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원자층 식각방법(ATOMIC LAYER ETHING METHOD)

  • 기술번호 : KST2017016838
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 원자층 식각방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 원자층 식각방법은 원자층 제거시 램프의 광원을 이용한 가열을 통해 피식각물질층의 상면 및 측면을 동시에 제거가능하여 수 나노미터 스케일의 패턴이더라도 쉽게 평면적 크기를 줄일 수 있는 원자층 식각방법이 제공된다.
Int. CL H01L 21/3065 (2016.07.09) H01L 21/02 (2016.07.09) H01L 21/28 (2016.07.09) H01L 21/324 (2016.07.09) H01L 21/67 (2016.07.09)
CPC H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01)
출원번호/일자 1020160051747 (2016.04.27)
출원인 성균관대학교산학협력단, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0122910 (2017.11.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.27)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울특별시 강남구
2 김경남 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 김기석 대한민국 인천 부평구
4 문무겸 대한민국 경기 의왕시
5 박진우 대한민국 경기 고양시 일산동구
6 윤덕현 대한민국 경기 파주시
7 이조원 대한민국 서울 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조영현 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***(도곡동, 은하수빌딩) *층(특허사무소시선)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0407112-40
2 보정요구서
Request for Amendment
2016.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0071309-94
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0558810-08
4 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.08.01 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2016-0746204-59
5 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2016.08.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0116950-29
6 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2016.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-0771826-13
7 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2016.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0120124-83
8 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0784876-90
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0341240-31
12 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0072711-70
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.07.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0672564-46
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0672517-11
15 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-5015370-47
16 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-0814792-36
17 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0833057-33
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-0098404-86
19 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2018.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0072598-30
20 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0486644-18
21 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2018.09.27 수리 (Accepted) 7-8-2018-0021968-24
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반응 챔버 내부로 식각가스를 주입하여 피식각기판의 피식각물질층의 표면에 흡착시키는 흡착단계; 및,상기 피식각물질층을 광원을 이용하여 가열시켜 상기 식각가스가 흡착된 상기 피식각물질층의 단일 원자층을 제거하는 제거단계;를 포함하는 원자층 식각방법
2 2
제1항에 있어서,상기 식각가스는 상기 흡착단계에서 상기 피식각물질층의 상면 및 측면에 흡착되어, 상기 제거단계를 통해 제거시 상기 피식각물질층의 상면 및 측면의 단일 원자층이 동시에 제거되는 원자층 식각방법
3 3
제1항에 있어서,상기 흡착단계에서 상기 식각가스는 플라즈마의 라디칼 또는 이온과 결합되도록 하여 상기 피식각물질층의 표면에 흡착시키는 원자층 식각방법
4 4
제1항에 있어서,상기 광원은 할로겐 램프 또는 자외선 램프인 원자층 식각방법
5 5
제4항에 있어서,상기 램프가 할로겐 램프인 경우, 파장(wavelength)은 400nm 내지 800nm이고, 온도는 100℃ 내지 500℃인 원자층 식각방법
6 6
제4항에 있어서,상기 램프가 자외선 램프인 경우, 파장(wavelength)은 10nm 내지 400nm이고, 에너지 준위는 3
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20170316949 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2017316949 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 성균관대학교 산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(반도체공정장비) 1/5 [RCMS]초미세 패턴 세정을 위한 건식 세정 기술개발
2 미래창조과학부 성균관대학교 산학협력단 원천기술개발사업(나노소재기술개발사업) 1단계 1차년도 [EZ]고집적 신경세포 모방 소자 인터커넥션을 위한 초정밀 나노 공정기술 개발
3 미래창조과학부 성균관대학교 산학협력단 나노·소재원천기술개발사업 2단계 1차년도 3차원 증착 및 식각용 hybrid 공정기술 개발