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절연막 형성 방법 및 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019002608
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예는, 전구체 용액을 제조하는 단계, 상기 전구체 용액을 가열하는 단계, 가열된 상기 전구체 용액을 기판 상에 도포하는 단계, 및 도포된 상기 전구체 용액을 열처리하여 절연막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 열처리는 200℃ 내지 300℃에서 수행되는 절연막 형성 방법을 개시한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 27/32 (2006.01.01) H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02205(2013.01) H01L 21/02205(2013.01) H01L 21/02205(2013.01) H01L 21/02205(2013.01) H01L 21/02205(2013.01) H01L 21/02205(2013.01) H01L 21/02205(2013.01)
출원번호/일자 1020170117751 (2017.09.14)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0030799 (2019.03.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.07.20)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태상 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 김현재 대한민국 서울특별시 마포구
3 임준형 대한민국 경기도 용인시 기흥구
4 정주성 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0893932-17
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
3 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2020.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2020-0754105-08
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전구체 용액을 제조하는 단계;상기 전구체 용액을 가열하는 단계;가열된 상기 전구체 용액을 기판 상에 도포하는 단계; 및도포된 상기 전구체 용액을 열처리하여 절연막을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 열처리는 200℃ 내지 300℃에서 수행되는 절연막 형성 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 전구체 용액은 상기 전구체 용액의 끓는 점보다 낮은 온도에서 가열되는 절연막 형성 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 전구체 용액의 가열온도는 상기 전구체 용액의 끓는 점보다 2℃ 내지 100℃ 낮은 절연막 형성 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 전구체 용액을 가열하는 단계에서, 상기 전구체 용액 내의 기체가 제거되는 절연막 형성 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 전구체 용액을 가열하는 단계에서, 상기 전구체 용액의 전가수분해 반응이 일어나며, 상기 전가수분해 반응에서 발생하는 기체는 제거되는 절연막 형성 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 기판은 가요성 기판인 절연막 형성 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 기판 상에는 도전체가 형성되고, 상기 전구체 용액은 상기 도전체를 덮도록 형성되는 절연막 형성 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 전구체 용액은 지르코늄화합물, 알루미늄화합물, 갈륨화합물, 네오디뮴화합물, 크롬화합물, 세륨화합물, 이트륨화합물, 탄탈륨화합물, 타이타늄화합물, 바륨화합물, 란사늄화합물, 망간화합물, 스트론튬화합물, 하프늄화합물, 마그네슘화합물, 스칸듐화합물 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함하고,상기 절연막은 상기 적어도 어느 하나의 물질의 산화물을 포함하는 절연막 형성 방법
9 9
기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 및상기 기판 상에 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 표시 소자를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 박막 트랜지스터는,제1 절연층을 사이에 두고 서로 마주보는 게이트 전극과 활성층을 포함하고,상기 제1 절연층은, 상기 제1 절연층을 형성하기 위한 가열된 제1 전구체 용액을 상기 기판 상에 도포하고, 도포된 상기 제1 전구체 용액을 열처리하여 형성되며,상기 제1 전구체 용액은, 상기 제1 전구체 용액의 끓는 점보다 낮은 온도로 가열되고, 상기 게이트 전극 또는 상기 활성층을 덮도록 상기 기판 상에 도포되는 디스플레이 장치의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 열처리는 200℃ 내지 300℃에서 수행되는 디스플레이 장치의 제조 방법
11 11
제9항에 있어서,상기 제1 전구체 용액의 가열온도는 상기 제1 전구체 용액의 끓는 점보다 2℃ 내지 100℃ 낮은 디스플레이 장치의 제조 방법
12 12
제9항에 있어서,상기 제1 전구체 용액을 가열하는 단계에서, 상기 제1 전구체 용액 내의 기체가 제거되는 디스플레이 장치의 제조 방법
13 13
제9항에 있어서,상기 제1 전구체 용액을 가열하는 단계에서, 상기 제1 전구체 용액의 전가수분해 반응이 일어나며, 상기 전가수분해 반응에서 발생하는 기체는 제거되는 디스플레이 장치의 제조 방법
14 14
제9항에 있어서,상기 활성층은 상기 게이트 전극 하부에 위치하고,상기 박박 트랜지스터는, 상기 게이트 전극을 덮는 제2 절연층을 더 포함하며,상기 제2 절연층은, 상기 제2 절연층을 형성하기 위한 가열된 제2 전구체 용액을 상기 게이트 전극을 덮도록 상기 기판 상에 도포하고, 도포된 상기 제2 전구체 용액을 열처리하여 형성되는 디스플레이 장치의 제조 방법
15 15
제14항에 있어서,상기 제2 전구체 용액은 상기 제2 전구체 용액의 끓는 점보다 낮은 온도로 가열되는 디스플레이 장치의 제조 방법
16 16
제14항에 있어서,상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층 중 적어도 어느 하나는, 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법
17 17
제9항에 있어서,상기 박막 트랜지스터를 덮는 패시베이션막을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 표시 소자는 상기 패시베이션막 상에 형성되는 디스플레이 장치의 제조 방법
18 18
제9항에 있어서,상기 표시 소자는 유기발광소자를 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.