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플라즈마 흡착 및 탈착을 통한 이차원 물질의 전자 구조 조절법

  • 기술번호 : KST2019010950
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이차원 물질(two dimensional material) 상에 할로겐 원소 또는 산소로 플라즈마 흡착하는 단계; 및 상기 이차원 물질 상에 수소로 플라즈마 처리를 하여 상기 수소가 상기 할로겐 원소 또는 상기 산소와 결합하여 화합물을 만들어 상기 이차원 물질의 표면으로부터 상기 할로겐 원소 또는 상기 산소를 탈착하는 단계;를 포함하는 이차원 물질의 전자 구조 조절법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/28 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02252(2013.01) H01L 21/02252(2013.01) H01L 21/02252(2013.01) H01L 21/02252(2013.01)
출원번호/일자 1020150135400 (2015.09.24)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1708751-0000 (2017.02.15)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170221) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.24)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전영민 대한민국 서울특별시 성북구
2 김영희 대한민국 서울특별시 성북구
3 전영인 대한민국 서울특별시 성북구
4 서민아 대한민국 서울특별시 성북구
5 이택진 대한민국 서울특별시 성북구
6 우덕하 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0932627-87
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.06.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0123364-70
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0703515-48
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-1151053-96
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.11.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1151054-31
7 등록결정서
Decision to grant		 2017.02.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0088426-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
이차원 물질(two dimensional material) 상에 할로겐 원소 또는 산소로 플라즈마 흡착하는 단계; 및상기 이차원 물질 상에 수소로 플라즈마 처리를 하여 상기 수소가 상기 할로겐 원소 또는 상기 산소와 결합하여 화합물을 만들어 상기 이차원 물질의 표면으로부터 상기 할로겐 원소 또는 상기 산소를 탈착하는 단계;를 포함하고, 상기 할로겐 원소 또는 산소로 플라즈마 흡착하는 단계 전에 상기 이차원 물질의 목표 전자 구조를 설정하는 단계를 더 포함하고,상기 할로겐 원소 또는 상기 산소를 탈착하는 단계에서 상기 목표 전자 구조에 따라 결정된 시간 동안 상기 수소로 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 이차원 물질의 전자 구조 조절법
2 2
이차원 물질 상에 수소로 플라즈마 흡착하는 단계; 및상기 이차원 물질 상에 할로겐 원소 또는 산소로 플라즈마 처리를 하여 상기 할로겐 원소 또는 상기 산소가 상기 수소와 결합하여 화합물을 만들어 상기 이차원 물질의 표면으로부터 상기 수소를 탈착하는 단계;를 포함하고, 상기 수소로 플라즈마 흡착하는 단계 전에 상기 이차원 물질의 목표 전자 구조를 설정하는 단계를 더 포함하고,상기 수소를 탈착하는 단계에서 상기 목표 전자 구조에 따라 결정된 시간 동안 상기 할로겐 원소 또는 상기 산소로 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 이차원 물질의 전자 구조 조절법
3 3
제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이차원 물질은 전이 금속 디칼코게나이드(transition-metal dichalcogenide), 그래핀, 흑인(black phosphorene) 및 질화 붕소(boron nitride)로 이루어진 군에서 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 이차원 물질의 전자 구조 조절법
4 4
제3항에 있어서,상기 전이 금속 디칼코게나이드는 Ti, V, Zn, Nb, Mo, Tc, Pd, Hf, Ta, W, Re 및 Pt 로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 전이 금속의 칼코겐(chalcogen) 화합물인 것을 특징으로 하는 이차원 물질의 전자 구조 조절법
5 5
제4항에 있어서,상기 전이 금속 디칼코게나이드는 MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2 및 WTe2로 이루어진 군에서 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 이차원 물질의 전자 구조 조절법
6 6
제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 할로겐 원소는 불소 또는 염소인 것을 특징으로 하는 이차원 물질의 전자 구조 조절법
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이차원 물질은 단일층 또는 다층 이차원 물질인 것을 특징으로 하는 이차원 물질의 전자 구조 조절법
10 10
제1항에 있어서,상기 할로겐 원소 또는 상기 산소를 탈착하는 단계 후, 상기 이차원 물질에 상기 수소로 계속 플라즈마 처리하여 상기 이차원 물질의 표면에 상기 수소를 흡착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이차원 물질의 전자 구조 조절법
11 11
제2항에 있어서,상기 수소를 탈착하는 단계 후, 상기 이차원 물질에 상기 할로겐 원소 또는 상기 산소로 계속 플라즈마 처리하여 상기 이차원 물질의 표면에 상기 할로겐 원소 또는 상기 수소를 흡착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이차원 물질의 전자 구조 조절법
12 12
제1항에 있어서,상기 할로겐 원소 또는 상기 산소를 탈착하는 단계에서 상기 이차원 물질의 전 영역을 상기 수소로 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 이차원 물질의 전자 구조 조절법
13 13
제1항에 있어서,상기 할로겐 원소 또는 상기 산소를 탈착하는 단계에서 상기 이차원 물질의 일부 영역을 상기 수소로 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 이차원 물질의 전자 구조 조절법
14 14
제13항에 있어서,상기 일부 영역에서 상기 할로겐 원소 또는 상기 산소가 모두 탈착된 후, 상기 일부 영역을 상기 수소로 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 이차원 물질의 전자 구조 조절법
15 15
제2항에 있어서,상기 수소를 탈착하는 단계에서 상기 이차원 물질의 전 영역을 상기 할로겐 원소 또는 상기 산소로 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 이차원 물질의 전자 구조 조절법
16 16
제2항에 있어서,상기 수소를 탈착하는 단계에서 상기 이차원 물질의 일부 영역을 상기 할로겐 원소 또는 상기 산소로 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 이차원 물질의 전자 구조 조절법
17 17
제16항에 있어서,상기 일부 영역에서 상기 수소가 모두 탈착된 후, 상기 일부 영역을 상기 할로겐 원소 또는 상기 산소로 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 이차원 물질의 전자 구조 조절법
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