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길이 방향으로 연장되고 내부에 기판이 수용되는 반응 공간을 제공하는 공용 반응 튜브;상기 공용 반응 튜브가 통과되어 슬라이딩 가능하게 하는 관통홀을 갖는 지지체 및 상기 반응 공간 내에 열 에너지 또는 광 에너지를 공급하는 가열 부재를 포함하는 반응기; 및상기 반응 공간 내에 플라즈마를 발생시키기 위한 전위차를 발생시킬 수 있는 적어도 하나 이상의 이격된 전극들을 포함하고, 각 전극이 상기 공용 반응 튜브가 통과되어 슬라이딩 가능하게 하는 관통홀을 갖는 플라즈마 발생기를 포함하며, 상기 반응기 또는 상기 플라즈마 발생기 중 어느 하나가 선택적으로 상기 반응 공간에 인접하여 상기 반응 공간 내의 피처리체에 대한 공정을 수행할 수 있도록, 상기 반응기 또는 상기 플라즈마 발생기는 상기 공용 반응 튜브의 외부에서 상기 길이 방향으로 이동 가능하게 상기 공용 반응 튜브에 결합되는 반도체 소자의 제조 장치
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제 1 항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 이격된 전극들은,상기 공용 반응 튜브의 외벽에 결합되어 상기 공용 반응 튜브 내에 전위차를 발생시킬 수 있는 제 1 전극 및 제 2 전극을 포함하는 반도체 소자의 제조 장치
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극은 상기 공용 반응 튜브의 길이 방향으로 서로 이격되어 상기 공용 반응 튜브의 외벽에 결합되는 반도체 소자의 제조 장치
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극은 상기 공용 반응 튜브를 둘러싸는 환형 전극인 반도체 소자의 제조 장치
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제 2 항에 있어서,상기 플라즈마 발생기는, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 중 적어도 하나를 상기 공용 반응 튜브에 고정시키는 고정 부재를 더 포함하는 반도체 소자의 제조 장치
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제 2 항에 있어서,상기 제 2 전극과 결합하여 상기 전위차와 대칭되는 다른 전위차를 발생시키는 제 3 전극을 더 포함하는 반도체 소자의 제조 장치
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제 1 항에 있어서,상기 반응기는 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 장치, 원자 층 증착(Atomic Layer Deposition; ALD) 장치 및 물리적 기상 증착 (Physical Vapor Deposition, PVD) 장치 중 어느 하나인 반도체 소자의 제조 장치
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제 1 항에 있어서,상기 가열 부재는, 상기 지지체에 결합되며, 저항선, 할로겐 램프 또는 유도 가열을 위한 코일 중 어느 하나인 반도체 소자의 제조 장치
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제 1 항에 있어서,상기 공용 반응 튜브의 제 1 단부와 결합되는 제 1 마감 부재; 및상기 제 1 마감 부재와 대향하며, 상기 공용 반응 튜브의 제 2 단부와 결합되는 제 2 마감 부재를 더 포함하는 반도체 소자의 제조 장치
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 마감 부재와 결합되어 상기 공용 반응 튜브 내부로 공정 가스를 주입하는 가스 공급부; 및상기 제 2 마감 부재와 결합되어 상기 공용 반응 튜브 외부로 배출시키는 배기부를 포함하는 반도체 소자의 제조 장치
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제 1 항에 있어서,상기 반응기, 상기 플라즈마 발생기 및 공용 반응 튜브 중 적어도 하나가 배치되는 받침 부재;상기 받침 부재 상에, 상기 반응기 또는 상기 플라즈마 발생기가 상기 공용 반응 튜브의 연장 방향으로 이동하는 것을 안내하는 적어도 하나의 안내부; 및상기 적어도 하나의 안내부와 구조적으로 결합되며, 상기 공용 반응 튜브를 지지하는 지지대를 더 포함하는 반도체 소자의 제조 장치
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제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 발생기에 제어 신호 또는 전력을 공급하고, 상기 공용 반응 튜브 내부로 플라즈마 공정 가스가 공급되거나 상기 공용 반응 튜브 외부로 상기 플라즈마 공정 가스가 배출되도록 제어하는 플라즈마 제어기를 더 포함하는 반도체 소자의 제조 장치
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제 1 항에 있어서,상기 반응기에 제어 신호 또는 전력을 공급하고, 상기 반응기와 상기 반응 공간이 인접하도록, 상기 반응기의 이동을 제어하며, 상기 공용 반응 튜브 내부로 반응 공정 가스가 공급되거나 상기 공용 반응 튜브 외부로 상기 반응 공정 가스가 배출되도록 제어하는 반응 제어기를 더 포함하는 반도체 소자의 제조 장치
