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기판과;상기 기판 상에 형성된 배리어 층과;상기 배리어 층 상에 용액 처리 공정을 통해 형성되고 패터닝된 활성층과;상기 활성층 상에 형성된 소스 및 드레인 전극으로서, 상기 각 전극은 탄소나노튜브와 산화물 나노입자의 하이브리드 박막으로 구성되고, 상기 산화물 나노입자는 상기 탄소나노튜브보다 일함수가 작으며 상기 탄소나노튜브에 물리 흡착되어 있는, 상기 소스 및 드레인 전극과;상기 전극 상에 용액 처리 공정에 기반하여 형성된 유전체 층과,상기 유전체 층 상에 형성된 탑 게이트 전극을 포함하는 트랜지스터
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청구항 1에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 또는 이중벽 탄소나노튜브인 트랜지스터
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청구항 2에 있어서, 상기 산화물 나노입자는 알루미늄 도핑 아연산화물(AZO) 나노입자 또는 인듐 주석 산화물(ITO) 나노입자인 트랜지스터
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4
청구항 1에 있어서, 상기 하이브리드 박막은 상기 산화물 나노입자의 분산 용액을 용액 처리 공정에 기반하여 복수 회 코팅한 후 상기 산화물 나노입자 층 상에 탄소나노튜브 용액을 코팅하여 형성되는 것인 트랜지스터
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청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하이브리드 박막은 상기 활성층과 오믹 접촉(Ohmic contact)를 형성하고 있는 트랜지스터
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6
기판 상에 배리어 층을 형성하는 단계;상기 배리어 층 상에 활성층을 용액 처리 공정에 기반하여 형성하는 단계;상기 활성층을 패터닝하는 단계;상기 패터닝된 활성층 상에 탄소나노튜브와 산화물 나노입자의 하이브리드 박막으로 구성되는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계로서, 상기 산화물 나노입자는 상기 탄소나노튜브보다 일함수가 작으며 상기 탄소나노튜브에 물리 흡착되어 있는 것인, 상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 전극 상에 용액 처리 공정에 기반하여 유전체 층을 형성하는 단계,상기 유전체 층 상에 탑 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 트랜지스터 제조 방법
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7
청구항 6에 있어서, 상기 탄소나노튜브로서 단일벽 또는 이중벽 탄소나노튜브를 이용하는 것인 트랜지스터 제조 방법
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8
청구항 7에 있어서, 상기 산화물 나노입자로서 알루미늄 도핑 아연산화물(AZO) 나노입자 또는 인듐 주석 산화물(ITO) 나노입자를 이용하는 것인 트랜지스터 제조 방법
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9
청구항 6에 있어서, 상기 하이브리드 박막은 상기 산화물 나노입자의 분산 용액을 용액 처리 공정에 기반하여 복수 회 코팅한 후 상기 산화물 나노입자 층 상에 탄소나노튜브 용액을 코팅하여 형성되는 것인 트랜지스터 제조 방법
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10
청구항 9에 있어서, 상기 산화물 나노입자의 분산 용액을 코팅하는 횟수가 증가함에 따라, 상기 탄소나노튜브와 산화물 나노입자 사이의 유효 접촉 면적이 증가함과 아울러, 산화물 나노입자의 활성층과의 유효 접촉 면적이 증가하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조 방법
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11
금속 산화물 및 상기 금속 산화물 상에 투명 전극을 포함하는 전자소자로서,상기 투명 전극은 탄소나노튜브와 산화물 나노입자의 하이브리드 박막으로 구성되고, 상기 산화물 나노입자는 상기 탄소나노튜브보다 일함수가 작으며 상기 탄소나노튜브에 물리 흡착되어, 상기 투명 전극의 일함수를 조절함으로써 상기 금속 산화물과 오믹 접촉을 형성하는, 전자소자
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12
청구항 11에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 또는 이중벽 탄소나노튜브인 전자소자
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13
청구항 12에 있어서, 상기 산화물 나노입자는 알루미늄 도핑 아연산화물(AZO) 나노입자 또는 인듐 주석 산화물(ITO) 나노입자인 전자소자
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14
청구항 11 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전자소자는 트랜지스터, LED 소자 또는 터치 패널인, 전자소자
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