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폴더블 전자소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2018015559
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 a) 제1희생기판, 전자소자층, 고분자 캡핑층 및 보호층이 순차적으로 적층된 제1적층체; 및 제2희생기판 및 유연 고분자층이 순차적으로 적층된 제2적층체를 제조하는 단계; b) 상기 제1적층체에서 상기 제1희생기판을 제거하는 단계; c) 상기 제1희생기판의 제거에 의해 드러난 상기 제1적층체의 전자소자층과 상기 제2적층체의 유연 고분자층을 접착제로 접착하여 제3적층체를 제조하는 단계; 및 d) 상기 제3적층체에서 상기 보호층 및 제2희생기판을 제거하는 단계;를 포함하는, 폴더블 전자소자의 제조방법, 및 이로부터 제조된 폴더블 전자소자에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 21/762 (2006.01.01)
CPC H01L 21/76832(2013.01) H01L 21/76832(2013.01) H01L 21/76832(2013.01)
출원번호/일자 1020170062830 (2017.05.22)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1980272-0000 (2019.05.14)
공개번호/일자 10-2018-0127730 (2018.11.30) 문서열기
공고번호/일자 (20190521) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.05.22)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조병진 대한민국 대전역시 유성구
2 김승윤 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-0484102-67
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0588024-10
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.05.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2018.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0092529-69
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0106554-74
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0586006-22
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.10.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1017735-85
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-1017717-63
9 등록결정서
Decision to grant		 2019.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0136713-41
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 전자소자층, 고분자 캡핑층 및 보호층이 순차적으로 적층된 제1적층체; 및 제2희생기판 및 유연 고분자층이 순차적으로 적층된 제2적층체를 제조하는 단계;b) 상기 제1적층체의 전자소자층과 상기 제2적층체의 유연 고분자층을 접착제로 접착하여 제3적층체를 제조하는 단계; 및c) 상기 제3적층체에서 상기 보호층 및 제2희생기판을 제거하는 단계;를 포함하는, 폴더블 전자소자의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 전자소자층은 하기 관계식 1을 만족하는 범위(R) 내에 위치하는, 폴더블 전자소자의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 제1적층체는, ⅰ) 제1희생기판 상에 전자소자층을 형성하는 단계; ⅱ)상기 전자소자층 상에 에폭시계 화합물을 도포하여 고분자 캡핑층을 형성하는 단계; ⅲ) 상기 고분자 캡핑층 상에 보호층 형성하는 단계; 및 ⅳ) 상기 제1희생기판을 제거하는 단계;를 포함하여 제조되는, 폴더블 전자소자의 제조방법
4 4
제 3항에 있어서,상기 전자소자층은 완전 공핍형 실리콘-온-인슐레이터 공정(FD-SOI)을 통해 형성되는, 폴더블 전자소자의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 제2적층체는 제2희생기판 상에 고분자 전구체 용액을 도포하여 유연 고분자층을 형성하는 단계를 포함하여 제조되는, 폴더블 전자소자의 제조방법
6 6
폴리이미드 유연 고분자층; 상기 유연 고분자층 상에 형성된 폴리디메틸실록산 접착제층; 상기 접착제층 상에 형성된 전자소자층; 및 상기 전자소자층 상에 형성된 에폭시계 고분자 캡핑층;을 포함하며, 상기 전자소자층은 하기 관계식 1을 만족하는 범위(R) 내에 위치하는, 폴더블 전자소자
7 7
삭제
8 8
제 6항에 있어서,상기 폴더블 전자소자는 하기 관계식 2를 만족하는 것인, 폴더블 전자소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 나노기반 소프트 일렉트로닉스 연구 고성능 소프트 집적회로 기술 개발