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반도체식 후막 가스 센서 소자, 및 가스 센서 소자의 성능측정 장치

  • 기술번호 : KST2015161748
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 의한 반도체식 후막 가스 센서 소자는 기판 전면에 전극 및 감지막으로 이루어지는 센서가 2개 이상 형성되어 센서 어레이를 이루고, 기판 후면에 히터가 형성되어 있으며, 상기 감지막을 구성하는 감지 물질은 산화주석을 포함한다. 또한, 본 발명에 의한 가스 센서 소자의 성능 측정 장치는 4방향 밸브 및 미니 반응조를 포함한다. 상기 반도체식 후막 가스 센서 소자는 각종 가스, 특히 화학 테러에 사용되는 화학 작용제에 대해서 뛰어난 선택성을 가진다. 또한, 상기 가스 센서 소자의 성능 측정 장치는 가스 센서 소자와 측정 가스의 반응 시간을 최소로 한다. 반도체식 후막 가스 센서, 센서 어레이, 산화주석, 알루미나, 산화인듐, 산화아연, 산화지르코늄, 4방향 밸브, 미니 반응조
Int. CL G01N 27/18 (2006.01.01) G01N 21/78 (2006.01.01) G01N 31/22 (2006.01.01) C04B 41/50 (2006.01.01) C09C 1/04 (2006.01.01)
CPC G01N 27/185(2013.01) G01N 27/185(2013.01) G01N 27/185(2013.01) G01N 27/185(2013.01) G01N 27/185(2013.01) G01N 27/185(2013.01) G01N 27/185(2013.01)
출원번호/일자 1020040085580 (2004.10.26)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0696980-0000 (2007.03.13)
공개번호/일자 10-2006-0036576 (2006.05.02) 문서열기
공고번호/일자 (20070320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.10.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이덕동 대한민국 대구 수성구
2 허증수 대한민국 대구 수성구
3 최락진 대한민국 대구 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 채종길 대한민국 서울특별시 송파구 백제고분로 ***, *층 (방이동, 나노빌딩)(세화국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2004-0489268-38
2 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2004.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-0493064-71
3 보정요구서
Request for Amendment		 2004.11.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0075620-57
4 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2004.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2004-0515401-71
5 수수료등의 반환안내서
Notification of Return of Official Fee, etc.		 2004.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0079760-23
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0293936-59
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.06.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-0014280-97
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.07.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0486017-40
9 의견서
Written Opinion		 2006.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2006-0485975-86
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2006.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0545584-70
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.10.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2006-0743370-59
12 의견서
Written Opinion		 2006.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2006-0743372-40
13 등록결정서
Decision to grant		 2007.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0060925-94
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
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번호 청구항
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4 4
기판 전면에 전극 및 감지막으로 이루어지는 센서가 4개 형성되어 센서 어레이를 이루고, 기판 후면에 히터가 형성되어 있으며,상기 4개의 센서의 감지막을 구성하는 감지 물질은 각각, 산화주석 및 알루미나의 혼합물, 산화주석 및 산화인듐의 혼합물, 산화주석 및 산화아연의 혼합물, 산화주석 및 산화지르코늄의 혼합물인 반도체식 후막 가스 센서 소자
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제4항에 있어서,상기 각각의 감지 물질에 대해서 상기 알루미나의 함량이 4중량%, 상기 산화인듐의 함량이 2중량%, 상기 산화아연의 함량이 2중량%, 상기 산화지르코늄의 함량이 1중량%인 것을 특징으로 하는 반도체식 후막 가스 센서 소자
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제4항 또는 제5항에 있어서,상기 히터의 저항이 10Ω인 것을 특징으로 하는 반도체식 후막 가스 센서 소자
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제4항에 있어서,상기 산화주석 및 알루미나 또는 상기 산화주석 및 산화인듐이 물리적 혼합법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체식 후막 가스 센서 소자
9 9
제4항에 있어서,상기 산화주석 및 산화아연 또는 상기 산화주석 및 산화지르코늄이 공침법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체식 후막 가스 센서 소자
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제8항 또는 제9항에 있어서,상기 제조된 감지 물질을 순차적으로 건조, 하소, 스크린-프린팅, 및 열처리시켜 상기 감지막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체식 후막 가스 센서 소자
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