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포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 제거방법(COMPOSITION FOR REMOVING PHOTORESIST AND METHOD FOR REMOVAL OF PHOTORESIST USING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2018003317
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 제거방법에 관한 것으로 본 발명에 의하면 반도체 기판에 식각 및 산화 등의 손상을 주지 않으며, 높은 이온 주입 조건의 포토레지스트를 효과적으로 제거할 수 있다.
Int. CL C11D 11/00 (2006.01.01) C11D 7/08 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01) G03F 1/00 (2006.01.01) G03F 1/82 (2012.01.01) G03F 1/80 (2012.01.01)
CPC C11D 11/0047(2013.01) C11D 11/0047(2013.01) C11D 11/0047(2013.01) C11D 11/0047(2013.01) C11D 11/0047(2013.01) C11D 11/0047(2013.01) C11D 11/0047(2013.01)
출원번호/일자 1020160115533 (2016.09.08)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0028177 (2018.03.16) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.08)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임상우 대한민국 서울특별시 강남구
2 오은석 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0877314-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.08.09 수리 (Accepted) 9-1-2017-0026203-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0585101-59
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.10.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1042856-42
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-1042857-98
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2018.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0133833-62
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.04.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0407144-70
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-0407145-15
10 등록결정서
Decision to grant		 2018.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0293339-26
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번호 청구항
1 1
아세토나이트릴 10 내지 60 부피부; 디메틸설폭사이드 20 내지 70 부피부; 및 불산 1 내지 3 부피부를 포함하는 포토레지스트 제거용 조성물
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
포토레지스트가 형성되어 있는 반도체 기판과;아세토나이트릴 10 내지 60 부피부, 디메틸설폭사이드 20 내지 70 부피부 및 불산 1 내지 3 부피부를 포함하는 조성물을 반응시키는 단계를 포함하는 포토레지스트의 제거방법
7 7
제 6 항에 있어서,반도체 기판은 Ⅲ-Ⅴ족을 포함하는 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 제거방법
8 8
제 6 항에 있어서,포토레지스트는 5 x 1012 내지 5 x 1017 ions/cm2의 이온이 주입되어 있는 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 제거방법
9 9
제 6 항에 있어서,포토레지스트를 제거하는 단계 이후에, 세정하는 단계를 추가로 포함하는 포토레지스트의 제거방법
10 10
제 6 항에 있어서,포토레지스트를 제거하는 단계는, 5 내지 30분의 범위 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 제거방법
11 11
제 6 항에 있어서,상기 포토레지스트의 제거방법은, 20 내지 90 ℃의 온도 범위 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 제거방법
지정국 정보가 없습니다
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1 KR101893252 KR 대한민국 FAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 연세대학교 산학협력단 산업기술혁신사업 [RCMS]한국반도체연구조합/Ge 및 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 채널을 위한 토탈 Front-End 원천 세정기술 개발(3/5)/(미래반도체소자)
2 교육부 연세대학교 산학협력단 대학중점연구소지원사업 Ezbaro_나노과학기술연구소(2/3, 3단계)