맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

포토 레지스트의 제거방법(METHOD FOR REMOVAL OF PHOTORESIST)

  • 기술번호 : KST2017017199
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 포토 레지스트의 제거방법 및 상기 제거방법에 의해 포토 레지스트가 제거된 반도체 기판에 관한 것으로, 제1 용매 및 제2 용매에 순차적으로 침지시키는 간단한 방법으로 포토 레지스트 제거가 가능하며, 실온 및 고온 모두에서 진행될 수 있어 고집적도의 III-V족 반도체 표면에 변형을 야기하지 않고, 상기 포토 레지스트 제거방법에 의해 포토 레지스트가 제거된 반도체 기판의 성능을 향상시킬 수 있다.
Int. CL G03F 7/42 (2016.06.10) G03F 7/30 (2016.06.10) G03F 7/20 (2016.06.10) G03F 7/06 (2016.06.10) H01L 21/027 (2016.06.10)
CPC G03F 7/42(2013.01) G03F 7/42(2013.01) G03F 7/42(2013.01) G03F 7/42(2013.01) G03F 7/42(2013.01) G03F 7/42(2013.01)
출원번호/일자 1020160054635 (2016.05.03)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0124792 (2017.11.13) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.03)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임상우 대한민국 서울특별시 강남구
2 오은석 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0427273-40
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0547677-44
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-0978907-02
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.10.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0978903-19
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0125919-57
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0399879-75
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0399880-11
8 등록결정서
Decision to grant		 2018.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0537887-81
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
포토 레지스트가 형성되어 있는 반도체 기판을 몰 볼륨이 20 내지 70cm3/mol인 제1 용매를 포함하는 제1 용액에 침지시켜, 상기 포토 레지스트를 스웰링 시키는 단계; 및상기 스웰링된 포토 레지스트가 형성되어 있는 반도체 기판을 상기 포토 레지스트에 대한 한센 상대 에너지 차이가 0
2 2
제 1항에 있어서,반도체 기판은 Ⅲ-Ⅴ족을 포함하는 반도체 기판인 포토 레지스트의 제거방법
3 3
제 1항에 있어서,반도체 기판은 제 1 및 제2 용액에 침지시키기 전과 후에 자승 평균 표면 거칠기(Rrms) 차이가 0
4 4
제 1항에 있어서,포토 레지스트는 5 x 1012 내지 5 x 1017 ions/cm2의 이온이 주입되어 있는 포토 레지스트의 제거방법
5 5
제 1항에 있어서,제1 용매는 아세토나이트릴, 포름아미드, 나이트로메테인 및 모노 에탄올 아민으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인 포토 레지스트의 제거방법
6 6
제 1항에 있어서,제2 용매는 메틸-2-피롤리돈, 디메틸설폭사이드, 벤질 알코올 및 프로필렌 카보네이트로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인 포토 레지스트의 제거방법
7 7
제 1항에 있어서,포토 레지스트를 제거한 후, 세정하는 단계를 추가로 포함하는 포토 레지스트의 제거방법
8 8
제 1항에 있어서,스웰링 시키는 단계 및 포토 레지스트를 제거하는 단계는 5 내지 30분의 범위 내에서 수행되는 포토 레지스트의 제거방법
9 9
제 1항에 있어서,20 내지 50℃의 온도 범위 내에서 수행되는 포토 레지스트의 제거방법
10 10
제 1항의 방법에 의해 포토 레지스트가 제거된 반도체 기판
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101860211 KR 대한민국 FAMILY
2 US20170322495 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 연세대학교 산학협력단 산업기술혁신사업 [RCMS]한국반도체연구조합/Ge 및 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 채널을 위한 토탈 Front-End 원천 세정기술 개발(2/5)/(미래반도체소자)
2 미래창조과학부 연세대학교 산학협력단 중점연구소지원사업 나노과학기술연구소(1/3, 3단계)