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가스센서의 제조방법(Method for fabricating gas sensor)

  • 기술번호 : KST2017005957
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 기판, 상기 기판 상에 흡착된 탄소나노튜브, 상기 탄소나노튜브가 흡착된 기판 상에 진공 증착된 금 나노입자 및 상기 금 나노입자가 진공 증착된 상기 기판 상에 형성된 전극을 포함하는 가스센서;와 (a) 기판 상에 탄소나노튜브를 흡착시키는 단계 (b) 상기 탄소나노튜브가 흡착된 기판 상에 금(Au) 박막을 진공 증착시키는 단계 및 (c) 상기 금(Au) 박막이 진공 증착된 기판을 열처리하여 상기 탄소나노튜브가 흡착된 기판 상에 금(Au) 나노입자를 형성하는 단계를 포함하는 가스센서의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 금 나노입자 및 탄소나노튜브를 감지물질로 이용함으로써 최소 1ppm까지의 저농도 가스도 높은 감도로 감지할 수 있으며, NO2, NH3뿐만 아니라 CO, VOCs 등과 같은 가스도 안정적으로 감지할 수 있는 선택성이 우수한 가스센서 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
Int. CL G01N 27/407 (2015.10.07) C23C 14/34 (2015.10.07) C23C 14/14 (2015.10.07) B82Y 15/00 (2015.10.07)
CPC G01N 27/4074(2013.01) G01N 27/4074(2013.01) G01N 27/4074(2013.01) G01N 27/4074(2013.01)
출원번호/일자 1020150128330 (2015.09.10)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0030871 (2017.03.20) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.10)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변영태 대한민국 서울특별시 성북구
2 박민철 대한민국 서울특별시 성북구
3 최선우 대한민국 서울특별시 성북구
4 김재성 대한민국 서울특별시 성북구
5 이제행 대한민국 서울특별시 성북구
6 김신근 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0881613-63
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0107932-28
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0623632-27
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2016-1059608-99
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.10.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1059609-34
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0217027-92
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2017.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0399334-70
9 법정기간연장승인서
2017.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0058609-60
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-0479813-93
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.05.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0479814-38
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0408067-32
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번호 청구항
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(a) 실리콘 기판 상에 탄소나노튜브를 흡착시키는 단계;(b) 상기 탄소나노튜브가 흡착된 실리콘 기판 상에 금(Au) 박막을 진공 증착시키되, 아르곤 분위기 하에서 타겟과의 거리 2 ~ 10 cm, 진공 챔버의 진공도 5 ~ 20 mTorr, 진공 증착 시 진공도 30 ~ 100 mTorr 및 증착 시간 1 ~ 5초의 조건에서 스퍼터링 법을 이용하여 수행하는 단계; 및(c) 상기 금(Au) 박막이 진공 증착된 실리콘 기판을 500 ~ 800 ℃로 급속열처리로 (Rapid Thermal Annealing furnace)에서 열처리하여 상기 탄소나노튜브가 흡착된 실리콘 기판 상에 금(Au) 나노입자를 형성하는 단계를 포함하되,상기 실리콘 기판은 실리콘 산화막이 표면에 형성되며,상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브(SWCNT, single-walled carbon nanotube)를 포함하며,상기 금(Au) 박막의 두께는 0
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제6항에 있어서,상기 열처리는 아르곤 분위기 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 열처리 단계를 거친 상기 기판 상에 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 산업통상부 (주)메가메디칼 산업융합원천기술개발사업 바이오칩 기반 호흡기 질환진단/치료 시스템 개발
2 미래창조과학부 한국과학기술연구원 미래원천국가기반기술개발사업 그래핀 기반의 센서 어래이 시스템 기술개발