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CH3NH3PbI3의 구조를 가지는 페로브스카이트(perovskite) 화합물; 및상기 페로브스카이트 화합물을 포함하는 검출부;를 포함하고상기 검출부가 피리딘(pyridine)에 노출되면 상기 피리딘과 상기 페로브스카이트의 반응에 의해 상기 검출부의 색변화 또는 형광변화가 발생하여 상기 피리딘의 유무를 확인할 수 있는,변색 센서
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제1항에 있어서,상기 검출부는 박막 형태인 페로브스카이트 필름인 것을 특징으로 하는,변색 센서
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제3항에 있어서,상기 페로브스카이트 필름은 두께가 200 nm 내지 400 nm인 것을 특징으로 하는,변색 센서
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제3항에 있어서,상기 페로브스카이트 필름은 5 μm 이하의 균일한 결정 도메인을 가진 것을 특징으로 하는,변색 센서
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제1항에 있어서,상기 변화는 가시적인 변화인 것을 특징으로 하는,변색 센서
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제1항에 있어서,피리딘에 노출되면, 상기 검출부가 5 초 이내에 암갈색에서 투명하게 변화하는 것을 특징으로 하는,변색 센서
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제7항에 있어서,피리딘에 노출되었다가 피리딘이 제거되면, 상기 검출부가 10 초 이내에 암갈색으로 변화를 하는 것을 특징으로 하는,변색 센서
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제1항에 있어서,상기 반응은 가역적인 반응인 것을 특징으로 하는,변색 센서
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제1항에 있어서,피리딘과 반응하여, 상기 검출부의 흡광도 및 형광 세기 중에서 적어도 하나 이상이 가역적으로 변화하는 것을 특징으로 하는,변색 센서
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제10항에 있어서,상기 흡광도 변화는, 450 nm 내지 800 nm 파장대에서 흡광도가 가역적으로 변화하는 것을 특징으로 하는,변색 센서
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제10항에 있어서,상기 형광 세기 변화는, 780 nm 파장대에서 형광 세기가 가역적으로 변화하는 것을 특징으로 하는,변색 센서
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기판 및 CH3NH3PbI3 전구체를 준비하는 단계;상기 기판 상에 상기 CH3NH3PbI3 전구체를 블레이드 코팅기(blade-coater)로 블레이드 코팅(blade-coating)하여 습윤 필름을 형성하는 단계;상기 습윤 필름을 건조하여 건조된 필름을 형성하는 단계; 및상기 건조된 필름을 어닐링(annealing)하는 단계;를 포함하는 피리딘을 검출하기 위한,변색 센서 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 블레이드 코팅기와 상기 기판 사이의 간격을 10 ㎛로 하고, 15 mm/s의 코팅 속도로 블레이드 코팅하는 것을 특징으로 하는,변색 센서 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 건조된 필름을 100 ℃에서 15 분 동안 어닐링하는 것을 특징으로 하는,변색 센서 제조 방법
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