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2차원 반도체를 이용한 전자 소자의 전극 형성 방법 및 그 전극 소자(METHOD OF FORMING ELECTRODES FOR ELECTRONIC DEVICE USING TWO DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR AND ELECTRONIC DEVICE THEREOF)

  • 기술번호 : KST2017013877
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 2차원 반도체를 이용한 전자 소자의 전극 형성 시, 기판 상에 n형 또는 p형으로 도핑된 2차원 반도체 층을 형성하고, 도핑된 2차원 반도체 층의 제 1 영역 및 제 2 영역을 미리 정해진 패턴의 형상대로 패터닝하고, 패터닝된 제 1 영역 및 제 2 영역의 상부에 각각 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성한다.
Int. CL H01L 27/15 (2016.03.20) H01L 21/768 (2016.03.20) H01L 21/3213 (2016.03.20) H01L 21/28 (2016.03.20) H01L 33/36 (2016.03.20)
CPC H01L 27/156(2013.01) H01L 27/156(2013.01) H01L 27/156(2013.01) H01L 27/156(2013.01) H01L 27/156(2013.01) H01L 27/156(2013.01) H01L 27/156(2013.01)
출원번호/일자 1020160018873 (2016.02.18)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0097300 (2017.08.28) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.02.18)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진홍 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 박형열 대한민국 경기도 김포시 걸포*로 **,
3 김정훈 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 최우영 대한민국 경상남도 창원시 의창구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0160143-84
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-0178388-17
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0225246-35
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0091589-85
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0434304-13
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0792620-97
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0807857-41
10 [출원서 등 보정(보완)]보정서
 2017.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0806273-19
11 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
 2017.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0806382-98
12 등록결정서
Decision to grant		 2018.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0061974-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
2차원 반도체를 이용한 전자 소자의 전극 형성 방법에 있어서,기판 상에 n형 또는 p형으로 도핑된 2차원 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 도핑된 2차원 반도체 층의 제 1 영역 및 제 2 영역을 미리 정해진 패턴의 형상대로 패터닝하는 단계; 및상기 패터닝된 제 1 영역 및 제 2 영역의 상부에 각각 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제 1 영역 및 제 2 영역은, 상기 패터닝에 의해 각각 소정의 길이의 엣지 패턴이 형성되며, 서로 대향하도록 배치된 것인, 2차원 반도체를 이용한 전자 소자의 전극 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 도핑된 2차원 반도체 층을 형성하는 단계는 2차원 반도체 물질을 도핑시키는 도핑 물질이 포함된 절연층을 기판 상에 형성하는 단계;상기 절연층 상에 2차원 반도체 물질을 형성하여 2차원 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 형성된 2차원 반도체 물질을 도핑시키는 단계를 포함하는, 2차원 반도체를 이용한 전자 소자의 전극 형성 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 도핑 물질은 감광 입자 물질이며, 상기 도핑된 2차원 반도체 층을 형성하는 단계는,기판 상에 감광 입자가 포함된 절연층을 형성하는 단계;열처리 공정을 통해, 상기 절연층에 포함된 감광 입자를 상기 절연층의 표면으로 이동시키는 단계;상기 절연층 상에 2차원 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 절연층에 포함된 감광 입자의 흡수 파장에 대응하는 빛을 노광시켜, 상기 2차원 반도체층에 포함된 2차원 반도체 물질을 도핑시키는 단계를 포함하는, 2차원 반도체를 이용한 전자 소자의 전극 형성 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 2차원 반도체 물질을 도핑시키는 단계 이전에, 상기 감광 입자가 포함된 절연층 및 상기 2차원 반도체층이 형성된 기판을 어닐링하는 단계를 더 포함하는, 2차원 반도체를 이용한 전자 소자의 전극 형성 방법
5 5
제 3 항에 있어서,상기 2차원 반도체 물질을 도핑시키는 단계는 빛의 노광에 의해 상이 변화된 감광 입자의 산화 또는 환원 반응을 통해 상기 2차원 반도체 물질에 전하가 전달되는 것인, 2차원 반도체를 이용한 전자 소자의 전극 형성 방법
6 6
제 3 항에 있어서, 상기 감광 입자는 광자를 흡수하여 전자를 전달하는 광유발 전자 전달(Photoinduced Electron Transfer, PET) 물질인 것인, 2차원 반도체를 이용한 전자 소자의 전극 형성 방법
7 7
제 2 항에 있어서, 상기 도핑 물질은, 폴리비닐피롤리돈(Polyvinylpyrrolidone, PVP) 및 폴리멜라민코포름알데히드(poly(melamine-co-formaldehyde), PMF) 중 하나 이상을 포함하는 것인, 2차원 반도체를 이용한 전자 소자의 전극 형성 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 2차원 반도체 물질을 도핑시키는 단계는 상기 도핑 물질의 농도를 조절하여 도핑 농도를 조절하는 것인, 2차원 반도체를 이용한 전자 소자의 전극 형성 방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 2차원 반도체 층은그래핀(graphene) 또는 전이금속칼코겐 화합물(Transition Metal Dichalcogenide) 중 어느 하나를 포함하는 것인, 2차원 반도체를 이용한 전자 소자의 전극 형성 방법
10 10
청구항 1항 내지 8항 중 어느 한 항에 기재된 전극 형성 방법을 통해 제작된 2차원 반도체를 이용한 전자 소자
11 11
2차원 반도체를 이용한 전자 소자에 있어서,n형 또는 P형으로 도핑된 2차원 반도체층;상기 2차원 반도체층의 제 1 영역에 형성된 제 1 전극;상기 2차원 반도체층의 제 2 영역에 형성되고, 상기 제 1 전극과 이격되어 나란하게 배치된 제 2 전극을 포함하되,상기 제 1 영역과 제 2 영역은 패터닝 공정에 의하여 소정 길이의 엣지 패턴이 각각 형성된 것인 2차원 반도체를 이용한 전자 소자
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 2차원 반도체층은그래핀(graphene) 또는 전이금속칼코겐 화합물(Transition Metal Dichalcogenide) 중 어느 하나를 포함하는 것인, 2차원 반도체를 이용한 전자 소자
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 2 차원 반도체층은 폴리비닐피롤리돈(Polyvinylpyrrolidone, PVP) 및 폴리멜라민코포름알데히드(poly(melamine-co-formaldehyde), PMF) 중 적어도 하나에 의해 도핑된 것인, 2차원 반도체를 이용한 전자 소자
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2 US2017243998 US 미국 DOCDBFAMILY
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1 미래창조과학부 성균관대학교 중견연구자지원 사물인터넷 소자용 그래핀/전이금속칼코겐 화합물 기반 저전력 반도체소자 원천기술 개발
2 교육부 성균관대학교 학부생 연구프로그램 2차원 그래핀/TMD 베리스터 소자 모델링 연구