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(Ⅰ) 기판 상에 접착층을 형성하는 단계,(Ⅱ) 상기 접착층의 상부 면에 서로 다른 입자 크기를 갖는 복수 개의 콜로이드 입자를 위치시키는 단계,(Ⅲ) 상기 접착층을 제거하는 단계,(Ⅳ) 상기 접착층이 제거된 기판 상에 금속을 증착시키는 단계,(Ⅴ) 상기 콜로이드 입자를 제거하는 단계,(Ⅵ) 상기 기판을 화학적으로 식각한 후 증착된 금속을 제거하는 단계,(Ⅶ) 상기 기판을 어닐링하는 단계, 및(Ⅷ) 상기 어닐링된 기판을 에칭용액으로 에칭하는 단계를 포함하며,상기 (Ⅱ) 단계는 먼저 직경이 150 내지 350 nm인 콜로이드 입자(a)를 위치시킨 후에, 직경이 50 내지 150 nm인 콜로이드 입자(b)를 나중에 위치시켜 상기 콜로이드 입자(a)와 상기 콜로이드 입자(b)를 단일 층으로 형성시키고,상기 (Ⅵ) 단계를 통해 상기 콜로이드 입자(a)의 직경 크기를 갖는 나노 와이어(a-1) 및 상기 콜로이드 입자(b)의 직경 크기를 갖는 나노 와이어(b-1)가 형성되며,상기 (Ⅷ)단계를 통해 콜로이드 입자(b)로부터 생성된 나노 와이어(b-1)가 제거되는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 콜로이드 입자는 폴리스티렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리페닐렌옥사이드 및 폴리아세탈 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 나노 와이어 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 접착층은 단수 또는 복수 개의 층으로 형성되며,상기 접착층이 복수 개일 경우에는 서로 다른 종류의 접착층이 교대로 적층된 것을 특징으로 하는 나노 와이어 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 접착층은 폴리알릴아민염소산, 폴리에틸렌이민, 폴리다이알릴디메틸암모늄클로라이드, 폴리라이신, 폴리스티렌술포네이트, 폴리아크릴산, 폴리비닐설페이트, 및 헤파린 중에서 선택된 1종 이상의 고분자 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (Ⅵ) 단계는 식각 용액에 기판을 담지시켜 수행되며,상기 식각 용액은 불산, 과산화수소, 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 나노 와이어 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 어닐링은 800 내지 1000 ℃의 온도에서 2 내지 6 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속은 금, 은, 백금 및 구리 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 나노 와이어 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 나노 와이어 어레이의 제조방법
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