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기판; 상기 기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층의 양 단부에 각각 형성된 소스/드레인 전극; 및 상기 활성층 상에 형성된 패시베이션(passivation)층을 포함하고,상기 패시베이션층은 콜로디온(collodion)을 함유하는 콜로디온 용액을 이용하여 형성된 콜로디온막을 포함하며, 상기 활성층은 상기 콜로디온으로부터 확산된 질소(N) 및 산소(O)를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 패시베이션층은, 상기 활성층 상에 콜로디온 용액을 코팅하여 콜로디온 용액 코팅층을 형성한 후, 상기 콜로디온 용액 코팅층을 열처리(post annealing)하여 상기 콜로디온막을 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
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제2항에 있어서, 상기 콜로디온 용액 코팅층은 열처리에 의해 콜로디온 용액 내의 용매가 증발하여 상기 콜로디온막을 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
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제3항에 있어서, 상기 질소(N) 및 산소(O)는 상기 콜로디온 용액 코팅층 내의 나이트로에스터(nitroester)(-ONO-)가 열처리에 의해 분해되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
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제2항에 있어서, 상기 열처리의 온도는 80℃ 내지 150℃의 범위인 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
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제2항에 있어서, 상기 콜로디온 용액은 콜로디온 및 용매를 1:4 내지 1:6의 부피비로 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
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제6항에 있어서, 상기 용매는 디에틸에테르, 에탄올 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
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제2항에 있어서, 상기 코팅은 스핀코팅(spin coating) 방법인 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
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제2항에 있어서, 상기 콜로디온 용액 코팅층을 형성하기 전, 상기 활성층 상에 자외선(UV)을 조사하여 상기 활성층을 친수처리하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
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제9항에 있어서, 상기 자외선 조사는 5분 내지 30분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
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제9항에 있어서, 상기 열처리는 제1 열처리 및 제2 열처리의 2 단계(two step)로 수행하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 패시베이션층은 두께가 10 ㎚ 내지 50 ㎚인 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 활성층은 InO, ZnO, SnO, InZnO, InGaO, ZnSnO, InSnZnO 및 InGaZnO으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터
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