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산화물 반도체 소자의 제조 방법(Method of forming oxide semiconductor device)

  • 기술번호 : KST2017011614
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예는 산화물 반도체 소자의 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 반도체 소자의 제조 방법은, 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 상부에 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계; 상기 산화물 반도체 박막에 자외선을 조사하면서 상기 기판을 가압 열처리하여 액티브층을 형성하는 단계; 및 상기 액티브층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020150189828 (2015.12.30)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0080796 (2017.07.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.12)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안병두 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 김현재 대한민국 서울특별시 마포구
3 탁영준 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1288776-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
3 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
 2020.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2020-1212182-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상부에 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계; 상기 산화물 반도체 박막에 자외선을 조사하면서 상기 기판을 가압 열처리하여 액티브층을 형성하는 단계; 및상기 액티브층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 산화물 반도체 소자의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 자외선은 185nm 내지 365nm 사이의 파장을 갖고,상기 가압 열처리는 200℃ 이하의 온도에서 수행되는, 산화물 반도체 소자의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 가압 열처리는 1기압보다 큰 기압 상태에서 수행되는, 산화물 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 열처리는 1시간 이상 수행되는, 산화물 반도체 소자의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 열처리는 자외선 램프 또는 단파장 LED로부터 발생되는 자외선을 사용하여 수행되는, 산화물 반도체 소자의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 산화물 박막 증착 단계는,산소를 포함하는 아르곤 분위기에서 수행되는, 산화물 반도체 소자의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 액티브층 형성 단계는,공기, 산소 또는 오존 분위기 중 하나의 분위기에서 수행되는, 산화물 반도체 소자의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 산화물 박막 증착 단계는,진공 증착 방법으로 수행되는, 산화물 반도체 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.