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웨이퍼 처리 챔버에 사용되는 센서에 있어서,상기 웨이퍼 처리 챔버에서의 상태 변화를 감지하고, 상기 상태 변화에 따라 공진 주파수가 변화되도록 구성된 센서 회로를 갖는 센서부; 및상기 센서부의 공진 주파수 변화에 따라 임피던스가 변화하고, 상기 임피던스의 변화를 감지할 수 있도록 구성된 안테나 회로를 갖는 안테나부를 포함하며,상기 센서 회로와 상기 안테나 회로는 유도 작용을 통하여 상호 영향을 줄 수 있는 상호 인덕터를 통하여 유도 결합되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼형 복합 무선 센서
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제1항에 있어서,상기 안테나 회로는,상기 센서회로와 유도 결합될 수 있는 상호 인덕터를 포함하되,,상기 안테나 회로의 임피던스 변화를 측정할 수 있도록 교류 전원이 인가되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼형 복합 무선 센서
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제1항에 있어서,상기 센서부는웨이퍼의 형태로서 표면에 전기회로가 편성될 수 있도록 형성된 기판; 상기 기판의 표면 상에 형성된 얇은 피막으로, 전기적 특성을 갖는 박막; 및상기 박막 내에 빈 공간으로 형성된 캐비티를 포함하는 압력 센서 또는 온도 센서인 것을 특징으로 하는 웨이퍼형 복합 무선 센서
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제3항에 있어서,상기 센서회로는상기 박막 및 상기 기판 상에 형성된 커패시터; 및상기 박막에 형성된 인덕터를 포함하며,상기 인덕터는 상기 안테나 회로와 유도 결합될 수 있는 상호 인덕터로 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 복합 무선 센서
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제4항에 있어서,상기 커패시터는 상기 웨이퍼 처리 챔버 상태 변화에 따라 값이 변동될 수 있는 가변 커패시터로 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 복합 무선 센서
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제4항에 있어서,상기 커패시터와 상기 인덕터가 병렬 연결 형태로써 공진기를 구성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼형 복합 무선 센서
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제4항에 있어서,각각 공진 주파수를 달리 하는 한 개 이상의 상기 센서부가 상기 웨이퍼의 표면에 배열 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼형 복합 무선 센서
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제4항에 있어서,상기 압력 센서는상기 캐비티가 상기 박막에 밀봉되어 포함되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼형 복합 무선 센서
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제8항에 있어서,상기 웨이퍼 처리 챔버에서의 압력 변화가 있는 경우,상기 압력 변화로 인하여 상기 박막의 변위 차이가 발생하고, 상기 압력 센서는 상기 박막의 변위 차이로 인한 상기 캐비티 내 간극의 변화를 감지하여 상기 센서회로의 공진주파수를 변화시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼형 복합 무선센서
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제4항에 있어서,상기 온도 센서는상기 박막이 제1박막 및 제2박막으로 구성되며,상기 제1박막과 상기 제2박막이 서로 다른 열팽창 계수를 가지고 있도록 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼형 복합 무선 센서
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제10항에 있어서,상기 웨이퍼 처리 챔버에서의 온도 변화가 있는 경우,상기 온도 변화에 따라 발생하는 상기 제1박막과 상기 제2박막의 휨이 발생하고, 상기 온도 센서는 상기 제1박막과 상기 제2박막의 휨에 따른 상기 캐비티 내 간극의 변화를 감지하여 상기 센서회로의 공진주파수를 변화시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼형 복합 무선 센서
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제1항에 있어서,상기 센서부는웨이퍼의 형태로서 표면에 전기회로가 편성될 수 있도록 형성된 기판; 및상기 기판의 표면 상에 형성된 얇은 피막으로, 전기적 특성을 갖는 박막을 포함하는 프라즈마 센서인 것을 특징으로 하는 웨이퍼형 복합 무선 센서
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제12항에 있어서,상기 센서회로는상기 박막 및 상기 기판 상에 형성된 커패시터; 및상기 박막에 형성된 인덕터를 포함하며,상기 인덕터는 상기 안테나 회로와 유도 결합될 수 있는 상호 인덕터로 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 복합 무선 센서
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제13항에 있어서,상기 커패시터는 상기 웨이퍼 처리 챔버 상태 변화에 따라 값이 변동될 수 있는 가변 커패시터로 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 복합 무선 센서
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제13항에 있어서,상기 커패시터와 상기 인덕터가 병렬 연결 형태로써 공진기를 구성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼형 복합 무선 센서
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제13항에 있어서,각각 공진 주파수를 달리 하는 한 개 이상의 상기 센서부가 상기 웨이퍼의 표면에 배열 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼형 복합 무선 센서
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제13항에 있어서,상기 웨이퍼 처리 챔버에서의 프라즈마 농도 변화가 있는 경우,상기 프라즈마 센서는 상기 프라즈마 농도에 따라 변화하는 상기 인덕터 도선의 유전율을 감지하여 상기 센서회로의 공진주파수를 변화시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼형 복합 무선 센서
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제12항에 있어서,상기 프라즈마 센서는 상기 박막이 열팽창 계수가 같은 박막만으로 구성되며,상기 웨이퍼 처리 챔버의 온도 변화가 있는 경우, 상기 온도 변화에 의하더라도 상기 센서회로의 공진 주파수가 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼형 복합 무선 센서
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웨이퍼 처리 챔버에서의 상태 변화가 일어나는 단계;상기 상태 변화로 인해 센서부에 포함된 센서회로의 임피던스가 변화하는 단계;상기 센서회로의 공진주파수가 변화하는 단계;상기 센서회로의 공진주파수 변화가 안테나부에 포함된 안테나 회로에 영향을 주는 단계;상기 안테나 회로의 임피던스가 변화하는 단계; 및상기 안테나부가 상기 안테나 회로의 임피던스 변화를 측정하는 단계를 포함하며, 제1항 내지 제18항 중 어느 하나의 웨이퍼형 복합 무선 센서를 이용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼형 복합 무선 센서를 이용한 웨이퍼 처리 챔버의 상태 센싱 방법
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