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베이스 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 베이스 기판 상에 상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막에 자외선을 조사하는 동시에 상기 게이트 절연막을 열처리하는, 자외선 조사 및 열처리 동시 공정을 수행하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 상기 게이트 전극과 중첩하는 액티브 패턴을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연막 상에 상기 액티브 패턴과 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 박막트랜지스터 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 자외선 조사 및 열처리 동시 공정은 상기 게이트 절연막을 형성한 후 및 상기 액티브 패턴을 형성하기 전에 수행되는, 박막트랜지스터 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극, 상기 게이트 절연막, 상기 액티브 패턴, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 스퍼터링 공정으로 형성되는, 박막트랜지스터 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 게이트 절연막은 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 포함하고,상기 제1 면에 대해 자외선이 조사되고, 상기 제2 면에 대해 열이 공급되는, 박막트랜지스터 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 자외선 조사 및 열처리 동시 공정은 100 ℃ 내지 250 ℃의 온도에서 수행되는, 박막트랜지스터 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 자외선 조사 및 열처리 동시 공정은 185 nm 내지 370 nm의 파장을 갖는 자외선을 사용하여 수행되는, 박막트랜지스터 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 자외선 조사 및 열처리 동시 공정은 1 분 내지 3 시간 동안 수행되는, 박막트랜지스터 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 자외선 조사 및 열처리 동시 공정은 산소 또는 수분 분위기에서 수행되는, 박막트랜지스터 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성하기 전에 상기 액티브 패턴 상에 식각 방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는, 박막트랜지스터 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 베이스 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연막 상에 상기 제1 전극과 중첩하는 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 제1 전극, 상기 게이트 절연막 및 상기 제2 전극에 의해 저항 변화 메모리가 정의되는, 박막트랜지스터 기판의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 게이트 절연막은 상기 게이트 전극과 상기 액티브 패턴 사이에 위치하는 제1 영역 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 제2 영역을 포함하고,상기 자외선 조사 및 열처리 동시 공정은 상기 제1 영역에만 수행되고 상기 제2 영역에는 수행되지 않는, 박막트랜지스터 기판의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 제1 영역에는 자외선이 조사되고, 상기 제2 영역에는 자외선이 조사되지 않는, 박막트랜지스터 기판의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 게이트 전극과 동시에 형성되고,상기 제2 전극은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동시에 형성되는, 박막트랜지스터 기판의 제조 방법
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베이스 기판;상기 베이스 기판 상에 배치되는 게이트 전극;상기 베이스 기판 상에 배치되며 상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 배치되며 상기 게이트 전극과 중첩하는 액티브 패턴; 및상기 게이트 절연막 상에 배치되며 상기 액티브 패턴과 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 게이트 절연막은 제1 영역 및 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역은 상기 게이트 전극과 상기 액티브 패턴 사이에 위치하며,상기 제1 영역의 물방울 접촉각은 1 도 내지 40 도인, 박막트랜지스터 기판
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제14항에 있어서,상기 베이스 기판 상에 배치되는 제1 전극; 및상기 게이트 절연막 상에 배치되며 상기 제1 전극과 중첩하는 제2 전극을 더 포함하고,상기 제1 전극, 상기 게이트 절연막의 상기 제2 영역 및 상기 제2 전극에 의해 저항 변화 메모리가 정의되는, 박막트랜지스터 기판
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제15항에 있어서,상기 제1 영역의 물방울 접촉각은 상기 제2 영역의 물방울 접촉각보다 작은, 박막트랜지스터 기판
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제15항에 있어서,상기 제1 영역의 산소 함량은 상기 제2 영역의 산소 함량보다 큰, 박막트랜지스터 기판
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베이스 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 베이스 기판 상에 상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막에 자외선을 조사하는 동시에 상기 게이트 절연막을 열처리하는, 자외선 조사 및 열처리 동시 공정을 수행하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 상기 게이트 전극과 중첩하는 액티브 패턴을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 상기 액티브 패턴과 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계;상기 화소 전극 상에 상기 화소 전극의 일부를 노출시키는 화소 정의막을 형성하는 단계;상기 노출된 화소 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및상기 유기 발광층 및 상기 화소 정의막 상에 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 표시 장치의 제조 방법
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제18항에 있어서,상기 자외선 조사 및 열처리 동시 공정은 상기 게이트 절연막을 형성한 후 및 상기 액티브 패턴을 형성하기 전에 수행되는, 표시 장치의 제조 방법
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제18항에 있어서,상기 게이트 전극, 상기 게이트 절연막, 상기 액티브 패턴, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 스퍼터링 공정으로 형성되는, 표시 장치의 제조 방법
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