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제 1 항에 있어서,상기 피처리체는 2 차원 물질을 포함하며, 상기 2 차원 물질은 그래핀, 육방정 질화 붕소(hexagonal boron nitride), 실리센(silicanes), 흑린(black phosphorus), 보로핀(Borophene), 전이금속 칼코겐 물질, 산화물(oxide) 중 어느 하나 또는 이의 조합을 포함하는 반도체 소자의 제조 장치
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제 1 항에 있어서,상기 반응 공간 내의 피처리체에 대한 공정은 단계적 에칭(layer-by-layer etching), 도핑(doping), 결함 생성(defect generation), 표면 정리(surface cleaning), 및 친수성 조절(control of hydrophilicity) 중 적어도 하나의 표면 개질을 포함하는 반도체 소자의 제조 장치
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피처리체가 합성될 기판을 공용 반응 튜브 내부의 반응 공간으로 이동시키는 단계; 상기 공용 반응 튜브가 통과되어 슬라이딩 가능하게 하는 관통홀을 갖는 지지체를 포함한 반응기를 상기 공용 반응 튜브의 외부에서 길이 방향으로 이동시켜, 상기 공용 반응 튜브에 상기 반응기를 결합시키는 단계; 상기 반응 공간에 인접한 상기 반응기의 가열 부재에 공급되는 열 에너지 또는 광 에너지에 의해, 상기 피처리체를 합성하는 단계; 상기 반응 공간에 인접한 상기 반응기를 상기 반응 공간으로부터 소정 거리 이상 이격 시키고, 상기 반응 공간 내에 플라즈마를 발생시키기 위한 전위차를 발생시킬 수 있는 적어도 하나 이상의 이격된 전극들을 포함하고 각 전극이 상기 공용 반응 튜브가 통과되어 슬라이딩 가능하게 하는 관통홀을 갖는 플라즈마 발생기를 상기 공용 반응 튜브의 외부에서 상기 길이 방향으로 이동시켜, 상기 공용 반응 튜브에 상기 플라즈마 발생기를 결합시키는 단계; 및 상기 반응 공간에 인접한 상기 플라즈마 발생기를 이용하여, 상기 합성된 피처리체의 표면 개질을 수행하는 단계를 포함하는 2차원 물질의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 합성된 피처리체의 표면 개질을 수행하는 단계 전, 상기 합성된 피처리체를 냉각시키는 단계를 더 포함하는 2 차원 물질의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 표면 개질을 갖는 피처리체를 가열하는 단계를 더 포함하는 2 차원 물질의 제조 방법
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제 16 항에 있어서, 상기 피처리체를 합성하는 단계는,상기 공용 반응 튜브 내부로 반응 공정 가스를 주입하는 단계;상기 반응 공정 가스를 상기 피처리체와 반응시키는 단계; 및상기 반응 공정 가스를 상기 공용 반응 튜브 외부로 배출하는 단계를 포함하는 단계를 포함하는 2 차원 물질의 제조 방법
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제 19 항에 있어서, 상기 합성된 피처리체의 표면 개질을 수행하는 단계는, 상기 공용 반응 튜브 내부로 플라즈마 공정 가스를 주입하는 단계;상기 플라즈마 공정 가스를 이용하여 플라즈마를 생성하는 단계; 및상기 생성된 플라즈마를 통해, 상기 합성된 피처리체의 표면 처리하는 단계를 포함하는 2 차원 물질의 제조 방법
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제 20 항에 있어서, 상기 반응 공정 가스 또는 상기 플라즈마 공정 가스는 염소(Cl2), 사염화탄소(CCl4), 삼염화붕소(BCl3) 같은 Cl 계열의 가스 및 사불화탄소(CF4), 삼불화질소(NF3), 육불화에탄(C2F6), 플루오로포름(CHF3), 이불화메탄(CH2F2), 프레온 가스(CClF3), 하론가스(CBrF3), 육불화황(SF6) 같은 F 계열의 가스, 산소(O2), 질소, 아르곤, 수소(H2) 그리고 덱스트로메토르판제제(HBr) 중 적어도 하나인 2 차원 물질의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 피처리체는 2 차원 물질로서, 상기 2 차원 물질은 그래핀, 육방정 질화 붕소(hexagonal boron nitride), 실리센(silicanes), 흑린(black phosphorus), 보로핀(Borophene), 전이금속 칼코겐 물질, 산화물(oxide) 중 어느 하나 또는 이의 조합을 포함하는 2차원 물질의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 표면 개질은 단계적 에칭(layer-by-layer etching), 도핑(doping), 결함 생성(defect generation), 표면 정리(surface cleaning), 친수성 조절(control of hydrophilicity) 중 적어도 하나인 2차원 물질의 제조 방법
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