시점에 상기 레퍼런스 전압을 생성하는 스위칭 감지 방법
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제2항에 있어서,상기 레퍼런스 전압을 생성하는 단계는상기 프리 차징하는 단계가 종료된 후 상기 레퍼런스 전압을 생성하는 커패시터를 차징시키고, 상기 버퍼에 의해 변환된 논리 데이터가 바뀌는 시점의 상기 커패시터의 전압을 상기 레퍼런스 전압으로 생성하는 스위칭 감지 방법
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제2항에 있어서,상기 레퍼런스 전압을 생성하는 단계는상기 프리 차징하는 단계가 종료된 후 상기 레퍼런스 전압을 생성하는 커패시터를 디스차징시키고, 상기 버퍼에 의해 변환된 논리 데이터가 바뀌는 시점의 상기 커패시터의 전압을 상기 레퍼런스 전압으로 생성하는 스위칭 감지 방법
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제1항에 있어서,상기 레퍼런스 전압을 생성하는 단계는상기 MTJ 셀의 데이터 전압에 기초하여 상기 버퍼의 임계 전압에 근접하도록 상기 레퍼런스 전압을 생성하는 스위칭 감지 방법
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제1항에 있어서,상기 레퍼런스 전압을 생성하는 단계는상기 MTJ 셀의 스위칭 동작이 이루어지기 전에 상기 데이터 전압에 기초하여 상기 레퍼런스 전압을 생성하는 스위칭 감지 방법
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자기 저항 메모리에서 스위칭 감지 장치에 있어서,MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 셀의 데이터 전압에 기초하여 레퍼런스 전압을 생성하는 생성부;상기 생성된 레퍼런스 전압과 상기 데이터 전압을 비교하여 비교 결과 값을 출력하는 비교부; 및상기 출력된 비교 결과 값을 논리 데이터로 변환하는 버퍼; 및상기 변환된 논리 데이터에 기초하여 상기 MTJ 셀의 스위칭을 감지하는 감지부를 포함하는 스위칭 감지 장치
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제7항에 있어서,상기 자기 저항 메모리를 프리 차징(pre-charging)하는 제어부를 더 포함하고,상기 생성부는상기 자기 저항 메모리의 프리 차징이 종료된 후 상기 버퍼에 의해 변환된 논리 데이터가 바뀌는 시점에 상기 레퍼런스 전압을 생성하는 스위칭 감지 장치
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제8항에 있어서,상기 생성부는상기 자기 저항 메모리의 프리 차징이 종료된 후 상기 레퍼런스 전압을 생성하는 커패시터를 차징시키고, 상기 버퍼에 의해 변환된 논리 데이터가 바뀌는 시점의 상기 커패시터의 전압을 상기 레퍼런스 전압으로 생성하는 스위칭 감지 장치
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제8항에 있어서,상기 생성부는상기 자기 저항 메모리의 프리 차징이 종료된 후 상기 레퍼런스 전압을 생성하는 커패시터를 디스차징시키고, 상기 버퍼에 의해 변환된 논리 데이터가 바뀌는 시점의 상기 커패시터의 전압을 상기 레퍼런스 전압으로 생성하는 스위칭 감지 장치
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제7항에 있어서,상기 생성부는상기 MTJ 셀의 데이터 전압에 기초하여 상기 버퍼의 임계 전압에 근접하도록 상기 레퍼런스 전압을 생성하는 스위칭 감지 장치
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제7항에 있어서,상기 생성부는상기 MTJ 셀의 스위칭 동작이 이루어지기 전에 상기 데이터 전압에 기초하여 상기 레퍼런스 전압을 생성하는 스위칭 감지 장치
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