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유기용매를 이용한 포토레지스트 제거방법(Photoresist Stripping Method Using Organic Solvent)

  • 기술번호 : KST2017009737
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고온에서 유기용매를 처리하여 포토레지스트를 제거하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 유기용매를 처리함으로써 반도체 표면에 에칭(etching) 또는 산화(oxidation) 등에 의한 손상 없이 포토레지스트를 제거할 수 있다.
Int. CL H01L 21/027 (2016.01.16) G03F 7/42 (2016.01.16) H01L 51/00 (2016.01.16) G03F 7/34 (2016.01.16)
CPC G03F 7/42(2013.01) G03F 7/42(2013.01) G03F 7/42(2013.01)
출원번호/일자 1020150170564 (2015.12.02)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0064736 (2017.06.12) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.02)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임상우 대한민국 서울특별시 강남구
2 오은석 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-1178925-25
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0310770-02
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-0636374-34
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.07.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0636375-80
5 보정요구서
Request for Amendment		 2017.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0795051-89
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-1251636-51
7 등록결정서
Decision to grant		 2018.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0234909-24
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
포토레지스트 처리된 반도체를, 125℃ 내지 180℃의 온도에서, 유기용매를 처리하여 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하고,상기 포토레지스트 처리된 반도체는 게르마늄 원소(Ge), 인듐 원소(In), 갈륨 원소(Ga), 알루미늄 원소(Al), 비소 원소(As) 및 인 원소(P) 로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 2종 이상을 포함하며,상기 유기용매는 메틸-2-피롤리돈(N-Methyl-2-pyrrolidone, NMP), 디메틸 설폭사이드(Dimethyl sulfoxide, DMSO), 벤질 알콜(Benzyl alcohol, BA) 및 프로필렌 카보네이트 (Propylene carbonate, PC) 중 1종 이상이고,하기 일반식 1을 만족하는 포토레지스트의 제거방법:[일반식 1]Ra/R0 ≤1
2 2
삭제
3 3
삭제
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제 1 항에 있어서,포토레지스트를 제거하는 단계 이후에,포토레지스트가 제거된 반도체를 초순수로 세정하는 단계를 더 포함하는 포토레지스트의 제거방법
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제 1 항에 있어서,포토레지스트를 제거하는 단계는, 30초 내지 60분 동안 수행되는 포토레지스트의 제거방법
6 6
삭제
7 7
제 4 항에 있어서,초순수로 세정하는 단계 이후에,질소 가스를 이용하여 초순수를 제거하는 단계를 더 포함하는 포토레지스트의 제거방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 연세대학교 산학협력단 산업기술혁신사업 [RCMS]한국반도체연구조합/Ge 및 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 채널을 위한 토탈 Front-End 원천 세정기술 개발(2/5)/(미래반도체소자)