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Mx:Ti(1-x)O(2-y)의 조성비를 갖는 산화물로서, M은 니오븀(niobium) 또는 n형 도펀트(n-type dopant)이고, 상기 x는 0
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제 1항에 있어서, 상기 티타늄 산화막의 두께가 50nm 내지 200nm인, 볼로미터용 티타늄 산화막
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상기 제 1항의 볼로미터용 티타늄 산화막을 제조하는 볼로미터용 티타늄 산화막의 제조 방법으로서, 기판 상에 티타늄을 증착하는 제1 단계; 및상기 티타늄이 증착된 기판을 산소환경에서 열처리하여 상기 기판 상에 티타늄 산화막을 형성하고, 니오븀(niobium) 또는 n형 도펀트(n-type dopant)를 도핑하는 제2 단계를 포함하는, 볼로미터용 티타늄 산화막의 제조 방법
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상기 제 1항의 볼로미터용 티타늄 산화막을 제조하는 볼로미터용 티타늄 산화막의 제조 방법으로서, 산소환경에서 니오븀(niobium) 또는 n형 도펀트(n-type dopant)가 도핑된 티타늄을 스퍼터링하는 제1 단계; 및니오븀(niobium) 또는 n형 도펀트(n-type dopant)가 도핑된 티타늄 산화막을 기판 상에 증착하는 제2 단계를 포함하는, 볼로미터용 티타늄 산화막의 제조 방법
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제 3항 또는 제 4항에 있어서,상기 티타늄 산화막의 두께가 50nm 내지 200nm인, 볼로미터용 티타늄 산화막의 제조 방법
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제 3항에 있어서,상기 제2 단계에서,상기 티타늄 산화막은 박막증착기술을 이용하여 형성되는, 볼로미터용 티타늄 산화막의 제조 방법
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제 6항에 있어서,상기 박막증착기술은 RF 스퍼터 또는 DC 스퍼터인, 볼로미터용 티타늄 산화막의 제조 방법
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제 7항에 있어서,상기 RF 스퍼터 또는 상기 DC 스퍼터는, 아르곤(Ar)과 산소(O2)와 질소(N2)가 혼합된 플라즈마, 또는 질소(N2) 및 산소(O2)가 혼합된 플라즈마, 또는 아르곤(Ar) 및 산소(O2)가 혼합된 플라즈마를 이용하는, 볼로미터용 티타늄 산화막의 제조 방법
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제 7항 또는 제 8항에 있어서,상기 RF 스퍼터 또는 상기 DC 스퍼터는, 니오븀(niobium) 또는 n형 도펀트(n-type dopant)를 티타늄(Ti)과 코스퍼터링(Co-sputtering)하여 이용하거나,니오븀(niobium) 또는 n형 도펀트(n-type dopant)로 도핑된 티타늄(Ti) 타겟을 이용하는, 볼로미터용 티타늄 산화막의 제조 방법
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제 9항에 있어서,상기 티타늄 타겟은, 니오븀(niobium) 또는 n형 도펀트(n-type dopant)가 0
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제 3항에 있어서,상기 티타늄 산화막의 조성비는, RF 스퍼터 또는 DC 스퍼터의 파워, 공정압력, 사용 가스들의 비율, 기판온도를 변화시켜 조절하는, 볼로미터용 티타늄 산화막의 제조 방법
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볼로미터를 포함하는 적외선 감지소자로서,상기 볼로미터는, Mx:Ti(1-x)O(2-y)의 조성비를 갖는 티타늄 산화막을 포함하고, M은 니오븀(niobium) 또는 n형 도펀트(n-type dopant)이고, 상기 x는 0
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제 12항에 있어서,상기 티타늄 산화막은 RF 스퍼터 또는 DC 스퍼터 중 어느 하나를 이용하여 증착되는, 적외선 감지소자
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제 13항에 있어서,상기 RF 스퍼터 또는 상기 DC 스퍼터는, 아르곤(Ar)과 산소(O2)와 질소(N2)가 혼합된 플라즈마, 또는 질소(N2) 및 산소(O2)가 혼합된 플라즈마, 또는 아르곤(Ar) 및 산소(O2)가 혼합된 플라즈마를 이용하는, 적외선 감지소자
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제 13항 또는 제 14항에 있어서,상기 RF 스퍼터 또는 상기 DC 스퍼터는, 니오븀(niobium) 또는 n형 도펀트(n-type dopant)를 티타늄(Ti)과 코스퍼터링(Co-sputtering)하여 이용하거나,니오븀(niobium) 또는 n형 도펀트(n-type dopant)로 도핑된 티타늄(Ti) 타겟을 이용하는, 적외선 감지소자
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제 15항에 있어서,상기 티타늄 타겟은 니오븀(niobium) 또는 n형 도펀트(n-type dopant)가 0
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제 12항에 있어서,상기 티타늄 산화막의 조성비는, RF 스퍼터 또는 DC 스퍼터의 파워, 공정압력, 사용 가스들의 비율, 기판온도를 변화시켜 조절하는, 적외선 감지소자
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