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소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 갖는 기판 상에 이차원(2-Dimensional) 층상 구조를 갖는 반도체층을 형성하는 단계;전구체로 트리메틸 알루미늄(Tri-Methyl-Aluminium: TMA) 및 반응 기체로 이소프로필알콜(Iso-prothyle-alcole: IPA)을 사용하는 원자층 증착 방법으로 상기 반도체층 상에 고유전율(high-k) 절연층을 형성하는 단계;상기 고유전율 절연층 상의 상기 채널 영역에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 층간 절연층을 형성하는 단계; 및상기 층간 절연층 상의 상기 소스 및 드레인 영역들에 소스 및 드레인 전극들을 각기 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 전구체로 트리메틸 알루미늄 및 반응 기체로 이소프로필알콜을 사용하는 원자층 증착 방법으로 상기 반도체층 상에 고유전율 절연층을 형성하는 단계는,트리메틸 알루미늄 가스를 주입하여 상기 기판 상에 알루미늄 원자들을 흡착하는 단계;상기 트리메틸 알루미늄 가스를 주입한 후, 제1 퍼지 가스를 주입하는 단계;상기 제1 퍼지 가스를 주입한 후, 이소프로필알콜 가스를 주입하여 상기 이소프로필알콜과 상기 기판에 흡착된 상기 알루미늄 원자가 반응하는 단계; 및상기 이소프로필알콜 가스를 주입한 후, 제2 퍼지 가스를 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 고유전율 절연층은 알루미나(Al2O3)로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 고유전율 절연층은 알루미나, 지르코늄 옥사이드(ZrO2) 및 하프늄 옥사이드(HfO2)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 이차원 층상 구조를 갖는 반도체층은 전이 금속 다이칼코지나이드(Transition metal dichalcogenide: TMDC) 및 그래핀(graphene)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 이차원 층상 구조를 갖는 반도체층은 몰리브데늄디설파이드(MoS2), 몰리브데늄디셀레나이드(MoSe2), 몰리브데늄디텔루라이드(MoTe2), 텅스텐디설파이드(WS2), 텅스텐디셀레나이드(WSe2), 텅스텐디텔루라이드(WTe2), 지르코늄디설파이드(ZrS2), 지르코늄디셀레나이드(ZrSe2), 육방 정계 보론나이트라이드(hexagonal boron nitride: hBN) 그래핀으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 이차원 층상 구조를 갖는 반도체층은 몰리브데늄디설파이드로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체층은 몰리브덴과 산소의 결합(Mo-O bond) 및 황과 산소의 결합(S-O bond)이 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 갖는 기판을 제공하는 단계;상기 기판 상의 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역에 이차원 층상 구조를 갖는 반도체층을 형성하는 단계, 전구체로 트리메틸 알루미늄 및 반응 기체로 이소프로필알콜을 사용하는 원자층 증착 방법으로 상기 반도체층 상에 고유전율 절연층을 형성하는 단계, 상기 고유전율 절연층 상의 상기 채널 영역에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 상에 층간 절연층을 형성하는 단계 및 상기 층간 절연층 상의 상기 소스 및 드레인 영역들에 소스 및 드레인 전극들을 각기 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자를 형성하는 단계;상기 반도체 소자 상에 화소 구조물을 형성하는 단계; 및상기 화소 구조물 상에 박막 봉지 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 반도체 소자 상에 상기 화소 구조물을 형성하는 단계는,상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되도록 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및상기 발광층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 화소 구조물 상에 상기 박막 봉지 구조물을 형성하는 단계는,상기 상부 전극 상에 무기 물질을 포함하는 제1 박막 봉지층을 형성하는 단계;상기 제1 박막 봉지층 상에 유기 물질을 포함하는 제2 박막 봉지층을 형성하는 단계; 및상기 제2 박막 봉지층 상에 상기 무기 물질을 포함하는 제3 박막 봉지층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 기판 및 상기 박막 봉지 구조물은 가요성을 갖는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 전구체로 트리메틸 알루미늄 및 반응 기체로 이소프로필알콜을 사용하는 원자층 증착 방법으로 상기 반도체층 상에 고유전율 절연층을 형성하는 단계는,트리메틸 알루미늄 가스를 주입하여 상기 기판 상에 알루미늄 원자들을 흡착하는 단계;상기 트리메틸 알루미늄 가스를 주입한 후, 제1 퍼지 가스를 주입하는 단계;상기 제1 퍼지 가스를 주입한 후, 이소프로필알콜 가스를 주입하여 상기 이소프로필알콜과 상기 기판에 흡착된 상기 알루미늄 원자가 반응하는 단계; 및상기 이소프로필알콜 가스를 주입한 후, 제2 퍼지 가스를 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 고유전율 절연층은 알루미나로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 이차원 층상 구조를 갖는 반도체층은 몰리브데늄디설파이드로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 반도체층은 몰리브덴과 산소의 결합 및 황과 산소의 결합 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
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소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 갖는 기판;상기 기판 상의 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역에 배치되고, 몰리브데늄디설파이드로 구성되는 반도체층;상기 기판 상에서 상기 반도체층을 덮으며 알루미나로 구성되는 고유전율 절연층;상기 고유전율 절연층 상에서 상기 채널 영역에 배치되는 게이트 전극;상기 고유전율 절연층 상에서 상기 게이트 전극을 덮는 층간 절연층;상기 층간 절연층 상의 상기 소스 및 드레인 영역들 각각에 배치되는 소스 및 드레인 전극들;상기 소스 및 드레인 전극들 상에 배치되는 화소 구조물; 및상기 화소 구조물 상에 배치되는 박막 봉지 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치
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제 17 항에 있어서, 상기 반도체층은 몰리브덴과 산소의 결합 및 황과 산소의 결합이 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
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제 17 항에 있어서, 상기 기판 및 상기 박막 봉지 구조물은 가요성을 갖는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
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