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전구체 용액을 제조하는 단계;상기 전구체 용액을 가열하는 단계;가열된 상기 전구체 용액을 기판 상에 도포하는 단계; 및도포된 상기 전구체 용액을 열처리하여 절연막을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 열처리는 200℃ 내지 300℃에서 수행되는 절연막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 전구체 용액은 상기 전구체 용액의 끓는 점보다 낮은 온도에서 가열되는 절연막 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 전구체 용액의 가열온도는 상기 전구체 용액의 끓는 점보다 2℃ 내지 100℃ 낮은 절연막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 전구체 용액을 가열하는 단계에서, 상기 전구체 용액 내의 기체가 제거되는 절연막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 전구체 용액을 가열하는 단계에서, 상기 전구체 용액의 전가수분해 반응이 일어나며, 상기 전가수분해 반응에서 발생하는 기체는 제거되는 절연막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 가요성 기판인 절연막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 기판 상에는 도전체가 형성되고, 상기 전구체 용액은 상기 도전체를 덮도록 형성되는 절연막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 전구체 용액은 지르코늄화합물, 알루미늄화합물, 갈륨화합물, 네오디뮴화합물, 크롬화합물, 세륨화합물, 이트륨화합물, 탄탈륨화합물, 타이타늄화합물, 바륨화합물, 란사늄화합물, 망간화합물, 스트론튬화합물, 하프늄화합물, 마그네슘화합물, 스칸듐화합물 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함하고,상기 절연막은 상기 적어도 어느 하나의 물질의 산화물을 포함하는 절연막 형성 방법
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기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 및상기 기판 상에 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 표시 소자를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 박막 트랜지스터는,제1 절연층을 사이에 두고 서로 마주보는 게이트 전극과 활성층을 포함하고,상기 제1 절연층은, 상기 제1 절연층을 형성하기 위한 가열된 제1 전구체 용액을 상기 기판 상에 도포하고, 도포된 상기 제1 전구체 용액을 열처리하여 형성되며,상기 제1 전구체 용액은, 상기 제1 전구체 용액의 끓는 점보다 낮은 온도로 가열되고, 상기 게이트 전극 또는 상기 활성층을 덮도록 상기 기판 상에 도포되는 디스플레이 장치의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 열처리는 200℃ 내지 300℃에서 수행되는 디스플레이 장치의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 전구체 용액의 가열온도는 상기 제1 전구체 용액의 끓는 점보다 2℃ 내지 100℃ 낮은 디스플레이 장치의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 전구체 용액을 가열하는 단계에서, 상기 제1 전구체 용액 내의 기체가 제거되는 디스플레이 장치의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 전구체 용액을 가열하는 단계에서, 상기 제1 전구체 용액의 전가수분해 반응이 일어나며, 상기 전가수분해 반응에서 발생하는 기체는 제거되는 디스플레이 장치의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 활성층은 상기 게이트 전극 하부에 위치하고,상기 박박 트랜지스터는, 상기 게이트 전극을 덮는 제2 절연층을 더 포함하며,상기 제2 절연층은, 상기 제2 절연층을 형성하기 위한 가열된 제2 전구체 용액을 상기 게이트 전극을 덮도록 상기 기판 상에 도포하고, 도포된 상기 제2 전구체 용액을 열처리하여 형성되는 디스플레이 장치의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 제2 전구체 용액은 상기 제2 전구체 용액의 끓는 점보다 낮은 온도로 가열되는 디스플레이 장치의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층 중 적어도 어느 하나는, 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 박막 트랜지스터를 덮는 패시베이션막을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 표시 소자는 상기 패시베이션막 상에 형성되는 디스플레이 장치의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 표시 소자는 유기발광소자를 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법
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