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활성층, 게이트 절연막, 게이트 전극 및 보호층을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 절연막과 상기 보호층 중에서 적어도 하나는, 모노실란과 디실란의 혼합 가스를 실리콘 소스가스로 사용하여 형성되는 제1 실리콘 함유 절연막을 포함하고, 상기 게이트 절연막은, 모노실란을 실리콘 소스가스로 사용하여 형성되는 제2 실리콘 함유 절연막을 더 포함하며, 상기 제2 실리콘 함유 절연막을 더 포함하는 상기 게이트 절연막은, 상기 제2 실리콘 함유 절연막이 상기 활성층과 상기 제1 실리콘 함유 절연막 사이에 배치되는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 제1 실리콘 함유 절연막은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 혼합 가스는 상기 모노실란의 몰수가 상기 디실란의 몰수보다 더 큰 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제3항에 있어서, 상기 모노실란과 상기 디실란의 몰비는 3
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제1항에 있어서, 상기 제1 실리콘 함유 절연막은 화학기상증착법을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 제1 실리콘 함유 절연막의 두께가 상기 제2 실리콘 함유 절연막의 두께보다 더 작은 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제7항에 있어서, 상기 제1 실리콘 함유 절연막과 상기 제2 실리콘 함유 절연막 사이의 두께비는 1:2
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제1항에 있어서, 상기 제1 실리콘 함유 절연막은 상기 제2 실리콘 함유 절연막 보다 수소 농도가 높은 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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활성층, 게이트 전극 및 상기 활성층과 상기 게이트 전극 사이에 형성되는 게이트 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서,상기 게이트 절연막은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물로 형성되는 실리콘 함유 절연막을 포함하되, 상기 실리콘 함유 절연막은 상기 활성층으로부터 멀어질수록 더 많은 수소가 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제11항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 소정의 수소 농도를 갖는 제1 실리콘 함유 절연막 및 상기 제1 실리콘 함유 절연막보다 낮은 수소 농도를 갖는 제2 실리콘 함유 절연막을 포함하되, 상기 제2 실리콘 함유 절연막이 상기 활성층과 상기 제1 실리콘 함유 절연막 사이에 배치되는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제12항에 있어서, 상기 제1 실리콘 함유 절연막의 두께가 상기 제2 실리콘 함유 절연막의 두께보다 더 작은 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제13항에 있어서, 상기 제1 실리콘 함유 절연막과 상기 제2 실리콘 함유 절연막 사이의 두께비는 1:2
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제12항에 있어서, 상기 제1 실리콘 함유 절연막은 모노실란과 디실란의 혼합 가스를 실리콘 소스가스로 사용하여 형성되고, 상기 제2 실리콘 함유 절연막은 모노실란을 실리콘 소스가스로 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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기판 상에 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서,상기 기판 상에 게이트 전극, 활성층 및 게이트 절연막을 각각 형성하는 단계를 포함하고, 상기 게이트 절연막의 형성 단계는, 모노실란과 디실란의 혼합 가스를 실리콘 소스가스로 사용하여 화학기상증착법으로 제1 실리콘 함유 절연막을 형성하는 과정을 포함하고, 상기 게이트 절연막의 형성 단계는, 모노실란을 실리콘 소스가스로 사용하여 화학기상증착법으로 제2 실리콘 함유 절연막을 형성하는 과정을 더 포함하며,상기 기판 상에, 상기 게이트 전극, 상기 제2 실리콘 함유 절연막, 상기 제1 실리콘 함유 절연막 및 상기 활성층을 순차적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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기판 상에 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서,상기 기판 상에 게이트 전극, 활성층 및 게이트 절연막을 각각 형성하는 단계를 포함하고, 상기 게이트 절연막의 형성 단계는, 모노실란과 디실란의 혼합 가스를 실리콘 소스가스로 사용하여 화학기상증착법으로 제1 실리콘 함유 절연막을 형성하는 과정을 포함하고, 상기 게이트 절연막의 형성 단계는, 모노실란을 실리콘 소스가스로 사용하여 화학기상증착법으로 제2 실리콘 함유 절연막을 형성하는 과정을 더 포함하며,상기 기판 상에, 상기 활성층, 상기 제1 실리콘 함유 절연막, 상기 제2 실리콘 함유 절연막 및 상기 게이트 전극을 순차적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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