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맥스상 벌크에 대해서 불화리튬(LiF)과 염산(HCl)의 혼합 산성 용액으로 1차 산 처리하는 단계;상기 혼합 산성 용액으로 1차 산 처리된 맥스상 벌크에 대해서 불산(HF)을 이용하여, 다수의 맥세인 플레이크들을 형성하는 2차 산 처리하는 단계; 및상기 맥세인 플레이크들을 베이스 기재의 표면에 전사하여 맥세인 박막을 형성하는 단계를 포함하는,맥세인 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 맥스상 벌크는 Mn+1AXn로 나타내는 단위층들을 적어도 2 이상 포함하고,상기 맥세인 플레이크들 각각은 Mn+1XnTx로 나타내는 단위층들을 적어도 2 이상 포함하고,맥스상 벌크 및 맥세인 플레이크에서 M은 Ti, Zr, Nb, Ta 또는 Mo의 전이금속을 나타내고, X는 C 및 F 중 적어도 어느 하나를 나타내고, n은 1 내지 3의 정수를 나타내고, A는 Al 또는 Si를 나타내며, T는 O, F 또는 OH를 나타내며 0003c#x≤2인 것을 특징으로 하는,맥세인 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 맥세인 플레이크들은 두께가 5 nm 이하이면서 크기가 20 내지 30 ㎛인 것을 특징으로 하는,맥세인 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 맥세인 박막을 형성하는 단계는상기 베이스 기재의 일 표면을 산소(O2) 플라즈마 처리하는 단계; 및산소 플라즈마 처리된 베이스 기재를 맥세인 플레이크들이 분산된 콜로이드 용액 내에 침지시켜, 맥세인 플레이크들이 산소 플라즈마 처리된 베이스 기재의 표면을 전체적으로 커버하도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,맥세인 박막의 제조 방법
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제4항에 있어서,산소 플라즈마 처리로 베이스 기재의 표면에 산소 함유 작용기들이 도입되고, 산소 함유 작용기들에 의해 맥세인 플레이크들이 베이스 기재의 표면에 균일하게 배치되어 전사되는 것을 특징으로 하는,맥세인 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 맥세인 박막에 대해 불활성 기체 조건에서 SF6 플라즈마를 이용하여 상기 맥세인 박막의 표면 식각 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,맥세인 박막의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 표면 식각 단계에서SF6 플라즈마에 의해 맥세인 박막의 M2XTx 단위층들(M은 Ti, Zr, Nb, Ta 또는 Mo의 전이금속을 나타내고, X는 C 및 F 중 적어도 어느 하나를 나타내고, n은 1 내지 3의 정수를 나타내고, T는 O, F 또는 OH를 나타내며 0003c#x≤2임) 중 적어도 1층 이상이 제거되는 것을 특징으로 하는,맥세인 박막의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 맥세인 박막의 표면 식각 단계를 통해 맥세인 박막의 투과도가 증가하는 것을 특징으로 하는,맥세인 박막의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 표면 식각 단계는 100초 당 0
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제1항에 있어서,상기 맥세인 박막의 두께는 5 nm 이하인 것을 특징으로 하는,맥세인 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 맥세인 박막의 면저항이 60 Ω/□ 내지 70 Ω/□인 것을 특징으로 하는,맥세인 박막의 제조 방법
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