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전극재용 맥세인의 제조방법 및 맥세인 전극을 포함하는 CMOS 소자

  • 기술번호 : KST2018007539
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일실시예는 전극재용 맥세인을 제조하기 위한 방법으로서, 상기 방법은, 벌크 맥스 (MAX : Ti2AlC)물질을 준비하는 단계, 상기 준비된 벌크 맥스에 플루오르화수소산(HF) 용액으로 처리하는 단계, 및 상기 처리된 벌크 맥스를 물리적 박리를 통하여, 2차원 박막 형태의 맥세인으로 제조하는 단계를 포함하는 전극재용 맥세인의 제조방법에 관한 것이다. 또한, 다른 실시예에서, 인버터로서, 상기 인버터는, MoS2n-type채널, 맥세인을 포함하는 제1 소스 전극, WSe2 p-type채널, 맥세인을 포함하는 제2 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 이형구조 CMOS 인버터에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/285 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/8238 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01)
CPC H01L 21/28568(2013.01) H01L 21/28568(2013.01) H01L 21/28568(2013.01) H01L 21/28568(2013.01) H01L 21/28568(2013.01) H01L 21/28568(2013.01) H01L 21/28568(2013.01) H01L 21/28568(2013.01)
출원번호/일자 1020160164133 (2016.12.05)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0064031 (2018.06.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성주 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 서교 중국 경기도 수원시 장안구
3 라이센 중국 경기도 수원시 장안구
4 전수민 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-1188431-07
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
탄화티타늄 박막들 및 상기 탄화티타늄 박막들 사이에 배치되어 이들을 서로 결합시키는 알루미늄 이온들을 포함하는 벌크 상태의 맥스(MAX: Ti2AlC)를 플루오르화수소(HF) 수용액에 노출시켜 벌크 상태의 맥세인(MXene, Ti2C(OH)xFy)을 형성하는 단계; 및 상기 벌크 상태의 맥세인을 물리적으로 박리하여 맥세인(MXene, Ti2C(OH)xFy) 나노박막을 형성하는 단계를 포함하는 전극재용 맥세인의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 플루오르화수소(HF) 수용액의 노출에 의하여, 상기 벌크 상태 맥스의 알루미늄 이온들은 제거되고, 상기 탄화티타늄 박막들 표면에 표면 작용기 -OH 또는 -F가 결합되는, 전극재용 맥세인의 제조방법
3 3
n-형 반도체 채널; 상기 n-형 반도체 채널과 이격된 p-형 반도체 채널;상기 n-형 반도체 채널 및 상기 p-형 반도체 채널과 접촉하는 드레인 전극; 상기 드레인 전극과 이격되게 배치되어 상기 n-형 반도체 채널과 접촉하는 제1 맥세인 나노박막을 포함하는 제1 소스전극; 및 상기 드레인 전극 및 상기 제1 소스전극과 이격되게 배치되어 상기 p-형 반도체 채널과 접촉하는 제2 맥세인 나노박막을 포함하는 제2 소스전극을 포함하는, CMOS 소자
4 4
제3항에 있어서, 상기 n-형 반도체 채널, 상기 p-형 반도체 채널, 상기 드레인 전극, 상기 제1 소스전극 및 상기 제2 소스전극은 산화실리콘 절연막으로 피복되고 게이트 전극을 구비하는 실리콘 기판 상에 배치되는, CMOS 소자
5 5
제3항에 있어서, 상기 n-형 반도체 채널 및 상기 p-형 반도체 채널은 각각 독립적으로 진성(intrisic) 또는 도핑된 전이금속디칼코게나이드 물질로 형성된, CMOS 소자
6 6
제5항에 있어서, 상기 n-형 반도체 채널 및 상기 p-형 반도체 채널은 각각 독립적으로 As2S3, Bi2S3, Bi2Se3, Bi2Te3, CuS, CuSe, CdS, CdI2, GaS, GaSe, GaSTe, GaSSe, GaTe, GeS, GeSe, HfS2, GO, InSe, In2Se3, SnSe2, TlGaS2, TlGaSe2, TlInS2, Ca(OH)2, intercalated Texene, Mg(OH)2, PbGa2Se4, PbSnS2, NbReSe2, NbReS2, PbI2, PtSe2, SbAsS3, TiTe2, VS2, SbAsS3, VSe2, MoO3, MoS2, MoSe2, MoTe2, MoSSe, MoWSe2, MoWS2, WS2, WSe2, WTe2, ReMoS2, ReS2, ReSe2, ReNbSe2, ReNbS2, BP, TaS, TaSe2, ZrT2 및 ZrTe2으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나의 물질로 형성된, CMOS 소자
7 7
제5항에 있어서, 상기 p-형 반도체 채널은 WSe2로 형성되고, 상기 n-형 반도체 채널은 MoS2로 형성된, CMOS 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 성균관대학교 산학협력단 이공학개인기초연구사업(기본연구지원사업_후속연구지원) 1/3 이차원 나노소재 (Graphene, h-BN, MoS2)와 Interlayer Band Tunneling을 이용한 차세대 극소전력/저전압 Tunneling transistor 개발
2 미래창조과학부 성균관대학교 산학협력단 나노소재기술개발사업(선행공정·플랫폼기술연구개발사업) 1/3 M3D 집적 초절전 아키텍처 구현을 위한 저온공정 및 원자스위치 소자 개발
3 미래창조과학부 광주과학기술원 글로벌프론티어연구개발사업(하이브리드 인터페이스 기반 미래소재연구) 인공두뇌급 고성능 소자구현을 위한 3D 직접반도체 원천기술개발
4 미래창조과학부 세종대학교 미래유망융합기술파이오니어사업 유해감성의 선택적 미세제어를 위한 나노공정 기반 생체삽입형 집적소자 개발