| 1 |
1
기판 상에 금속 전구체를 노출시키는 단계;상기 금속 전구체를 챔버로부터 퍼지시키는 단계; 상기 기판 상에 반응 가스 플라즈마를 노출시키는 단계; 및상기 반응 가스 플라즈마를 상기 챔버로부터 퍼지시키는 단계를 포함하는 증착 사이클을 포함하고,상기 증착 사이클은 적어도 1회 이상으로 반복 수행되며,상기 증착 사이클은 상기 반응 가스 플라즈마의 전원이 상이한 제1 서브 사이클 및 제2 서브 사이클을 포함하고,상기 제1 서브 사이클은 50회 내지 150회 반복하여 진행하여 제1 금속 산화물막을 형성하고, 상기 제2 서브 사이클은 2회 내지 10회 반복하여 진행하여 제2 금속 산화물막을 형성하며,상기 제1 금속 산화물막 및 제2 금속 산화물막은 산화규소(SiO2)인 것을 특징으로 하는 금속 산화물막 증착 방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 제1 서브 사이클의 상기 반응 가스 플라즈마의 전원은 200W 내지 300W인 것을 특징으로 하는 금속 산화물막 증착 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 제2 서브 사이클의 상기 반응 가스 플라즈마의 전원은 60W 내지 300W인 것을 특징으로 하는 금속 산화물막 증착 방법
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 기판 상에 금속 전구체를 노출시키는 상기 단계는,상기 금속 전구체를 100mTorr 내지 200mTorr의 압력에서 노출시키는 것을 특징으로 하는 금속 산화물막 증착 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 기판은 규소(Si, silicon), 산화규소(SiO2, silicon oxide), 산화알루미늄(Al2O3, aluminium oxide), 산화마그네슘(MgO, magnesium oxide), 탄화규소(SiC, silicon carbide), 질화규소(SiN, silicon nitride), 유리(glass), 석영(quartz), 사파이어(sapphire), 그래파이트(graphite), 그래핀(g raphene), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리에스테르(PE, polyester), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, poly(2,6-ethylenenaphthalate)), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA, polymethyl methacrylate), 폴리우레탄(PU, polyurethane), 플루오르폴리머(FEP, fluoropolymers) 및 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물막 증착 방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 금속 전구체는 실리콘(Si)을 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 금속 산화물막 증착 방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 금속 전구체는 실란(silane), 디실란(disilane), 트리실란(trisilane), 테트라실란(tetrasilane) 및 할로실란(halosilane) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물막 증착 방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 반응 가스 플라즈마는 산소 플라즈마(O2 plasma), 오존 플라즈마(O3 plasma), 과산화수소 플라즈마(H2O2 plasma), 일산화 질소 플라즈마(NO plasma), 아산화 질소 플라즈마(N2O plasma) 및 수 플라즈마(H2O plasma) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물막 증착 방법
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
삭제
|
