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그래핀 기판과 그 제조방법 및 그래핀 기판을 포함하는 트랜지스터(Graphene substrate, method of manufacturing the same and transistor comprising the graphene substrate)

  • 기술번호 : KST2017017830
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀층이 형성되는 기판을 점착력(adhesion force)이 큰 물질을 사용하여, 그래핀층 상에 형성되는 유전체층을 균일하게 형성할 수 있는 그래핀 기판과 그 제조방법 및 그래핀 기판을 포함하는 트랜지스터가 개시된다. 개시된 그래핀 기판은 0.08nN/nm 이상의 점착력(adhesion force)을 갖는 기판, 상기 기판에 구비된 그래핀층 및 상기 그래핀층에 구비된 유전체층;을 포함하며, 상기 기판의 점착력은 실리콘 팁(Si tip)을 이용하여 측정된다.
Int. CL H01L 29/16 (2016.06.22) C01B 31/04 (2016.06.22) H01L 21/768 (2016.06.22) H01L 21/02 (2016.06.22) H01L 21/28 (2016.06.22) H01L 29/772 (2016.06.22)
CPC H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01)
출원번호/일자 1020160061422 (2016.05.19)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0130784 (2017.11.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정성준 대한민국 경기도 화성시 영통로**번길 **
2 김형섭 대한민국 서울특별시 서초구
3 김윤석 대한민국 서울특별시 강남구
4 박성준 대한민국 서울특별시 강남구
5 김회준 대한민국 경기도 수원시 장안구
6 박성재 대한민국 경기도 부천시 원미구
7 설대희 대한민국 경기도 시흥시 정왕대로***번길
8 양재현 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0481144-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
0
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기판은 Ge, SiO2 및 InP 중 적어도 하나를 포함하는 그래핀 기판
3 3
제 1 항에 있어서,상기 유전체층은 HfO2, Al2O3 및 ZrO2 중 적어도 하나를 포함하는 그래핀 기판
4 4
제 1 항에 있어서,상기 유전체층은 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)을 이용하여 형성되는 그래핀 기판
5 5
0
6 6
제 5 항에 있어서,상기 기판은 Ge, SiO2 및 InP 중 적어도 하나를 포함하는 트랜지스터
7 7
제 5 항에 있어서,상기 유전체층은 HfO2, Al2O3 및 ZrO2 중 적어도 하나를 포함하는 트랜지스터
8 8
제 5 항에 있어서,상기 유전체층은 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)을 이용하여 형성되는 트랜지스터
9 9
0
10 10
제 9 항에 있어서,상기 유전체층을 형성하는 단계는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)을 이용하여 상기 유전체층을 형성하는 그래핀 기판의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.