맞춤기술찾기

이전대상기술

파장 선택형 적외선 센서 및 이의 제조 방법(Selectable wavelength infrared sensor and manufacturing method of thereof)

  • 기술번호 : KST2018003515
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 파장 선택형 적외선 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세히는 입사되는 적외선 복사 파장을 선택할 수 있도록 공진 파장을 가변할 수 있도록 제조된 파장 선택형 적외선 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이며, 본 발명에 의한 파장 선택형 적외선 센서는 검출회로를 포함하는 기판(100), 상기 기판(100)의 상면에 형성되는 고정반사판(200), 상기 기판(100)의 상면에 형성되되, 상기 고정반사판(200)의 양측에 형성되는 금속 패드(300), 상기 고정반사판(200)의 상측에 일정거리 이격되어 형성되는 흡수부(400) 및 상기 고정반사판(200)과 흡수부(400) 사이에 형성되며, 상기 고정반사판(200)과 흡수부(400) 사이를 상하로 이동 가능한 이동반사판(500)을 포함하며, 상기 이동반사판(500)은 입사되는 적외선의 파장에 따라 상하로 움직여 상기 공기층(A)의 간격을 조절하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G01J 5/08 (2006.01.01) G01J 3/10 (2006.01.01) G01J 5/60 (2006.01.01)
CPC G01J 5/0853(2013.01) G01J 5/0853(2013.01) G01J 5/0853(2013.01) G01J 5/0853(2013.01)
출원번호/일자 1020160122142 (2016.09.23)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0032888 (2018.04.02) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.06.20)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김태현 대한민국 서울특별시 송파구
2 김희연 대한민국 대전광역시 유성구
3 박종철 대한민국 대전광역시 유성구
4 김정우 대한민국 대전광역시 유성구
5 홍대원 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-0924015-57
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0588129-05
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0052294-08
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0267715-36
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0591589-99
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.06.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0591614-43
8 등록결정서
Decision to grant
2018.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0441861-21
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
검출회로를 포함하는 기판(100);상기 기판(100)의 상면에 형성되는 고정반사판(200);상기 기판(100)의 상면에 형성되되, 상기 고정반사판(200)의 양측에 형성되는 금속 패드(300);상기 고정반사판(200)의 상측에 일정거리 이격되어 형성되는 흡수부(400); 및상기 고정반사판(200)과 흡수부(400) 사이에 형성되며, 상기 고정반사판(200)과 흡수부(400) 사이를 상하로 이동 가능한 이동반사판(500);을 포함하며,상기 이동반사판(500)은 입사되는 적외선의 파장에 따라 상하로 움직여 공기층(A)의 간격을 조절하고,상기 기판(100)은중앙의 소정 영역이 함몰 형성되고 상기 고정반사판(200)이 형성되는 함몰부(110), 상기 함몰부(110)의 외곽에 위치하여 상기 함몰부(110)의 상면보다 높은 위치의 외곽부(120), 상기 외곽부(120)의 상면에 형성되고, 상기 고정반사판(200)과 전기적으로 연결되는 제1가변패드(130) 및 상기 외곽부(120)의 상면에 형성되고, 상기 이동반사판(500)과 전기적으로 연결되는 제2가변패드(140)를 포함하며,상기 제1가변패드(130)와 제2가변패드(140)는 상기 이동반사판(500)과 물리적으로 연결되어 상기 이동반사판(500)을 지지하는 것을 특징으로 하는 파장 선택형 적외선 센서
2 2
제 1항에 있어서, 상기 파장 선택형 적외선 센서는상기 금속 패드(300)와 흡수부(400)를 전기적으로 연결하면서 상기 흡수부(400)를 지지하는 지지부(600)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 선택형 적외선 센서
3 3
제 2항에 있어서, 상기 흡수부(400)는제1절연층(410), 금속층(420), 저항층(430) 및 제2절연층(440)이 순차적으로 적층된 구조이며,상기 지지부(600)는상기 흡수부(400)에서 측정한 센싱 신호를 상기 금속 패드(300)로 전달하는 것을 특징으로 하는 파장 선택형 적외선 센서
4 4
제 2항에 있어서, 상기 지지부(600)는상기 금속패드(300)의 상측으로 연장 형성된 연결부(610),하면이 상기 연결부(610)에 결합되는 전극(620) 및상기 전극(620)의 상측에 형성되어, 상부가 상기 흡수부(400)와 서로 결합되는 앵커(630)를 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 선택형 적외선 센서
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 이동반사판(500)은상기 제1가변패드(130)와 제2가변패드(140)와 각각 탄성연결체(150)를 통해 연결되는 것을 특징으로 하는 파장 선택형 적외선 센서
8 8
제1항 내지 제4항 및 제7항 중 어느 한 항의 파장 선택형 적외선 센서의 제조 방법으로,기판(100)의 중앙 소정 영역을 함몰하여 함몰부(110) 및 외곽부(120)를 형성하는 기판 형성단계;상기 함몰부(110)의 상면에 고정반사판(200) 및 금속 패드(300)를 형성하는 제1배선단계;상기 함몰부(110)에 제1희생층(700)을 형성하는 제1희생층 형성단계;상기 제1희생층(700)의 상면에 이동반사판(500)을 형성하는 제2배선단계;상기 이동반사판(500)을 덮도록 상기 이동반사판(500) 및 외곽부(120)의 상측으로 소정 높이만큼 제2희생층(800)을 형성하는 제2희생층 형성단계;상기 제2희생층(800)의 상면에 흡수부(400)를 형성하는 흡수부 형성단계; 및상기 제1희생층(700) 및 제2희생층(800)을 제거하는 희생층 제거단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 선택형 적외선 센서의 제조 방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 제2배선단계는상기 금속 패드(300)의 상측에 홀을 형성하고, 상기 홀에 연결부(610)를 형성한 후 상기 이동반사판(500)과 상기 연결부(610)의 상측에 전극(620)을 형성하는 것을 특징으로 하는 파장 선택형 적외선 센서의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)래트론 경제협력권산업 육성사업 저화소 마이크로볼로미터를 이용한 적외선 온도센서 기술 개발