맞춤기술찾기

이전대상기술

반도체 구조의 제조 방법 및 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2020004455
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명 핀 형상을 갖는 반도체 구조의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 구조의 제조 방법은, 몰드 층이 형성된 기판을 준비하는 단계; 상기 몰드 층을 패터닝하여 서로 이격된 복수의 몰드 핀 구조들을 형성하는 단계; 및 상기 복수의 몰드 핀 구조들의 노출된 표면을 씨드 표면으로 하여 반도체 층을 에피택셜 성장시켜 인접한 몰드 핀 구조들 사이에 한정된 복수의 반도체 구조들을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 21/8234 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/304 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66795(2013.01) H01L 29/66795(2013.01) H01L 29/66795(2013.01) H01L 29/66795(2013.01) H01L 29/66795(2013.01) H01L 29/66795(2013.01) H01L 29/66795(2013.01) H01L 29/66795(2013.01) H01L 29/66795(2013.01) H01L 29/66795(2013.01)
출원번호/일자 1020180169733 (2018.12.26)
출원인 연세대학교 산학협력단, 성균관대학교산학협력단, 경북대학교 산학협력단, (재)한국나노기술원
등록번호/일자 10-2106720-0000 (2020.04.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20200506) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.12.26)
심사청구항수 13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구
4 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고대홍 경기도 고양시 일산서구
2 김형섭 서울특별시 서초구
3 김대현 대구광역시 수성구
4 신찬수 경기도 용인시 기흥구
5 장현철 경기도 수원시 영통구
6 이인근 인천광역시 계양구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구
4 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-1305742-27
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2019.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2019-0010021-08
3 보정요구서
Request for Amendment
2019.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0004156-59
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-0123271-11
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2019-0232327-14
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2019-0350691-42
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2019-0460564-54
8 보정요구서
Request for Amendment
2019.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0081387-27
9 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2019.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-0498575-80
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2019.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2019-0572795-32
11 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
12 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.11.08 수리 (Accepted) 9-1-2019-0050040-45
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0916043-43
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2020-0170643-18
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.02.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0170668-48
16 등록결정서
Decision to grant
2020.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0277004-20
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
단결정의 몰드 층이 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 몰드 층을 패터닝하여 서로 이격된 복수의 몰드 핀 구조들을 형성하는 단계; 상기 복수의 몰드 핀 구조들의 노출된 표면을 씨드 표면으로 하여 단결정의 화합물 반도체를 포함하는 반도체 층을 에피택셜 성장시켜 인접한 몰드 핀 구조들 사이에 한정된 핀 형상을 갖는 복수의 반도체 구조들을 형성하는 단계; 및상기 복수의 몰드 핀 구조들을 선택적으로 제거하여, 상기 복수의 몰드 핀 구조들 사이의 상기 복수의 반도체 구조의 적어도 일부를 잔존시키는 단계를 포함하는며,상기 기판의 격자 상수와 상기 잔존하는 복수의 반도체 구조들의 격자 상수의 차이는 상기 복수의 몰드 핀 구조들의 격자 상수에 의해 상쇄되는 반도체 구조의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 복수의 반도체 구조들은 트리-게이트 트랜지스터 또는 듀얼 게이트 트랜지스터의 채널층으로 활용되는 반도체 구조의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 기저 기판 또는 상기 기저 기판 상의 절연층을 포함하는 반도체 구조의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 복수의 몰드 핀 구조들의 격자 상수는 상기 기판의 격자 상수보다는 크고 상기 복수의 반도체 구조들의 격자 상수보다 작은 반도체 구조의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 또는 실리콘 게르마늄을 포함하는 기판인 반도체 구조의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 몰드 층은 게르마늄을 포함하며, 상기 반도체 층은 II-VI 족 또는 III-V 족 화합물 반도체를 포함하는 반도체 구조의 제조 방법
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서,에피택셜 성장된 상기 반도체 층은 상기 복수의 몰드 핀 구조들의 상부 표면 상으로 과잉 성장되며, 상기 과잉 성장된 상기 반도체 층의 일부를 제거하는 단계를 더 포함하는 반도체 구조의 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 과잉 성장된 상기 반도체 층은, 상기 복수의 몰드 핀 구조들의 상기 상부 표면이 노출되도록, 에치 백 또는 화학기계적 연마 공정을 통해 제거되는 반도체 구조의 제조 방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 복수의 몰드 핀 구조들의 상부 표면에 제 1 캡핑막을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 제 1 캡핑막은 산화막 또는 질화막을 포함하는 반도체 구조의 제조 방법
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 복수의 몰드 핀 구조들 사이의 상기 기판의 노출 표면 상에 제 2 캡핑막을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 제 2 캡핑막은 산화막 또는 질화막을 포함하는 반도체 구조의 제조 방법
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 복수의 반도체 구조들은 상기 제 2 캡핑막 상에 각각 형성되고, 상기 복수의 반도체 구조들은 다른 기판 상으로 전달되는 반도체 구조의 제조 방법
13 13
반도체 소자로서,기판;상기 기판 상에 형성된 비정질 캡핑막; 및상기 캡핑막 상에 에피택셜 성장된 핀 형상의 단결정의 화합물 반도체를 포함하는 반도체 구조를 포함하며,상기 기판의 격자 상수와 상기 핀 형상의 단결정 반도체 구조의 격자 상수의 차이는 복수의 몰드 핀 구조들의 격자 상수에 의해 상쇄되는 반도체 소자
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 캡핑막은 산화물 또는 질화물을 포함하며, 상기 단결정 반도체 구조는 II-VI 족 또는 III-V 족 화합물 반도체를 포함하는 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 연세대학교 산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발사업-반도체 5nm급 이하 차세대 Logic 소자 원천요소기술개발
2 과학기술정보통신부 한국나노기술원 나노소재기술개발사업 Bottom-up 방식의 InGaAs 수직형 나노선 Tunneling FET 개발