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산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020013216
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법은 기판 상에 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 산화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 채널 영역 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 상에 각각 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 산화물 반도체층을 형성하는 단계는, 상기 산화물 반도체층의 소스 영역 및 드레인 영역에 선택적으로 플루오린(fluorine; F)계 가스로 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하고, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 2X1014/cm3 내지 17.5X1021/cm3 농도의 플루오린(F) 원소를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020190029421 (2019.03.14)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0109783 (2020.09.23) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.03.14)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장진 서울특별시 서초구
2 이수희 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-0264246-08
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.09.27 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.11.28 수리 (Accepted) 9-1-2019-0053648-19
5 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2019.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2019-1247300-56
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.08.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0526566-31
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.09.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1038176-57
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2020-1038156-44
9 등록결정서
Decision to grant		 2020.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0715169-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 산화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 채널 영역 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 상에 각각 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 산화물 반도체층을 형성하는 단계는, 상기 산화물 반도체층의 소스 영역 및 드레인 영역에 선택적으로 플루오린(fluorine; F)계 가스로 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하고,상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 2X1014/cm3 내지 17
2 2
제1항에 있어서, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 상기 플라즈마 처리에 의해 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역의 표면에 상기 플루오린계 가스가 확산된 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 플루오린계 가스는 사불화탄소(CF4), 삼불화질소(NF3) 및 육불화황(SF6) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 20℃ 내지 420℃의 온도에서 진행되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 오프셋 영역은 0
8 8
제2항에 있어서, 상기 플루오린 원소는 상기 산화물 반도체층의 소스 영역 및 상기 드레인 영역의 표면으로부터 5nm 내지 20nm의 두께까지 확산된 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역의 비저항은 상기 플루오린(fluorine; F)계 가스로 플라즈마 처리하여 1X102Ωcm 내지 3X10-3Ωcm 인 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법
10 10
기판 상에 제1 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 제1 게이트 전극 상에 제1 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 제1 게이트 절연층 상에 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 산화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 채널 영역 상에 제2 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 제2 게이트 절연층 상에 제2 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 상에 각각 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 산화물 반도체층을 형성하는 단계는, 상기 산화물 반도체층의 소스 영역 및 드레인 영역에 선택적으로 플루오린(fluorine; F)계 가스로 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하고,상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 2X1014/cm3 내지 17
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삭제
12 12
삭제
13 13
제10항에 있어서, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역의 비저항은 상기 플루오린(fluorine; F)계 가스로 플라즈마 처리하여 1X102Ωcm 내지 3X10-3Ωcm 인 것을 특징으로 하는 듀얼 게이트 박막 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상지원부 경희대학교 산학협력단 산업기술혁신사업 유연기판 상의 8K 디스플레이용 고품위 TFT 개발