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기판; 상기 기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상에 형성되고, 산화물 반도체를 포함하는 제1 반도체층;상기 제1 반도체층 상에 형성되고, 유기 반도체 및 유기 절연물 중 적어도 하나와 상기 산화물 반도체를 포함하는 제2 반도체층 및상기 제2 반도체층 상에 서로 이격되도록 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 제2 반도체층은상기 유기 반도체 및 유기 절연물 중 적어도 하나의 농도에 따라 소수성 특성이 조절되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 제2 반도체층은상기 유기 반도체 및 유기 절연물 중 적어도 하나의 부피 비율(Volumetric ratio)이 1% 내지 25%인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 제2 반도체층은코-스퍼터링법(Co-sputtering)을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 산화물 반도체는인듐 갈륨 징크 옥사이드(Indium-gallium-zinc oxide, IGZO), 징크 옥사이드(ZnO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 틴 옥사이드(ZTO), 갈륨 징크 옥사이드(GZO), 하프늄 인듐 징크 옥사이드(HIZO), 징크 인듐 틴 옥사이드(ZITO) 및 알루미늄 징크 틴 옥사이드(AZTO) 중 적어도 하나를 포함하는박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 유기 반도체 및 유기 절연물 중 적어도 하나는PTFE(Polytetrafluorethylene), PI(Polyimide) 및 PMMA(Polymethylmethacrylate) 중 적어도 하나의 물질을 포함하는박막 트랜지스터
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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연층 상에 산화물 반도체를 포함하는 제1 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 반도체층 상에 유기 반도체 및 유기 절연물 중 적어도 하나와 상기 산화물 반도체를 포함하는 제2 반도체층을 형성하는 단계 및 상기 제2 반도체층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 서로 이격되도록 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 제2 반도체층은상기 유기 반도체 및 유기 절연물 중 적어도 하나의 농도에 따라 소수성 특성이 조절되는 것을 특징으로 하는박막 트랜지스터의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 제2 반도체층을 형성하는 단계는코-스퍼터링법(Co-sputtering)을 통해 상기 제2 반도체층을 형성하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 제2 반도체층을 형성하는 단계는20W 내지 80W 범위 내의 스퍼터링 파워(Sputtering power)로 상기 유기 반도체 및 유기 절연물 중 적어도 하나를 증착하여 상기 제2 반도체층을 형성하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 유기 반도체 및 유기 절연물 중 적어도 하나는PTFE(Polytetrafluorethylene), PI(Polyimide) 및 PMMA(Polymethylmethacrylate) 중 적어도 하나의 물질을 포함하는박막 트랜지스터의 제조방법
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