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밴드갭 조절이 가능한 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor of having Ability Controlling Band Gap)

  • 기술번호 : KST2017009407
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 인가되는 전계에 따라 밴드갭을 조절할 수 있는 밴드갭 조절층이 구비된 전계 효과 트랜지스터가 개시된다. 핀 채널 영역 상에 형성된 밴드갭 조절층은 분자 비계와 분자 회전자를 포함한다. 분자 비계와 분자 회전자가 동일 평면 상에 배치되는 경우, π-공액 결합의 길이는 최대화된다. 이를 통해 밴드갭의 감소를 유도할 수 있다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 29/778 (2006.01.01) H01L 29/417 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) C07C 15/28 (2006.01.01) C07C 15/24 (2006.01.01)
CPC H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01)
출원번호/일자 1020150168406 (2015.11.30)
출원인 광주과학기술원, 전남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0062788 (2017.06.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.09.11)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이병훈 대한민국 광주광역시 북구
2 정현담 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1165950-63
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
4 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
 2020.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2020-0967609-36
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.10.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성되고, 상기 기판으로부터 돌출된 형상을 가지며, 반도체 재질을 가지는 핀 채널 영역;상기 핀 채널 영역 상에 형성되고, 인가되는 전계에 의해 밴드갭이 변경되는 밴드갭 조절층; 및상기 밴드갭 조절층 상에 형성되고, 상기 밴드갭 조절층에 전계를 인가하기 위한 게이트를 포함하는 밴드갭 조절이 가능한 전계 효과 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서, 상기 밴드갭 조절층은, 하기의 화학식 1의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
3 3
제2항에 있어서, 상기 밴드갭 조절층은,상기 핀 채널 영역과 결합하고 π-공액 결합의 길이를 가지는 분자 비계; 및상기 분자 비계와 결합되고, 인가되는 전계에 따른 회전운동을 수행하는 분자 회전자를 포함하는 것을 특징으로 하는 밴드갭 조절이 가능한 전계 효과 트랜지스터
4 4
제3항에 있어서, 상기 분자 비계는 인가되는 전계에 따라 상기 분자 회전자의 회전을 가능하게 하는 탄소의 삼중 결합을 포함하는 것을 특징으로 하는 밴드갭 조절이 가능한 전계 효과 트랜지스터
5 5
제3항에 있어서, 상기 분자 회전자는 전기 쌍극자 모멘트를 가지는 것을 특징으로 하는 밴드갭 조절이 가능한 전계 효과 트랜지스터
6 6
제2항에 있어서, 상기 화학식 1에서 L1은 상기 핀 채널 영역의 실리콘 원자와 결합되거나, 상기 실리콘 원자가 산소와 결합되어 자연 산화막을 형성하는 경우, 상기 화학식 1에서 상기 L1은 산소와 결합하는 것을 특징으로 하는 밴드갭 조절이 가능한 전계 효과 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 광주과학기술원 글로벌프론티어연구개발사업 인공 두뇌급 고성능 소자 구현을 위한 3D 집적 반도체소재 원천기술 개발
2 산업통상자원부 서강대학교산학협력단 기술혁신사업 0.7v 이하 저전압 구동을 위한 Post-CMOS 미래 반도체소자 원천기술개발