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챔버 내의 기판 위에 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 반도체층 위에 절연층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 절연층을 형성하는 단계는a) 상기 반도체층의 표면에 금속을 포함하는 전구체(pre-cursor)를 주입하는 단계;b) 흡착되지 않은 상기 전구체를 제거하는 단계;c) 상기 반도체층의 표면에 반응물을 주입하는 단계; 및d) 잔류한 상기 반응물을 제거하는 단계;를 포함하고,상기 반도체층은 층상 구조를 가지는 반도체 물질을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에서,상기 반도체 물질은 전이금속 칼코겐 화합물(Transition Metal Dichalogenides; TMDC), 그래핀(Graphene) 및 흑린(Black Phosphorus) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제2항에서,상기 전이금속 칼코겐 화합물은 MX2의 화학식으로 표현되며, 상기 M은 Mo, W, Zr 및 Re 중에서 선택된 어느 하나이고, 상기 X는 S, Se 및 Te 중에서 선택된 어느 하나인 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에서,상기 전구체를 주입하는 압력은 0
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제1항에서,상기 절연층은 M1xOa 및 M1xM2yOa 중 어느 하나로 표현되는 산화물, M1xNb로 표현되는 질화물, 그리고 M1xOaNb로 표현되는 산질화물 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법:이때, M1 및 M2는 금속이고, x003e#0, y003e#0, a003e#0 및 b003e#0이다
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제5항에서,상기 절연층은 Al2O3, ZrO2, HfO2, Y2O3, La2O3, Ta2O, Ta2O5, MgO, ZnO, TiO2, Nb2O5, SiO2, TiN, SiN, HfON, SiON 및 STO(SrTiO3) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에서,상기 절연층은 0
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제1항에서,상기 절연층은 적어도 한 층 이상의 원자층을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제5항에서,상기 전구체는 상기 절연층이 포함하는 금속과 동일한 금속을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제9항에서,상기 전구체는 AlCl3, AlMe3(Tri-methyl Aluminium; TMA), AlMe2Cl, AlMe2OiPr, AlEt3, Al(OnPr)3, Me3N:AlH3, AlMe2H, Me2EtN:AlH3, ZrCl4, ZrI4, ZrCp2Cl2j, Zr(OiPr)2(dmae)2, Zr(OtBu)4, Zr(NMe2)4, HfCl4, HfI4, HfCl2[N(SiMe3)2]2, Hf(OtBu)4, Hf(OtBu)2(mmp)2, Hf(mmp)4, Hf(ONEt2)4, Hf(NME2)4, Hf(NO3)4, YCp3, Y(CpMe)3, Y(thd)3, La(thd)3, La[N(SiMe3)2]3, TaF5, TaCl5, TaI5, Ta(OEt)5, Ta(OEt)4(dmae), Ta(NMe2)5, Ta(NMe2)5, Ta(NEt)(Net2)3, Ta(Net2)5, Ta(NtBu)(tBu2pz)3, Ta(NtBu)(iPrAMD)2(NMe2), MgCp2, Mg(thd)2, ZnCl2, ZnMe2, ZnEt2, Zn(OAc)2, TiCl4, TiI4, Ti(OMe)4, Ti(OiPr)4, SiCl4, SiCl3H, SiCl2H2, Si(OEt)4, HMDSh, Si(NCO)4, MeOSi(NCO)3, Si2Cl6 및 SiH4 중 적어도 어느 하나를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에서,상기 반도체층은 1㎚ 이하의 두께로 형성되는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에서, 상기 반응물은 산화제인 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에서,상기 a) 단계는 상기 전구체의 금속이 상기 반도체층의 표면에 흡착되는 단계를 포함하고,상기 c) 단계는 흡착된 상기 전구체의 금속과 상기 반응물이 반응하여 상기 반도체층의 표면에 상기 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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챔버 내의 기판 위에 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 반도체층 위에 절연층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 절연층을 형성하는 단계는,a) 상기 반도체층의 표면에 금속을 포함하는 전구체(pre-cursor)를 주입하는 단계;b) 흡착되지 않은 상기 전구체를 제거하는 단계;c) 상기 반도체층의 표면에 반응물을 주입하는 단계; 및d) 잔류한 상기 반응물을 제거하는 단계;를 포함하고,상기 반도체층은 층상 구조를 가지는 전이금속 칼코겐 화합물(TMDC), 그래핀(Graphene) 및 흑린(Black Phosphorus) 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 전구체를 주입하는 압력은 0
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제14항에서, 상기 반도체층이 상기 절연층과 접하는 표면의 표면 거칠기(Rq)는 2 ㎚ 내지 3
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제14항에서,상기 절연층은 Al2O3, ZrO2, HfO2, Y2O3, La2O3, Ta2O, Ta2O5, MgO, ZnO, TiO2, Nb2O5, SiO2, TiN, SiN, HfON, SiON 및 STO(SrTiO3) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제16항에서,상기 전구체는 AlCl3, AlMe3(Tri-methyl Aluminium; TMA), AlMe2Cl, AlMe2OiPr, AlEt3, Al(OnPr)3, Me3N:AlH3, AlMe2H, Me2EtN:AlH3, ZrCl4, ZrI4, ZrCp2Cl2j, Zr(OiPr)2(dmae)2, Zr(OtBu)4, Zr(NMe2)4, HfCl4, HfI4, HfCl2[N(SiMe3)2]2, Hf(OtBu)4, Hf(OtBu)2(mmp)2, Hf(mmp)4, Hf(ONEt2)4, Hf(NME2)4, Hf(NO3)4, YCp3, Y(CpMe)3, Y(thd)3, La(thd)3, La[N(SiMe3)2]3, TaF5, TaCl5, TaI5, Ta(OEt)5, Ta(OEt)4(dmae), Ta(NMe2)5, Ta(NMe2)5, Ta(NEt)(Net2)3, Ta(Net2)5, Ta(NtBu)(tBu2pz)3, Ta(NtBu)(iPrAMD)2(NMe2), MgCp2, Mg(thd)2, ZnCl2, ZnMe2, ZnEt2, Zn(OAc)2, TiCl4, TiI4, Ti(OMe)4, Ti(OiPr)4, SiCl4, SiCl3H, SiCl2H2, Si(OEt)4, HMDSh, Si(NCO)4, MeOSi(NCO)3, Si2Cl6 및 SiH4 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 상기 반도체 소자의 제조 방법
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기판;상기 기판 위에 위치하는 반도체층; 및상기 반도체층 위에 위치하는 절연층;을 포함하고,상기 반도체층은 층상 구조를 가지는 반도체 물질을 포함하며,상기 반도체층이 상기 절연층과 접하는 표면의 표면 거칠기(Rq)는 2 ㎚ 내지 3
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제18항에서,상기 층상 구조를 가지는 반도체 물질은 전이금속 칼코겐 화합물(Transition Metal Dichalogenides; TMDC), 그래핀(Graphene) 및 흑린(Black Phosphorus) 중 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 전이금속 칼코겐 화합물은 MX2의 화학식으로 표현되며, 상기 M은 Mo, W, Zr 및 Re 중에서 선택된 어느 하나이고, 상기 X는 S, Se 및 Te 중에서 선택된 어느 하나이고,상기 절연층은 Al2O3, ZrO2, HfO2, Y2O3, La2O3, Ta2O, Ta2O5, MgO, ZnO, TiO2, Nb2O5, SiO2, TiN, SiN, HfON, SiON 및 STO(SrTiO3) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 반도체 소자
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제18항에서,상기 반도체층은 0
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