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하기 화학식 1 로 표시되고, H 형 구조를 가지는 제 1 전구체 물질을 증착하여 제조되는,저유전 플라즈마 중합체 박막:[화학식 1];상기 화학식 1 에서,R1 내지 R14 는 각각 독립적으로 H 또는 C1-C5 의 치환된 또는 비치환된 알킬기이고, 상기 R1 내지 R14 가 이 치환된 경우, 그 치환기는 아미노기, 수산화기, 시아노기, 할로겐기, 니트로기 또는 메톡시기임
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제 1 항에 있어서,25℃ 및 1 기압에서 액체 상태의 탄화수소인 제 2 전구체 물질을 상기 제 1 전구체 물질과 함께 증착하여 제조되는,저유전 플라즈마 중합체 박막
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제 2 항에 있어서,상기 제 2 전구체 물질은 C6-C12 의 알칸(alkane), 알켄(alkene), 사이클로알칸(cycloalkane) 또는 사이클로알켄(cycloalkene)을 포함하는 것인, 저유전 플라즈마 중합체 박막
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제 2 항에 있어서,상기 제 2 전구체 물질은 사이클로헥산(cyclohexane)을 포함하는 것인, 저유전 플라즈마 중합체 박막
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제 1 항에 있어서,상기 저유전 플라즈마 중합체 박막은 플라즈마 보강 CVD 법(PECVD)을 이용하여 제조되는 것인, 저유전 플라즈마 중합체 박막
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하기 화학식 1 로 표시되고, H 형 구조를 가지는 제 1 전구체 물질을 사용하여 플라즈마 중합된 박막을 기판 상에 증착시키는,저유전 플라즈마 중합체 박막의 제조 방법:[화학식 1];상기 화학식 1 에서,R1 내지 R14 는 각각 독립적으로 H 또는 C1-C5 의 치환된 또는 비치환된 알킬기이고, 상기 R1 내지 R14 가 이 치환된 경우, 그 치환기는 아미노기, 수산화기, 시아노기, 할로겐기, 니트로기 또는 메톡시기임
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제 7 항에 있어서,상기 플라즈마 중합된 박막을 기판 상에 증착시키는 단계는, 25℃ 및 1 기압에서 액체 상태의 탄화수소인 제 2 전구체 물질을 상기 제 1 전구체 물질과 함께 사용하여 플라즈마 중합된 박막을 기판 상에 증착시키는 것인,저유전 플라즈마 중합체 박막의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 제 2 전구체 물질은 C6-C12 의 알칸(alkane), 알켄(alkene), 사이클로알칸(cycloalkane) 또는 사이클로알켄(cycloalkene)을 포함하는 것인, 저유전 플라즈마 중합체 박막의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 제 2 전구체 물질은 사이클로헥산(cyclohexane)을 포함하는 것인, 저유전 플라즈마 중합체 박막의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 기판 상에 증착된 박막을 후처리 하는 단계를 추가 포함하는, 저유전 플라즈마 중합체 박막의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 후처리는 유도결합 플라스마 (inductively coupled plasma; ICP) 처리, 급속 열 처리(rapid thermal annealing; RTA) 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 공정에 의해 수행되는 것인,저유전 플라즈마 중합체 박막의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 플라즈마 중합된 박막을 기판 상에 증착시키는 단계는,거품기 내에서 상기 제 1 전구체 물질 및 상기 제 2 전구체 물질을 증발시키는 단계;상기 증발된 전구체 물질을 상기 거품기로부터 운반하여 플라즈마 증착용 반응기로 유입시키는 단계; 및상기 반응기의 플라즈마를 이용하여 상기 반응기 내의 기판 상에 플라즈마 중합된 박막을 형성하는 단계;를 포함하는,저유전 플라즈마 중합체 박막의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 반응기는 아르곤(Ar), 헬륨(He), 네온(Ne) 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 운반기체를 포함하는 것인, 저유전 플라즈마 중합체 박막의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 반응기의 운반기체 압력은 1×10-1 Torr 내지 100×10-1 Torr 인, 저유전 플라즈마 중합체 박막의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 반응기 내의 기판의 온도는 20℃ 내지 50℃인, 저유전 플라즈마 중합체 박막의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 반응기로 공급되는 전력은 10 W 내지 90 W 인, 저유전 플라즈마 중합체 박막의 제조 방법
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