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선택적인 자외선 조사에 의해 산화물 박막의 표면에 결함이 생성되고,상기 산화물 박막의 표면이 과산화수소(H202)로 처리되어 상기 산화물 박막 내에 하이드록실 라디칼이 선택적으로 도핑된 후, 열처리를 통하여 상기 도핑이 안정화되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막
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제1항에 있어서, 상기 자외선 조사에 의해 초친수성의 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 산화물 박막
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제1항에 있어서, 상기 자외선 조사에 의해 표면에 결함이 생성되어 촉매 표면으로서 작용되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막
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제1항에 있어서, 상기 자외선은 185 nm 및 254 nm의 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 산화물 박막
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제1항에 있어서, 상기 자외선은 5분 내지 15분 동안 조사되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막
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제1항에 있어서, 상기 자외선은 마스크를 통해 선택적으로 조사되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 과산화수소 처리는 상기 산화물 박막에 상기 과산화수소가 도포되거나 상기 산화물 박막이 상기 과산화수소에 디핑(dipping)되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막
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9
제8항에 있어서, 상기 과산화수소의 디핑 처리는 10초 내지 20초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 열처리는 120 ℃ 내지 130 ℃의 온도에서 2분 내지 3분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막
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기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 상에 형성된 채널층; 및 상기 채널층 상에 서로 이격되도록 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 채널층은 선택적인 자외선 조사에 의해 산화물 박막의 표면에 결함이 생성되고, 상기 산화물 박막의 표면이 과산화수소(H202)로 처리되어 상기 산화물 박막 내에 하이드록실 라디칼이 선택적으로 도핑된 후, 열처리를 통하여 상기 도핑이 안정화된 산화물 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
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13
제12항에 있어서, 상기 채널층 상에 형성된 패시베이션층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
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산화물 박막 상에 선택적으로 자외선이 조사되어 상기 산화물 박막의 표면에 결함이 생성되는 단계; 상기 산화물 박막의 표면이 과산화수소(H202)로 처리되어 상기 산화물 박막 내에 하이드록실 라디칼이 선택적으로 도핑되는 단계; 및 상기 산화물 박막이 열처리되어 상기 도핑이 안정화되는 단계를 포함하는 산화물 박막의 제조방법
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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연층 상에 채널층을 형성하는 단계; 상기 채널층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 서로 이격되도록 형성하는 단계; 및상기 채널층을 선택적으로 도핑하는 단계를 포함하고,상기 채널층을 선택적으로 도핑하는 단계는, 상기 채널층 상에 선택적으로 자외선이 조사되어 상기 채널층 표면에 결함이 생성되는 단계; 상기 채널층이 과산화수소로 처리되어 상기 채널층 내에 하이드록실 라디칼이 선택적으로 도핑되는 단계; 및 상기 채널층이 열처리되어 상기 도핑이 안정화되는 단계를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
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