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집속 전자빔을 이용한 단결정 나노 패턴의 제조방법(Method of manufacturing single nanocrystal pattern using focused electron-beam)

  • 기술번호 : KST2017017485
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 단결정 나노 패턴의 제조방법이 제공된다. 상기 단결정 나노 패턴의 제조방법에 의하면, 고에너지의 집속 전자빔을 이용하여 비정질의 박막 내에 나노 크기의 결정 패턴을 간단하게 제조할 수 있다. 또한, 이종접합 산화물의 계면으로부터 나노 구조의 결정 패턴을 성장시켜 기판과 에피택셜한 나노 결정구조를 제조할 수 있다. 그리고 나노 결정 패턴을 원자 크기로 제어하기 위해서는 부도체 이종접합 계면에 전도성 층을 형성시키는 것이 유리하다.
Int. CL H01L 29/06 (2016.07.07) H01L 21/027 (2016.07.07) H01L 21/02 (2016.07.07) H01L 21/20 (2016.07.07)
CPC H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01)
출원번호/일자 1020160067736 (2016.05.31)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0135584 (2017.12.08) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.31)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장혜정 대한민국 서울특별시 성북구
2 이광엽 대한민국 서울특별시 성북구
3 백승협 대한민국 서울특별시 성북구
4 문선영 대한민국 서울특별시 성북구
5 김진연 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2016-0526359-12
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0539696-98
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.03.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0356902-09
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0075858-97
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0711433-23
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0711432-88
8 등록결정서
Decision to grant		 2017.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0884979-98
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
결정질의 금속 산화물 기판 상에 비정질의 금속 산화물 박막을 적층하여 이종접합 구조를 제공하는 단계; 및상기 기판과 상기 박막의 계면으로부터 3nm 이하의 거리에서 상기 박막에 집속 전자빔을 조사하여, 상기 비정질의 금속 산화물 박막으로부터 단결정 나노 패턴을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 단결정 나노 패턴이 상기 기판과 에픽택셜하게 결정 성장된 것인 단결정 나노 패턴의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 이종접합 구조는 상기 기판 및 상기 박막 사이의 계면에 전도성을 갖는 것인 단결정 나노 패턴의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 기판 및 상기 박막은 부도체인 단결정 나노 패턴의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 기판은 페로브스카이트 구조를 갖는 금속 산화물로 이루어지고,상기 박막은 상기 집속 전자빔의 조사에 의하여 페로브스카이트 구조를 갖는 금속 산화물로 결정화되는 비정질 물질로 이루어지는 단결정 나노 패턴의 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 이종접합 구조가 SrTiO3 기판 상에 비정질의 LiAlO3 박막이 형성된 것인 단결정 나노 패턴의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 기판은 입방 구조를 갖는 금속 산화물로 이루어지고,상기 박막은 상기 집속 전자빔의 조사에 의하여 의사 입방정 구조를 갖는 금속 산화물로 결정화되는 비정질 물질로 이루어지는 단결정 나노 패턴의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 이종접합 구조는 펄스 레이저 증착법에 의하여 제조되는 단결정 나노 패턴의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 이종접합 구조를 상기 기판과 상기 박막의 적층 방향의 수직방향으로 슬라이싱하여 단면 시편을 얻은 다음, 상기 단면 시편의 수직 방향으로 집속 전자빔을 조사하는 상기 박막을 결정화하는 단결정 나노 패턴의 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 집속 전자빔의 전류는 0
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서울대학교 산학협력단 원자력연구개발사업 방사화 환경 하에서 하이엔트로피 합금내 자가치유 거동의 원자단위 구조해석