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(a) 얼라인 키가 형성된 반도체 기판 상부에 비정질 실리콘(Si)막을 형성하는 단계;(b) 상기 비정실 실리콘막 상부에 상기 비정질 실리콘(Si)막 보다 열전도도(thermal conductivity)가 낮고 발열층으로 사용하는 비정질 실리콘화합물막을 형성하는 단계; 및(c) 상기 얼라인 키 영역의 비정질 실리콘화합물막 상부에 엑시머 레이저를 조사하여 상기 비정질 실리콘(Si) 및 비정질 실리콘화합물막 일부 영역을 결정화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저 에너지 레이처 열처리를 통한 비정질 실리콘막 결정화 방법
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청구항 1에 있어서,상기 비정질 실리콘화합물막은 실리콘게르마늄(SiGe) 막인 것을 특징으로 하는 저 에너지 레이처 열처리를 통한 비정질 실리콘막 결정화 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 비정질 실리콘막은 하드마스크인 것을 특징으로 하는 저 에너지 레이저 열처리를 통한 비정질 실리콘막 결정화 방법
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청구항 1에 있어서,상기 (a) 단계는,반도체 기판 상부에 물리기상증착법(PVD) 또는 화학기상증착법(CVD)으로 상기 비정질 실리콘(Si) 막을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 저 에너지 레이처 열처리를 통한 비정질 실리콘막 결정화 방법
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청구항 1에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 비정실 실리콘막 상부에 물리기상증착법(PVD) 또는 화학기상증착법(CVD)으로 상기 비정질 실리콘게르마늄(SiGe)막을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 저 에너지 레이처 열처리를 통한 비정질 실리콘막 결정화 방법
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청구항 1에 있어서,상기 실리콘게르마늄(SiGe) 막 내의 게르마늄 함량은 적어도 34% 이상인 것을 특징으로 하는 저 에너지 레이처 열처리를 통한 비정질 실리콘막 결정화 방법
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청구항 1에 있어서,상기 (c) 단계는,상기 얼라인 키 영역의 비정질 실리콘게르마늄(SiGe)막 상부에 530 nm 내지 540nm 의 파장을 갖는 레이저 펄스를 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저 에너지 레이처 열처리를 통한 비정질 실리콘막 결정화 방법
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청구항 7에 있어서,상기 레이저 펄스의 에너지는 270 mJ/cm2 내지 330 mJ/cm2 인 것을 특징으로 하는 저 에너지 레이처 열처리를 통한 비정질 실리콘막 결정화 방법
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(a) 얼라인 키가 형성된 반도체 기판 상부에 비정질 실리콘(Si)막을 형성하는 단계; (b) 상기 비정실 실리콘막 상부에 상기 비정질 실리콘(Si)막 보다 열전도도(thermal conductivity)가 낮고 발열층으로 사용하는 비정질 실리콘화합물막을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 얼라인 키 영역의 비정질 실리콘화합물막 상부에 엑시머 레이저를 조사하여 상기 비정질 실리콘(Si) 및 비정질 실리콘화합물막 일부영역을 결정화하는 단계를 포함하여 제조된 결정질 실리콘막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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청구항 9에 있어서,상기 비정질 실리콘화합물막은 실리콘게르마늄(SiGe)막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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청구항 9에 있어서,상기 비정질 실리콘막은 하드마스크인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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청구항 9에 있어서,상기 실리콘게르마늄(SiGe)막 내의 게르마늄 함량은 적어도 34% 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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