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아세틸 아세톤 기반의 산화물 반도체 전구체 및 산화물 반도체 박막의 패터닝에 이용되는 자외선의 파장에 따라 결정된 용매를 준비하는 단계;상기 산화물 반도체 전구체가 상기 용매에 용해된 산화물 반도체 조성물 용액을 기판에 도포하여, 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계; 및상기 산화물 반도체 박막을 패터닝하는 단계를 포함하며,상기 산화물 반도체 조성물은, 상기 자외선에 의해 화학적 특성이 변하는 감광성 물질이며,상기 산화물 반도체 박막을 패터닝하는 단계는패터닝된 마스크를 이용하여 상기 자외선을 상기 산화물 반도체 박막에 조사하는 단계; 및상기 자외선이 조사되지 않은 산화물 반도체 박막을 제거하여, 상기 마스크의 패턴에 따른 박막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 산화물 반도체 박막 제조 방법
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제 5항에 있어서,상기 산화물 반도체 전구체는아연 아세틸아세토네이트(zinc acetylacetonate), 알루미늄 아세틸아세토네이트 (aluminum acetylacetonate), 구리(Ⅱ) 아세틸아세토네이트(copper(Ⅱ) acetylacetonate), 칼슘 아세틸아세토네이트(calcium acetylacetonate), 바나딜 아세틸아세토네이트(vanadyl acetylacetonate), 아이언(Ⅲ) 아세틸아세토네이트(iron(Ⅲ) acetylacetonate), 아이언(Ⅱ) 아세틸아세토네이트(iron(Ⅱ) acetylacetonate), 리튬 아세틸아세토네이트(lithium acetylacetonate), 망간(Ⅲ) 아세틸아세토네이트(manganese(Ⅲ) acetylacetonate), 망간(Ⅱ) 아세틸아세토네이트(manganese(Ⅱ) acetylacetonate), 은 아세틸아세토네이트(silver acetylacetonate), 코발트(Ⅲ) 아세틸아세토네이트(cobalt(Ⅲ) acetylacetonate), 코발트(Ⅱ) 아세틸아세토네이트(cobalt(Ⅱ) acetylacetonate), 지르코늄(Ⅳ) 아세틸아세토네이트(zirconium(Ⅳ) acetylacetonate), 크롬(Ⅲ) 아세틸아세토네이트(chromium(Ⅲ) acetylacetonate), 니켈(Ⅱ) 아세틸아세토네이트(nickel(Ⅱ) acetylacetonate), 팔라듐(Ⅱ) 아세틸아세토네이트(palladium(Ⅱ) acetylacetonate), 카드뮴 아세틸아세토네이트(cadmium acetylacetonate), 갈륨(Ⅲ) 아세틸아세토네이트(gallium(Ⅲ) acetylacetonate), 인듐(Ⅲ) 아세틸아세토네이트(indium(Ⅲ) acetylacetonate), 플래티늄(Ⅱ) 아세틸아세토네이트(platinum(Ⅱ) acetylacetonate), 이트륨 아세틸아세토네이트(yttrium acetylacetonate), 이리듐(Ⅲ) 아세틸아세토네이트(iridium(Ⅲ) acetylacetonate), 로듐(Ⅲ) 아세틸아세토네이트(rhodium(Ⅲ) acetylacetonate), 바륨 아세틸아세토네이트(barium acetylacetonate), 루테늄(Ⅲ) 아세틸아세토네이트(ruthenium(Ⅲ) acetylacetonate), 이트륨(Ⅲ) 아세틸아세토네이트(yttrium(Ⅲ) acetylacetonate), 마그네슘 아세틸아세토네이트(magnesium acetylacetonate), 세륨(Ⅲ) 아세틸아세토네이트(cerium(Ⅲ) acetylacetonate), 바나듐(Ⅲ) 아세틸아세토네이트(vanadium(Ⅲ) acetylacetonate), Titanium diisopropoxide bis(acetylacetonate) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택되는산화물 반도체 박막 제조 방법
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제 6항에 있어서,상기 산화물 반도체 전구체는이소프로판올(isopropanol), 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol), 디메틸포름아마이드(dimethylformamide), 에탄올(ethanol), 탈이온수(deionized water), 메탄올(methanol), 아세틸아세톤(acetylacetone), 디메틸아민보란(dimethylamineborane), 아세토니트릴(acetonitrile) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택되는 용매에 용해되는산화물 반도체 박막 제조 방법
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박막 트랜지스터 제조 방법에 있어서,상기 박막 트랜지스터의 종류에 따라 결정된 아세틸 아세톤 기반의 산화물 반도체 전구체 및 패터닝에 이용되는 자외선의 파장에 따라 결정된 용매를 준비하는 단계;상기 산화물 반도체 전구체가 상기 용매에 용해된 산화물 반도체 조성물 용액을 기판에 도포하여, 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계; 및상기 산화물 반도체 박막을 패터닝하는 단계를 포함하며,상기 산화물 반도체 조성물은, 상기 자외선에 의해 화학적 특성이 변하는 감광성 물질이며,상기 산화물 반도체 박막을 패터닝하는 단계는패터닝된 마스크를 이용하여 상기 자외선을 상기 산화물 반도체 박막에 조사하는 단계; 및상기 자외선이 조사되지 않은 산화물 반도체 박막을 제거하여, 상기 마스크의 패턴에 따른 박막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 제조 방법
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