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비정질 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020005846
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비정질 Hf2S, Hf2Se 및 Hf2S1-xSex (0 003c# x 003c# 1)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질로 형성된 채널층을 구비한 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 비정질 Hf2S, Hf2Se 및 Hf2S1-xSex (0 003c# x 003c# 1)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질로 채널층을 형성할 시, 비교적 낮은 온도에서 채널층을 형성할 수 있으며, 상기 비정질의 채널층을 구비한 박막 트랜지스터는 우수한 전기적 특성을 나타낸다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020190102700 (2019.08.21)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0060222 (2020.05.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020180144713   |   2018.11.21
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.08.21)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성웅 서울특별시 서초구
2 강세황 경기도 수원시 권선구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 노경규 대한민국 서울시 서초구 반포대로**길 ** 매강빌딩 *층(에이치앤에이치국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0860909-84
2 보정요구서
Request for Amendment		 2019.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0141883-58
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2019.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-0934553-92
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.04.10 수리 (Accepted) 9-1-2020-0015028-55
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0446745-53
7 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2020-0916465-74
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2020-1049697-80
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.10.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1049698-25
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번호 청구항
1 1
비정질 Hf2S, Hf2Se 및 Hf2S1-xSex (0 003c# x 003c# 1)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질로 형성된 채널층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
2 2
제 1항에 있어서, 상기 채널층의 두께는 5 내지 200 nm 인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
3 3
기판 상부에 형성된 소스 및 드레인 전극;게이트 전극;상기 소스 및 드레인 전극과 전기적으로 연결되고 상기 게이트 전극과 절연된 비정질 Hf2S, Hf2Se 및 Hf2S1-xSex (0 003c# x 003c# 1)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질로 형성된 채널층 및상기 채널층과 상기 게이트 전극 사이에 개재된 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
4 4
제 3항에 있어서,상기 기판은 Si, SiO2, STO, 사파이어, 유리 및 플라스틱으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상으로 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
5 5
제 3항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극과 게이트 전극은 Au, Ag, Cu, Nd, W, Pd, Pt, Ni, Rh, Ru, Ir, Os, ITO, Mo, MoW, IZO, Al 및 Ti 로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속 또는 합금인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
6 6
제 3항에 있어서,상기 절연층은 상기 증착된 채널층을 100 내지 700 ℃에서 열처리하여 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
7 7
기판 상부에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극과 절연된 소스 및 드레인 전극;상기 게이트 전극과 절연되고 상기 소스 및 드레인 전극과 전기적으로 연결된 비정질 Hf2S, Hf2Se 및 Hf2S1-xSex (0 003c# x 003c# 1)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질로 형성된 채널층 및상기 채널층과 상기 게이트 전극 사이에 개재된 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
8 8
제 7항에 있어서,상기 기판은 Si, SiO2, STO, 사파이어, 유리 및 플라스틱으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상으로 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
9 9
제 7항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극과 게이트 전극은 Au, Ag, Cu, Nd, W, Pd, Pt, Ni, Rh, Ru, Ir, Os, ITO, Mo, MoW, IZO, Al 및 Ti 로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속 또는 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교 미래소재디스커버리사업 1단계 4/5 [EZ]전자화물 안정화 및 기능특성 극대화를 위한 소재 인자 제어능 한계 극복 공정 기술 개발