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1
기판을 관통하도록 형성되는 TSV를 포함하되 상기 TSV와 상기 기판 사이의 커패시턴스가 일정하게 유지되는 반도체 장치
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2
청구항 1에 있어서, 상기 커패시턴스는 상기 TSV와 상기 기판 사이에서 형성될 수 있는 커패시턴스 값 중 최소값으로 일정하게 유지되는 반도체 장치
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3
기판을 관통하도록 형성되는 TSV 및상기 TSV와 상기 기판 사이의 전압의 최대값과 최소값에 의해 정의되는 제 1 구간의 적어도 일부가 제 2 구간에 포함되도록 상기 기판과 상기 TSV 사이에 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 전압 공급장치를 포함하되,상기 제 2 구간에서 상기 TSV와 상기 기판 사이의 커패시턴스는 일정하게 유지되는 반도체 장치
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4
청구항 3에 있어서, 상기 제 2 구간은 V ≤ VFB 및 V ≥VTH (VFB 003c# VTH인 경우) 또는 V ≤ VTH 및 V ≥VFB (VTH 003c# VFB인 경우)(단, VFB 및 VTH는 각각 상기 TSV와 상기 기판에 의해 형성되는 커패시터에 있어서의 플랫밴드 전압 및 문턱 전압)를 포함하는 반도체 장치
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5
청구항 3에 있어서, 상기 제 1 구간의 전부가 상기 제 2 구간에 포함되는 반도체 장치
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6
청구항 3에 있어서, 상기 바이어스 전압은 상기 TSV에 인가되는 반도체 장치
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7
청구항 3에 있어서, 상기 바이어스 전압은 상기 기판에 인가되는 반도체 장치
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8
청구항 3에 있어서, 상기 바이어스 전압 제공장치는 상기 바이어스 전압의 일부를 상기 TSV에 인가하는 제 1 바이어스 전압 제공장치와 상기 바이어스 전압의 나머지 일부를 상기 기판에 인가하는 제 2 바이어스 전압 제공장치를 포함하는 반도체 장치
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9
청구항 3에 있어서, 상기 기판은 p형 불순물이 도핑된 실리콘 기판인 반도체 장치
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10
청구항 9에 있어서, 상기 제 2 구간은 V ≥VTH 를 포함하는 반도체 장치
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11
청구항 9에 있어서, 상기 기판은 p+형 불순물이 도핑된 콘택 영역을 포함하고 상기 콘택 영역에 상기 바이어스 전압이 인가되는 반도체 장치
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12
청구항 9에 있어서, 상기 기판은 상기 TSV 주변에 n형 불순물이 도핑된 웰 영역을 포함하고 상기 웰 영역 내에 상기 바이어스 전압이 인가되는 반도체 장치
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13
청구항 3에 있어서, 상기 기판은 n형 불순물이 도핑된 실리콘 기판인 반도체 장치
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14
청구항 13에 있어서, 상기 제 2 구간은 V ≤ VTH 를 포함하는 반도체 장치
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15
청구항 13에 있어서, 상기 기판은 n+형 불순물이 도핑된 콘택 영역을 포함하고 상기 콘택 영역에 상기 바이어스 전압이 인가되는 반도체 장치
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16
청구항 13에 있어서, 상기 기판은 상기 TSV 주변에 p형 불순물이 도핑된 웰 영역을 포함하고 상기 웰 영역 내에 상기 바이어스 전압이 인가되는 반도체 장치
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17
기판을 관통하도록 형성되는 TSV를 포함하되 상기 TSV와 상기 기판 사이의 커패시턴스가 일정하게 유지되는 인터포저
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18
청구항 17에 있어서, 상기 커패시턴스는 상기 TSV와 상기 기판 사이에서 형성될 수 있는 커패시턴스 값 중 최소값으로 일정하게 유지되는 인터포저
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19
기판 및상기 기판을 관통하도록 형성되는 TSV를 포함하되, 상기 TSV와 상기 기판 사이의 전압의 최대값과 최소값에 의해 정의되는 제 1 구간의 적어도 일부가 제 2 구간에 포함되도록 상기 기판과 상기 TSV 사이에 바이어스 전압을 제공받고, 상기 제 2 구간에서 상기 TSV와 상기 기판 사이의 커패시턴스는 일정하게 유지되는 인터포저
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20
청구항 19에 있어서, 상기 제 2 구간은 V ≤ VFB 및 V ≥VTH (VFB 003c# VTH인 경우) 또는 V ≤ VTH 및 V ≥VFB (VTH 003c# VFB인 경우)(단, VFB 및 VTH는 각각 상기 TSV와 상기 기판에 의해 형성되는 커패시터에 있어서의 플랫밴드 전압 및 문턱 전압)를 포함하는 인터포저
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21
청구항 19에 있어서, 상기 제 1 구간의 전부가 상기 제 2 구간에 포함되는 인터포저
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