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반도체 기판의 산화막 제어방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체 기판(The oxide layer control method of semiconductor and the semiconductor manufactured thereby)

  • 기술번호 : KST2017017198
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기판의 산화막 제어 방법 및 이에 의해 산화막에 제어된 반도체 기판에 대한 것이다.본 발명에 따른 반도체 기판의 산화막 제어방법은, 산화막 두께를 목적하는 범위 내로 제어할 수 있고, 또한 기판 표면의 손상을 최소화할 수 있다.더욱이, 본 발명에 따른 반도체 기판의 산화막 제어방법은, 세정액의 처리 공정의 단순화 및 환경 오염을 최소화할 수 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2016.06.09) H01L 21/67 (2016.06.09) C11D 11/00 (2016.06.09) C11D 7/08 (2016.06.09)
CPC H01L 21/02052(2013.01) H01L 21/02052(2013.01) H01L 21/02052(2013.01) H01L 21/02052(2013.01) H01L 21/02052(2013.01) H01L 21/02052(2013.01) H01L 21/02052(2013.01)
출원번호/일자 1020160054615 (2016.05.03)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0124783 (2017.11.13) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.03)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임상우 대한민국 서울특별시 강남구
2 서동완 대한민국 경기도 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0427143-13
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0358473-59
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0708532-74
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0708533-19
5 등록결정서
Decision to grant		 2017.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0883454-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판을 물 및 과산화 수소로 이루어진 혼합액으로 세정하는 단계를 포함하고, 상기 물과 과산화 수소의 부피 비율(H2O:H2O2)을 11:0
2 2
제 1항에 있어서,반도체 기판은 갈륨-안티모나이드 기판인 반도체 기판의 산화막 제어방법
3 3
제 1항에 있어서,반도체 기판의 중심선 표면 거칠기는 2
4 4
제 1항에 있어서,물과 과산화 수소의 부피 비율(H2O:H2O2)을 11:0
5 5
제 1항에 있어서,세정하는 단계는 30 초 내지 150 분 동안 수행되는 반도체 기판의 산화막 제어방법
6 6
제 1항에 있어서,세정하는 단계는 50분 내지 150분 동안 수행되는 반도체 기판의 산화막 제어방법
7 7
삭제
8 8
제 1항에 있어서,혼합액의 pH는 6
9 9
제 1항에 있어서,반도체 기판의 물방울 적하에 따른 표면 접촉각이 30°내지 70°의 범위 내에 있는 반도체 기판의 산화막 제어방법
10 10
제 1항의 산화막 제어 방법에 의해 산화막의 두께가 50Å이하로 제어되고, 중심선 표면 거칠기가 2
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 연세대학교 산학협력단 산업기술혁신사업 [RCMS]한국반도체연구조합/Ge 및 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 채널을 위한 토탈 Front-End 원천 세정기술 개발(2/5)/(미래반도체소자)
2 미래창조과학부 연세대학교 산학협력단 중점연구소지원사업 나노과학기술연구소(1/3, 3단계)