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채널층; 상기 채널층 상에 형성되는 터널링 절연막;상기 터널링 절연막 상에 형성되며, 사전 열처리(pre-annealing)에 의해 단사정계를 갖는 하프늄 산화막; 및상기 하프늄 산화막 상에 배치되는 알루미늄 산화막을 포함하며,플래시 메모리 소자의 최대 메모리 윈도우가 특정 값에 수렴하지 않으며, 입력 전압에 비례하여 증가하도록, 상기 알루미늄 산화막의 두께는 10 ㎚ 내지 14 ㎚ 범위 내이고, 상기 하프늄 산화막의 두께는 3 ㎚ 내지 5 ㎚ 범위 내이고, 상기 터널링 절연막 및 상기 알루미늄 산화막은 비정질인 플래시 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 알루미늄 산화막 상에 형성되는 제어 게이트를 더 포함하는 플래시 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 채널층은 반도체 기판의 표면 상에 제공되거나, 상기 반도체 기판에 수직 신장된 반도체 기둥에 의해 제공되는 플래시 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 터널링 절연막의 유전율은 상기 알루미늄 산화막 또는 상기 하프늄 산화막의 유전율보다 작은 플래시 메모리 소자
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채널층 상에 터널링 절연막을 형성하는 단계;상기 터널링 절연막 상에 하프늄 산화막을 증착하는 단계; 상기 하프늄 산화막이 단사정계를 갖도록 사전 열처리(pre-annealing)를 수행하는 단계; 및상기 단사정계를 갖는 하프늄 산화막 상에 알루미늄 산화막을 형성하는 단계를 포함하며,플래시 메모리 소자의 최대 메모리 윈도우가 특정 값에 수렴하지 않으며, 입력 전압에 비례하여 증가하도록, 상기 알루미늄 산화막의 두께는 10 ㎚ 내지 14 ㎚ 범위 내이고, 상기 하프늄 산화막의 두께는 3 ㎚ 내지 5 ㎚ 범위 내이고, 상기 터널링 절연막 및 상기 알루미늄 산화막은 비정질인 플래시 메모리 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 사전 열처리는 0
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제 8 항에 있어서,상기 사전 열처리는 산화성 가스, 불활성 가스 및 이들의 혼합 가스 중 어느 하나의 분위기에서 수행되고,상기 산화성 가스는 산소, 산화 질소, 공기 및 이들의 혼합 가스 중 어느 하나이며, 상기 불활성 가스는 질소, 헬륨, 아르곤 및 이들의 혼합 가스 중 어느 하나를 포함하는 플래시 메모리 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 사전 열처리의 가열 온도는 650 ℃ 내지 850 ℃의 범위 내이고,상기 사전 열처리의 가열 시간은 20 초 내지 40 초의 범위 내인 플래시 메모리 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 알루미늄 산화막을 형성하는 단계 후에, 상기 알루미늄 산화막 내 결함 제어 및 누설 전류 감소 중 적어도 하나를 위해 후속 열처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 플래시 메모리 소자의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 후속 열처리는 상기 사전 열처리의 공정 조건과 동일한 플래시 메모리 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 채널층은 반도체 기판의 표면 상에 제공되거나, 상기 반도체 기판에 수직 신장된 반도체 기둥에 의해 제공되는 플래시 메모리 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 터널링 절연막은 비정질 막으로 형성되는 플래시 메모리 소자의 제조 방법
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