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플라즈마파 트랜지스터 성능 향상 방법(METHOD FOR ENHANCING PERFORMANCE OF PLASMA-WAVE TRANSISTOR)

  • 기술번호 : KST2016015976
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 트랜지스터 성능 향상 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 트랜지스터 성능 향상 방법은, 기판상에 나노 와이어를 형성하는 나노 와이어 형성 단계, 나노 와이어가 휘어지도록, 나노 와이어에 스트레인을 인가하는 스트레인 인가 단계, 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 형성하는 전극 형성 단계, 스트레인 인가 단계에 의해 휘어진 나노 와이어, 전극 형성 단계에서 형성된 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 포함하는 트랜지스터를 제조하는 제조 단계를 포함한다. 상기 구성에 의하여, 더욱 용이하게 테라헤르츠 대역에서 동작하는 실리콘 소자를 제작할 수 있고, 플라즈마파 트랜지스터로서의 동작 여부를 평가할 수 있게 된다.
Int. CL H01L 29/417 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01) H01L 29/41 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01)
CPC H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01)
출원번호/일자 1020150026013 (2015.02.24)
출원인 한국과학기술원, 울산과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0103607 (2016.09.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.02.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전광역시 유성구
2 김경록 대한민국 울산광역시 울주군
3 전창훈 대한민국 대전광역시 유성구
4 문동일 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0183655-97
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2015.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0645273-63
3 보정요구서
Request for Amendment		 2015.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0112036-96
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0678455-38
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2016.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0129624-61
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-0533814-50
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.06.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0434980-12
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.08.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0789305-14
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-0789304-68
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0940951-89
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 나노 와이어를 형성하는 나노 와이어 형성 단계;상기 나노 와이어가 휘어지도록, 상기 나노 와이어에 스트레인을 인가하는 스트레인 인가 단계;소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 형성하는 전극 형성 단계; 및상기 스트레인 인가 단계에 의해 휘어진 나노 와이어, 상기 전극 형성 단계에서 형성된 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 전극을 포함하는 트랜지스터를 제조하는 제조 단계;를 포함하는 트랜지스터 성능 향상 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 트랜지스터가 소정 대역에서 동작하는지를 평가하는 평가 단계;를 더 포함하는 트랜지스터 성능 향상 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 전극 형성 단계는,2개의 게이트 전극으로 이루어진 그레이팅 게이트(grating gate) 전극을 형성하는, 트랜지스터 성능 향상 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 스트레인 인가 단계는, 상기 나노 와이어에 산화막을 형성함으로써 상기 나노 와이어를 휘어지게 하는, 트랜지스터 성능 향상 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 트랜지스터는 플라즈마파 트랜지스터인, 트랜지스터 성능 향상 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 소정 대역은 1011~1013Hz(0
7 7
제1항에 있어서, 상기 나노 와이어는 Si, Ge, Sn, Se, Te, B, C, B-Si, Si-C, Si-Ge, Si-Sn, Ge-Sn, SiC, BN/BP/BAs, AIN/AlP/AlAs/AlSb, GaN/GaP/GaAs/GaSb, InN/InP/InAs/InSb, ZnO/ZnS/ZnSe/ZnTe, CdS/CdSe/CdTe, HgS/HgSe/HgTe, BeS/BeSe/BeTe/MgS/MgSe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SeTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, CuF, CuCl, CuBr, CuI, AgF, AgCl, AgBr, AgI, BeSiN2, CaCN2, ZnGeP2, CdSnAs2, ZnSnSb2, ZnSnSb2, CuGeP3, CuSi2P3, (Cu,Ag)(Al,Ga,In,Tl,Fe)(S,Se,Te)2, Si3N4, Ge3N4, Al2O3, (Al,Ga,In)2, (S,Se,Te)3 및 Al2CO 중 적어도 하나로 이루어지는, 트랜지스터 성능 향상 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 게이트 전극의 길이는 20nm 이상인, 트랜지스터 성능 향상 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2016137030 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2016137030 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.