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제1 전극;상기 제1 전극 상에 배치되며, 복수의 금속 베이컨시를 가지는 고체 전해질층; 및상기 고체 전해질층 상에 배치된 제2 전극;을 포함하되,상기 제1 전극과 상기 고체 전해질층의 계면에 금속 나노 크리스탈이 삽입된,비휘발성 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 금속 나노 크리스탈은 상기 제1 전극 상에 배치되며,상기 고체 전해질층은 상기 금속 나노 크리스탈을 커버하도록 구비된,비휘발성 메모리 소자
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제2항에 있어서,상기 제1 전극 상에 배치된 상기 금속 나노 크리스탈의 밀도는 7
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제1항에 있어서,상기 금속 나노 크리스탈의 평균 직경은 4
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제1항에 있어서,상기 금속 나노 크리스탈은 Au, Al, Zn, Fe, Ni, Sn, Pb 및 이들의 임의의 합금 중 어느 하나의 나노 크리스탈인,비휘발성 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 고체 전해질층은 CuO 및 Cu2O 중 적어도 하나를 포함하는,비휘발성 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 제2 전극은 양의 전압이 인가된 경우, 상기 고체 전해질층 내로 금속 양이온을 확산시키는 물질을 포함하는,비휘발성 메모리 소자
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8
제7항에 있어서,상기 제2 전극에 양의 전압이 인가된 경우, 상기 금속 양이온이 상기 금속 베이컨시로 이동하여 금속 브릿지를 형성하는,비휘발성 메모리 소자
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9
제8항에 있어서,상기 금속 브릿지는 상기 금속 나노 크리스탈 상에 국부적으로 형성되는,비휘발성 메모리 소자
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제9항에 있어서,상기 금속 나노 크리스탈 상에 형성된 상기 금속 브릿지의 길이는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 거리보다 짧은,비휘발성 메모리 소자
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기판 상에 제1 전극을 증착하는 단계;상기 제1 전극 상에 금속 박막을 증착하는 단계;상기 금속 박막을 열처리하여 금속 나노 크리스탈을 형성하는 단계;상기 금속 나노 크리스탈이 형성된 제1 전극 상에 복수의 금속 베이컨시를 가지는 고체 전해질층을 형성하는 단계; 및상기 고체 전해질층 상에 제2 전극을 증착하는 단계;를 포함하는,비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 금속 박막은 상기 제1 전극 상에 2nm 내지 5nm의 두께로 증착되는,비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 금속 박막은 Au, Al, Zn, Fe, Ni, Sn, Pb 및 이들의 임의의 합금 중 어느 하나를 포함하는,비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 금속 박막의 열처리를 통해 상기 금속 나노 크리스탈 사이로 상기 제1 전극이 노출되며, 상기 고체 전해질층은 상기 제1 전극의 노출된 면과 상기 금속 나노 크리스탈을 커버하도록 형성되는,비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 금속 박막은 상기 제1 전극 상에 상기 금속 나노 크리스탈이 7
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제11항에 있어서,상기 금속 박막은 상기 제1 전극 상에 상기 금속 나노 크리스탈이 4
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제11항에 있어서,상기 고체 전해질층은 CuO 및 Cu2O 중 적어도 하나를 포함하는,비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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