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전자 회로에 있어서, 상기 전자 회로는: 구성 가능한 전기적 연결을 갖는 박막 트랜지스터 어레이(Thin Film Transistor array)를 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 레이어(TFT array layer) 및상기 박막 트랜지스터 어레이 내의 박막 트랜지스터들을 전기적으로 연결하며 구성 가능한 전기적 연결을 갖는 내부 배선이 배치된 내부 배선 영역과, 상기 내부 배선 영역과 전기적으로 연결되어 상기 전자 회로에 입력 신호를 전달하고, 상기 전자 회로의 출력을 상기 전자 회로의 외부에 제공하며 구성 가능한 전기적 연결을 갖는 배선들이 배치된 외부 배선 영역을 포함하는 배선 레이어(wiring layer)를 포함하며, 상기 전자 회로는 상기 박막 트랜지스터 어레이 레이어와 상기 배선 레이어가 적층되어 형성되고,상기 박막 트랜지스터들의 채널을 형성하는 물질에 따라 상기 박막 트랜지스터 어레이가 상기 박막 트랜지스터 어레이 레이어의 서로 다른 영역에 배치되며,상기 박막 트랜지스터 어레이, 상기 내부 배선 및 상기 외부 배선은 사용자에 의해 전기적 연결이 구성되고,상기 박막 트랜지스터들은 각각 제1 방향으로 연장된 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 박막 트랜지스터들은 복수의 소스 브랜치(source branch) 및 복수의 드레인 브랜치(drain branch)를 포함하며, 상기 복수의 소스 브랜치는 상기 소스 전극에 형성되어 상기 게이트 전극이 위치하는 제2 방향으로 연장되고, 상기 복수의 드레인 브랜치는 상기 드레인 전극에 형성되어 상기 제2 방향과 반대 방향이고 상기 게이트 전극이 위치하는 제3 방향으로 연장되는 전자 회로
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제1항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터 어레이 레이어는 패시베이션 층을 포함하며, 상기 박막 트랜지스터 어레이는 상기 패시베이션 층에 형성되는 전자 회로
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제1항에 있어서, 상기 배선 레이어는 절연층(insulation layer)을 포함하며, 상기 내부 배선 영역 및 상기 외부 배선 영역은 상기 절연층에 형성되는 전자 회로
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제1항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터 어레이는 전도성 물질에 의하여 전기적 연결이 구성되는 전자 회로
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제5항에 있어서, 상기 전도성 물질은 광으로 경화되어 전도성을 가지는 물질인 전자 회로
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제1항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터 어레이 레이어는 수동 소자가 어레이로 배치된 수동 소자 어레이를 더 포함하는 전자 회로
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제1항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터 어레이는 수동 소자가 컬럼으로 배치된 수동 소자 컬럼을 더 포함하는 전자 회로
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제1항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터 어레이는, 컬럼으로 배치된 N 타입 박막 트랜지스터 컬럼 및 컬럼으로 배치된 P타입 박막 트랜지스터 컬럼을 포함하는 전자 회로
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제1항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터 어레이는, 어레이로 배치된 N 타입 박막 트랜지스터 어레이 및 어레이로 배치된 P타입 박막 트랜지스터 어레이를 포함하는 전자 회로
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제1항에 있어서, 상기 외부 배선 및 상기 내부 배선은 인쇄 가능한 전도성 물질로 전기적 연결이 구성되는 전자 회로
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제1항에 있어서, 상기 배선 레이어와 상기 박막 트랜지스터 어레이 레이어는 레이어 관통 비아에 의하여 전기적으로 연결되는 전자 회로
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제1항에 있어서, 상기 전자 회로는 유연성(flexibility)을 갖는 전자 회로
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현장에서 프로그램 가능한 배선(field programmable wiring) 소자로, 상기 소자는:복수의 박막 트랜지스터들이 로우(row)와 컬럼(column)을 포함하는 어레이로 배치된 박막 트랜지스터 어레이 레이어 및상기 로우로 배치된 상기 박막 트랜지스터들을 연결하는 소자간 배선과, 상기 소자에 입력 신호를 제공하는 입력 배선 및 상기 소자의 출력 신호를 외부에 전달하는 출력 배선이 형성된 배선 레이어가 적층되고,상기 박막 트랜지스터들의 채널을 형성하는 물질에 따라 상기 어레이가 상기 박막 트랜지스터 어레이 레이어의 서로 다른 영역에 배치되며,상기 소자간 배선, 상기 입력 배선 및 상기 출력 배선이 현장에서 프로그램 가능하고,상기 박막 트랜지스터들은 각각 제1 방향으로 연장된 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 박막 트랜지스터들은 복수의 소스 브랜치(source branch) 및 복수의 드레인 브랜치(drain branch)를 포함하며, 상기 복수의 소스 브랜치는 상기 소스 전극에 형성되어 상기 게이트 전극이 위치하는 제2 방향으로 연장되고, 상기 복수의 드레인 브랜치는 상기 드레인 전극에 형성되어 상기 제2 방향과 반대 방향이고 상기 게이트 전극이 위치하는 제3 방향으로 연장되는 전자 소자
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제14항에 있어서,상기 박막 트랜지스터 어레이 레이어는,수동 소자 컬럼 및 수동 소자 어레이 중 어느 하나를 더 포함하는 전자 소자
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제14항에 있어서,상기 소자간 배선, 입력 배선 및 출력 배선은 도전성 물질이 인쇄되어 배선되는 전자 소자
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제14항에 있어서,상기 박막 트랜지스터 어레이는 경화되어 도전성을 가지는 물질로 배선되는 전자 소자
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제14항에 있어서,상기 입력 배선 및 상기 출력 배선은 각각 패드에 연결된 전자 소자
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제18항에 있어서,상기 패드는 플립칩 범프 및 와이어 본딩 패드 중 어느 하나인 전자 소자
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제15항에 있어서,상기 수동 소자는 상기 소자간 배선에 의하여 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 전자 소자
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제14항에 있어서,상기 소자는 전기적 연결 돌기를 더 포함하며, 상기 전기적 연결 돌기로 배선 패턴을 포함하는 배선층에 전기적으로 연결되는 전자 소자
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제14항에 있어서,상기 소자는, 전기적 연결 패드를 더 포함하며, 배선 패턴을 포함하는 배선층과 상기 전기적 연결 패드는 와이어(wire)에 의하여 전기적으로 연결되는 전자 소자
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제14항에 있어서,상기 소자는 패시베이션 층(passivation layer)에 형성되어 유연성(flexibility)을 가지는 전자 소자
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제22항에 있어서,상기 배선층은 제1 패시베이션 층에 형성되며,상기 소자는 제2 패시베이션 층에 상에 형성되어 유연성을 갖는 전자 소자
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