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기판 상에 제1 증착 사이클을 이용하여 버퍼막을 형성하는 단계; 및상기 버퍼막 상에 제2 증착 사이클을 이용하여 금속 산화물막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 증착 사이클은,상기 기판 상에 금속 전구체를 노출시키는 단계; 및상기 기판 상에 반응 가스 플라즈마를 노출시키는 단계를 포함하며,상기 제2 증착 사이클은,상기 기판 상에 상기 금속 전구체를 노출시키는 단계;상기 금속 전구체를 챔버로부터 퍼지시키는 단계; 상기 기판 상에 상기 반응 가스 플라즈마를 노출시키는 단계; 및상기 반응 가스를 상기 챔버로부터 퍼지시키는 단계를 포함하고,상기 제1 증착 사이클 및 상기 제2 증착 사이클은 복수회 반복 수행되고,상기 기판 상에 금속 전구체를 노출시키는 단계는,상기 금속 전구체를 100mTorr 내지 200mTorr의 압력에서 노출시키는 것을 특징으로 하는 버퍼층을 포함하는 금속 산화물막 증착 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 산소 플라즈마 처리된 기판인 것을 특징으로 하는 금속 산화물막 증착 방법
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제2항에 있어서,상기 산소 플라즈마 처리된 기판은 0초 내지 60초 시간 동안 산소 플라즈마 처리되는 것을 특징으로 하는 버퍼층을 포함하는 금속 산화물막 증착 방법
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제2항에 있어서,상기 산소 플라즈마 처리된 기판은 0° 내지 50°의 접촉각을 갖는 것을 특징으로 하는 버퍼층을 포함하는 금속 산화물막 증착 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 증착 사이클 사이에 적어도 1회 이상 산소 플라즈마 처리를 진행하는 것을 특징으로 하는 버퍼층을 포함하는 금속 산화물막 증착 방법
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제5항에 있어서,상기 산소 플라즈마 처리는 1회 내지 16회 진행하는 것을 특징으로 하는 버퍼층을 포함하는 금속 산화물막 증착 방법
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제5항에 있어서,상기 산소 플라즈마 처리는 인-시츄(in-situ)로 진행되는 것을 특징으로 하는 버퍼층을 포함하는 금속 산화물막 증착 방법
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제5항에 있어서,상기 산소 플라즈마 처리는 0초 내지 60초 시간 동안 처리되는 것을 특징으로 하는 버퍼층을 포함하는 금속 산화물막 증착 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 규소(Si, silicon), 금속 산화물(SiO2, silicon oxide), 산화알루미늄(Al2O3, aluminium oxide), 산화마그네슘(MgO, magnesium oxide), 탄화규소(SiC, silicon carbide), 질화규소(SiN, silicon nitride), 유리(glass), 석영(quartz), 사파이어(sapphire), 그래파이트(graphite), 그래핀(g raphene), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리에스테르(PE, polyester) 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, poly(2,6-ethylenenaphthalate)), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA, polymethyl methacrylate), 폴리우레탄(PU, polyurethane), 플루오르폴리머(FEP, fluoropolymers) 및 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 버퍼층을 포함하는 금속 산화물막 증착 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 전구체는 실리콘(Si), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 알루미늄(Al), 란타넘(La), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 스트론튬(Sr), 납(Pb), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 세륨(Ce), 루테늄(Ru), 바륨(Ba), 칼슘(Ca), 인듐(In), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 바나듐(V), 비소(As), 프라세오디뮴(Pr), 안티모니(Sb) 및 인(P) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 버퍼층을 포함하는 금속 산화물막 증착 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 전구체는 실란(silane), 디실란(disilane), 트리실란(trisilane), 테트라실란(tetrasilane), 트리실릴아민(trisilylamine), 아미노실란(aminosilane) 및 할로실란(halosilane) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 버퍼층을 포함하는 금속 산화물막 증착 방법
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제1항에 있어서,상기 반응 가스 플라즈마는 산소 플라즈마(O2 plasma), 오존 플라즈마(O3 plasma), 일산화 질소 플라즈마(NO plasma), 아산화 질소 플라즈마(N2O plasma) 및 수 플라즈마(H2O plasma) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 버퍼층을 포함하는 금속 산화물막 증착 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물막은 SiO2, HfO2, Ta2O5, Al2O3, La2O3, Y2O3, ZrO2, MgO, SrO, PbO, TiO2, Nb2O5, CeO2, SrTiO3, PbTiO3, SrRuO3, (Ba, Sr)TiO3, Pb(Zr, Ti)O3, (Pb, La)(Zr, Ti)O3, (Sr, Ca)RuO3, In2O3, RuO2, B2O3, GeO2, SnO2, PbO2, Pb3O4, V2O3, As2O5, As2O3, Pr2O3, Sb2O3, Sb2O5, CaO, P2O5, AlON, 및 SiON 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 버퍼층을 포함하는 금속 산화물막 증착 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물막은 산화규소(SiO2)인 것을 특징으로 하는 버퍼층을 포함하는 금속 산화물막 증착 방법
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